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公开(公告)号：CN118858386A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411347473.9
申请日：2024-09-26
申请人： 太原科技大学
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 本发明提供了一种基于V2CTx MXene/In2O3的传感器材料及其制备方法和在检测Cl2中的应用，属于传感器件技术领域。本发明将V2AlC与刻蚀剂混合后依次经过超声、加热、洗涤、干燥得到第一物料；将所述第一物料与二甲基亚砜混合后依次经过搅拌、洗涤、干燥得到第二物料；将所述第二物料与氢氧化钠溶液混合后依次经过搅拌、离心沉淀、洗涤、干燥得到V2CTx MXene；将所述V2CTx MXene复合纳米In2O3得到V2CTx MXene/In2O3传感器材料，所得的V2CTx MXene/In2O3传感器材料具有高比表面积，拓宽了反应机制，提高了传感器的灵敏度，实现了对低浓度Cl2气体的高灵敏检测。
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公开(公告)号：CN118507241A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410794262.3
申请日：2024-06-19
申请人： 太原科技大学
摘要： 本发明涉及一种低氧高方形度钐钴磁体的制备方法，属于磁性材料制备技术领域，解决磁体晶界出Cu元素含量低并且分布不均匀，导致磁体晶界处胞状组织结构不完整、方形度差的技术问题，以及磁体氧含量高、非磁性相多导致剩磁降低的问题，包括以下步骤：S1、制备合金粉末A；S2、制备Cu‑MOF粉末B；S3、混料；S4、磁场取向成型、冷等静压压制；S5、烧结、固溶处理、时效处理。本发明可以通过相应的配方和工艺，在生产上制备高剩磁、方形度的产品，满足各种商业应用需求，且方法简单，具有良好的经济效益，应用前景广阔。
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公开(公告)号：CN113135750B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202010045548.3
申请日：2020-01-16
申请人： 太原科技大学 , 湖北大学 , 南京铱方巨人新能源科技有限公司
IPC分类号： C04B35/453 , C04B41/87
摘要： 本发明涉及半导体、电子功能材料领域，公开了一种提高晶界层电容器电阻的绝缘化剂及其使用方法，所述绝缘化剂中包括Pb3O4、CuO、B2O3，并用新的氧化剂CBi2O5替代了Bi2O3，将CBi2O5、Pb3O4、CuO、B2O3按一定质量比混合制成新的绝缘化剂，并通过瓷片绝缘化的过程，使用绝缘化剂，得到电阻值更高的电容器瓷片，提高电容器的性能。
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公开(公告)号：CN111620378B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202010045150.X
申请日：2020-01-16
申请人： 太原科技大学 , 湖北大学 , 南京铱方巨人新能源科技有限公司
IPC分类号： C01G45/12 , H01M4/505 , H01M10/0525
摘要： 本发明属于锂离子电池材料技术领域，公开了一种多孔立方体锰酸锂的制备方法，该方法先采用水热法制备出颗粒完整度较高的立方体碳酸锰前驱体，再将前驱体与碳酸锂混合均匀，利用碳酸锂的特性对混合的过程进行优化，再将混合好的产物进行高温煅烧。本发明方法制备的锰酸锂为立方体空心多孔结构，且颗粒均匀，破碎颗粒少。
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公开(公告)号：CN111717937B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202010438856.2
申请日：2020-05-22
申请人： 太原科技大学 , 湖北大学 , 南京铱方巨人新能源科技有限公司
摘要： 本发明涉及纳米材料技术领域，公开了一种纳米级四氧化三钴的制备方法，包括以下步骤：通过水热法‑高温煅烧制备出了多孔球形微米级的四氧化三钴颗粒，所述四氧化三钴由许多纳米离子构成，结构脆弱，易破碎；在通过球磨法是微米级的四氧化三钴进一步破碎成纳米颗粒，严格控制球磨溶剂，球的直径以及转速等条件，可以有效避免纳米颗粒的团聚，将四氧化三钴的平均粒径降低至100多纳米；该方法工艺简单，利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN118641594A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410665582.9
申请日：2024-05-27
申请人： 太原科技大学
摘要： 本申请涉及气体传感器领域，公开了一种由非晶MOF制备的In2O3氯气传感器及制备方法，氯气传感器包括：气敏层，所述气敏层为非晶MOF制备的In2O3材料；陶瓷管，所述气敏层被涂覆在陶瓷管上；所述In2O3的制备方法，包括以下步骤：S1、将2‑氨基对苯二甲酸、苯甲酸和吡啶溶解于N,N‑二甲基甲酰胺中，超声至完全溶解；S2、将4.5水合硝酸铟溶解于N,N‑二甲基甲酰胺中，超声至完全溶解后加入步骤S1的溶液，超声处理；S3、将混合物在容器中加热后自然冷却，收集并干燥得到NH2‑MIL‑68(In)；S4、将NH2‑MIL‑68(In)分散于二甲基咪唑水溶液中，搅拌后收集、洗涤、干燥，最后在高温下煅烧得到In2O3材料。本发明通过采用简单的水浴法和二甲基咪唑的非晶化处理得到了In2O3气敏材料。
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公开(公告)号：CN117253712A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311329757.0
申请日：2023-10-16
申请人： 太原科技大学
IPC分类号： H01F41/02
摘要： 本发明涉及一种富Fe钐钴永磁材料的制备方法，属于磁性材料制备技术领域，解决富Fe钐钴合金破碎效果差，软磁相多，导致磁体剩磁Br降低的技术问题。本发明包括以下步骤：S1、称取钐钴永磁体合金原料后熔炼，制得合金铸锭，然后将其机械破碎得到合金颗粒；S2、将合金颗粒与ZrF4纳米粉混合后进行微波氢破碎，制得氢碎粉末；S3、氢碎粉末经气流磨制粉得到钐钴合金粉末；S4、钐钴合金粉末经磁场取向成型、冷等静压压制成型，制得生坯；S5、生坯经烧结、分级固溶和时效处理，制得富Fe钐钴永磁材料。本发明提高了氢碎效果，改善磁体取向度，避免软磁富Zr相析出，制备出的烧结钐钴磁体磁性能优异。
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公开(公告)号：CN115383122B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202211023204.8
申请日：2022-08-25
申请人： 太原科技大学
IPC分类号： B22F9/04 , C22C19/07 , C22C30/02 , B22F3/04 , B22F3/10 , B22F3/24 , H01F1/053 , H01F1/08 , H01F41/02
摘要： 本发明涉及一种2:17型烧结钐钴永磁体的氢碎制备方法，属于磁性材料制备技术领域，解决钐钴合金吸氢及脱氢难、磁体取向差的技术问题，包括以下步骤：S1、称取钐钴永磁体合金原料，制备合金铸锭或者速凝薄带合金片并机械破碎，得到合金颗粒；S2、将合金颗粒与催化剂CuF2粉末混合，氢碎处理后制得氢碎粉末；S3、氢碎粉末经过气流磨制粉制得钐钴合金粉末；S4、钐钴合金粉末经磁场取向成型、冷等静压压制成型，制得生坯；S5、生坯经烧结固溶和时效处理制得2:17型烧结钐钴永磁体。本发明提供的制备方法有效降低了钐钴合金的吸放氢压力和温度，易于操作控制和产业化，并且降低了能耗，制备出的烧结钐钴磁体磁性能优异。
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公开(公告)号：CN113134991B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202110375188.8
申请日：2021-04-08
申请人： 太原科技大学 , 山西金开源实业有限公司
摘要： 本发明涉及等静压机，具体为一种温等静压机。解决现有的温等静压机结构复杂、效率低下、能耗大、工作条件差的问题。一种温等静压机，包括机架，机架上梁安装有加压油缸，机架下梁安装有位于加压油缸正下方的高压腔，加压油缸的活塞杆能密封插入高压腔；还包括其内充有导热油的导热罐，导热罐内有电加热器；高压腔的底部开有注油孔，高压腔的顶部开有回油孔；导热罐用管路经导热泵、单向阀、注油孔与高压腔连通，导热罐还经回油管、回油孔与高压腔连通。本发明所述的温等静压机的技术关键是把等静压机高压腔获得高压的方式从注入式改为直接加压式，克服了现有温等静压机存在的缺陷。
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公开(公告)号：CN113421760B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110651165.5
申请日：2021-06-11
申请人： 太原科技大学
IPC分类号： H01F41/02 , C22C1/04 , C22C19/07 , B22F1/00 , B22F9/04 , B22F3/02 , B22F3/10 , B22F3/24 , B22F5/00
摘要： 本发明涉及一种低烧结温度高膝点磁场钐钴磁体的制备方法，属于磁性材料制备技术领域，本发明包括以下步骤：（1）制备粒径为0.4~2mm大小的合金颗粒A；（2）制备粒径为20~100μm的辅料粉末B；（3）合金颗粒A与辅料粉末B混粉后球磨制备钐钴合金粉末；（4）钐钴合金粉末经磁场取向成型，然后再进行冷等静压压制，制备出生坯；（5）生坯经烧结固溶和时效处理制备钐钴磁体。本发明可以有效降低钐钴磁体烧结温度，减少烧结过程中稀土的挥发损失，并且制备的烧结钐钴磁体晶界处有良好的胞状组织结构，磁体具有高膝点磁场（大于20kOe）。
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