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公开(公告)号：CN107863426A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201710851492.9
申请日：2017-09-19
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化铝系半导体深紫外发光元件，包括导电性支承基板、空孔率为10％以上50％以下且具有导电性的大孔结构的多孔质金属膜、及包括发光层的氮化铝系半导体层结构体，导电性支承基板与氮化铝系半导体层结构体夹着多孔质金属膜以电连接的方式接合，发光峰值波长为220nm以上300nm以下。由此，能够提供发光效率较高且成品率得到改善的纵型结构的氮化铝系半导体深紫外发光元件。
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公开(公告)号：CN102956769A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210286901.2
申请日：2012-08-13
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件，包括按以下顺序设置的n型氮化物半导体层、V表面坑产生层、中间层、多量子阱发光层和p型氮化物半导体层。该多量子阱发光层是通过交替堆叠势垒层和具有低于势垒层的带隙能量的阱层所形成的层。V表面坑部分地形成于多量子阱发光层中，且V表面坑的开始点的平均位置位于中间层中。
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公开(公告)号：CN113196880B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN201880100165.2
申请日：2018-12-10
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 上田吉裕
IPC: H05B33/14 , H10K50/115
Abstract: 发光元件(2)依次具备阳极(4)、作为p型半导体层的空穴输送层(6)、含有13族元素的n型半导体层(7)、含有量子点(16)的发光层(8)、电子输送层(10)和阴极(12)。
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公开(公告)号：CN114430934B
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN201980100677.3
申请日：2019-09-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H05B33/14 , G09F9/30 , H10K59/121 , H10K59/122
Abstract: 发光装置具备:第一子像素，设置有第一发光元件；以及第二子像素，设置有第二发光元件，与所述第一子像素一起构成多个像素中的一个像素，所述第一发光元件具有第一阴极、第一阳极以及第一发光层，所述第一发光层包含第一量子点且设于所述第一阴极和所述第一阳极之间，所述第二发光元件具有第二阴极、第二阳极以及第二发光层，所述第二发光层包含第二量子点且设置于所述第二阴极和所述第二阳极之间，所述第二量子点发出比所述第一量子点的发光波长长的光，所述第一发光层的厚度比所述第二发光层的厚度厚。
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公开(公告)号：CN113647199A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201980095258.5
申请日：2019-04-12
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 上田吉裕
Abstract: 提供在发光层中包含量子点的发光元件中,使电子以及空穴的注入效率提高,并提高发光效率的技术。在基板上具有：阳极；阴极；量子点层,设于所述阳极与所述阴极之间,层叠有发光性的多个第一量子点及非发光性的多个第二量子点；空穴传输层,设置于所述阳极与所述量子点层之间；以及电子传输层,设置于所述阴极与所述量子点层之间，多个所述第二量子点比所述空穴传输层侧更多地设置在所述电子传输层侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107863426B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201710851492.9
申请日：2017-09-19
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种氮化铝系半导体深紫外发光元件，包括导电性支承基板、空孔率为10％以上50％以下且具有导电性的大孔结构的多孔质金属膜、及包括发光层的氮化铝系半导体层结构体，导电性支承基板与氮化铝系半导体层结构体夹着多孔质金属膜以电连接的方式接合，发光峰值波长为220nm以上300nm以下。由此，能够提供发光效率较高且成品率得到改善的纵型结构的氮化铝系半导体深紫外发光元件。
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公开(公告)号：CN114391187B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN201980100150.0
申请日：2019-09-26
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 一种场致发光元件(XR)，包括阳极(22)；阴极(25)；以及发光层，其设置于阳极(22)和阴极(25)之间，还包括：电子传输层(33)，其包含n型半导体颗粒(36)和第一绝缘性聚合物(37)；以及空穴传输层(30)，其包含p型半导体颗粒(34)，电子传输层(33)设置在阴极(25)与发光层之间，空穴传输层(30)设置于阳极(22)和发光层之间，电子传输层(33)中n型半导体颗粒(36)的体积比例小于空穴传输层(30)中p型半导体颗粒(34)的体积比例。
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公开(公告)号：CN113647199B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201980095258.5
申请日：2019-04-12
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 上田吉裕
IPC: H05B33/14 , G09F9/30 , H10K50/115 , H10K50/155 , H10K50/165 , H05B33/10
Abstract: 提供在发光层中包含量子点的发光元件中,使电子以及空穴的注入效率提高,并提高发光效率的技术。在基板上具有：阳极；阴极；量子点层,设于所述阳极与所述阴极之间,层叠有发光性的多个第一量子点及非发光性的多个第二量子点；空穴传输层,设置于所述阳极与所述量子点层之间；以及电子传输层,设置于所述阴极与所述量子点层之间，多个所述第二量子点比所述空穴传输层侧更多地设置在所述电子传输层侧。
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