荧光体、发光装置及其用途

    公开(公告)号:CN103347978B

    公开(公告)日:2014-12-31

    申请号:CN201180055316.5

    申请日:2011-11-16

    Inventor: 江本秀幸

    Abstract: 本发明的目的是提供下述的荧光体及使用该荧光体的装置,在该荧光体中,通过与蓝色LED的组合,单独地以近似的形式获得色温较低的白色光,且具有有利于高显色性的宽荧光光谱,其发光效率高,并具有作为以往的氮化物系荧光体特征的热稳定性和化学稳定性,并且高温下的亮度下降很小。本发明的荧光体是使用通式Mx(Si,Al)2(N,O)3±y(但是,M是Li及一种以上的碱土类金属元素,0.52≤x≤0.9、0≤y≤0.3)表示并且M的一部分被Ce元素置换的荧光体,并且本发明是Si/Al原子比为1.5以上6以下、且O/N原子比为0以上0.1以下、M的5~50mol%为Li、M的0.5~10mol%为Ce的荧光体。

    β型赛隆的制备方法
    16.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103168086B

    公开(公告)日:2014-10-22

    申请号:CN201180046132.2

    申请日:2011-04-21

    Inventor: 江本秀幸

    CPC classification number: C09K11/7701 C09K11/0883 C09K11/7734

    Abstract: 本发明的目的是提供具有更高荧光强度的β型赛隆的制备方法。本发明的β型赛隆的制备方法具有:对含有硅、铝及铕的原料粉末进行混合的混合工序;将混合得到的原料在惰性气体或非氧化性气体的气氛中进行烧成,生成由通式:Si6-zAlzOzN8-z:Eu(0<z<4.2)表示的β型赛隆的烧成工序;对生成的β型赛隆进行退火处理的退火工序;对退火处理后的β型赛隆进行酸处理的酸处理工序。退火处理在以下条件下进行:还原性气氛中、气氛压力为100kPa以上至10MPa以下、气氛温度为1200℃以上至1600℃以下、并且处理时间为1小时以上至24小时以下。

    荧光体、发光装置及其用途

    公开(公告)号:CN103347978A

    公开(公告)日:2013-10-09

    申请号:CN201180055316.5

    申请日:2011-11-16

    Inventor: 江本秀幸

    Abstract: 本发明的目的是提供下述的荧光体及使用该荧光体的装置,在该荧光体中,通过与蓝色LED的组合,单独地以近似的形式获得色温较低的白色光,且具有有利于高显色性的宽荧光光谱,其发光效率高,并具有作为以往的氮化物系荧光体特征的热稳定性和化学稳定性,并且高温下的亮度下降很小。本发明的荧光体是使用通式Mx(Si,Al)2(N,O)3±y(但是,M是Li及一种以上的碱土类金属元素,0.52≤x≤0.9、0≤y≤0.3)表示并且M的一部分被Ce元素置换的荧光体,并且本发明是Si/Al原子比为1.5以上6以下、且O/N原子比为0以上0.1以下、M的5~50mol%为Li、M的0.5~10mol%为Ce的荧光体。

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