加速度传感器
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101587131A

    公开(公告)日:2009-11-25

    申请号:CN200910203811.0

    申请日:2009-05-13

    Inventor: 前川慎志

    Abstract: 本发明提供一种具有高耐冲击力的加速度传感器,当向加速度传感器施加过度加速时,其不会被破坏,而是能够展现稳定的感应性能。加速度传感器由三层结构的SOI衬底11形成,所述三层结构包括硅层12(活性层硅)、二氧化硅层13和硅层14(衬底硅)。加速度传感器包括:框架部分23和27;多个梁部分22,梁部分从框架部分向内伸出;和由梁部分22支撑的重物部分21;以及设在梁部分2a的每一部分上的应变感应部分。梁部分22的每一部分的宽度W、梁部分22的每一部分的长度I以及框架部分23的内部框架长度L满足表达式(1)和(2)的下述关系:2<L/I≤2.82 表达式(1);I/W≤3.68 表达式(2)。

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