公开(公告)号：CN1080938C

公开(公告)日：2002-03-13

申请号：CN96120192.4

申请日：1996-09-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福永直树 ,  久保胜

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/103

CPC classification number: H01L31/103 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/50

Abstract: 光接收元件包括：第一导电类型的半导体衬底；形成于第一导电类型半导体衬底表面预定区域的第二导电类型的第一半导体层；至少一块其形成方式是从第二导电类型的第一半导体层的上表面延伸至第一导电类型的半导体衬底表面的第一导电类型半导体区域，其中，形成于第一导电类型半导体衬底的耗尽层的深度Xd与第一导电类型的半导体区域对第一导电类型半导体衬底的扩散深度Xj之间的关系设置成在施加一个反向偏压时满足Xd≥Xj。

公开(公告)号：CN1151614A

公开(公告)日：1997-06-11

申请号：CN96120192.4

申请日：1996-09-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福永直树 ,  久保胜

IPC: H01L31/00

CPC classification number: H01L31/103 ,  H01L27/1446 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种光接收元件，包括：第一导电类型的半导体衬底；形成于第一导电类型半导体衬底表面预定区域的第二导电类型的第一半导体层；以及至少一块其形成方式是从第二导电类型的第一半导体层的上表面延伸至第一导电类型的半导体衬底表面的第一导电类型半导体区域，其中第一导电类型半导体衬底的电阻率设定为在施加反向偏压时形成于第一导电类型半导体衬底的耗尽层深度Xd与第一导电类型的半导体区域的扩散深度Xj之间满足Xd≥Xj的关系。