液晶显示装置
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112305819B

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202010712534.2

    申请日:2020-07-22

    Abstract: 液晶显示装置具备有源矩阵基板、对置基板、液晶层。有源矩阵基板具有:顶栅型的氧化物半导体TFT,其被第一基板支承且配置于各像素;多个栅极布线,其由与氧化物半导体TFT的栅极电极相同的导电膜形成并沿行方向延伸;多个源极布线,其沿列方向延伸且位于比多个栅极布线更靠第一基板侧;以及层间绝缘层,其覆盖多个栅极布线以及氧化物半导体TFT。对置基板具有设置在第二基板上的多个柱状间隔件。各柱状间隔件配置在栅极布线和源极布线交叉的交叉区域。有源矩阵基板的液晶层侧的表面具有:与多个栅极布线重叠的多个第一隆起部和与多个源极布线重叠的多个第二隆起部。

    头戴式显示器用显示装置和头戴式显示器

    公开(公告)号:CN111796421A

    公开(公告)日:2020-10-20

    申请号:CN202010237982.1

    申请日:2020-03-30

    Abstract: 本发明提供一种在使设置在间隔物的配置位置的遮光部难以从视觉上被辨认的同时提高亮度,并抑制耗电量的增加的头戴式显示器用显示装置和头戴式显示器。头戴式显示器(HMD)用显示装置(10)包括并列配置的第一显示面板(20A)与第二显示面板(20B),第一显示面板(20A)和第二显示面板(20B)分别具有表面内被划分成显示区域(A1)和非显示区域(A2)的一对基板(21、22)和介于基板(21、22)之间的柱状间隔物(25),并且在基板(21)中设有与间隔物(25)重叠的间隔物遮光部(55),间隔物遮光部(55)在显示区域(A1)中的配置位置在第一显示面板(20A)与第二显示面板(20B)中不一致。

    有源矩阵基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN110299368A

    公开(公告)日:2019-10-01

    申请号:CN201910223418.1

    申请日:2019-03-22

    Inventor: 吉田圭介

    Abstract: 提供能具有高像素开口率和/或高清晰度的有源矩阵基板。有源矩阵基板的各像素具备TFT,TFT具有:半导体层;栅极电极;下部绝缘层;及源极电极和漏极电极,其分别在源极开口部内和漏极开口部内与半导体层接触,漏极电极包含:第1部分,其与半导体层中的露出部分的仅一部分接触;第2部分,其位于漏极开口部的侧面;及第3部分,覆盖TFT的上部绝缘层具有上部开口部,在从基板的法线方向来看时,上部开口部和漏极开口部位于半导体层的内部,且漏极电极与漏极开口部的仅一部分及上部开口部的仅一部分重叠,像素电极在包含上部开口部和漏极开口部的接触孔内与漏极电极的至少第1部分和第2部分、及半导体层的露出部分的另一部分直接接触。

    显示装置
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109669306A

    公开(公告)日:2019-04-23

    申请号:CN201811180700.8

    申请日:2018-10-09

    Inventor: 吉田圭介

    Abstract: 本发明提供一种即使是大型及高精细的显示装置也能高速驱动栅极线的技术。显示装置中的有源矩阵基板(2)包括:多个栅极线(GLa)、相对于栅极线(GLa)至少设置一个以上的多个子栅极线(GLb)、以及设置于边框区域的第一驱动部(30a_L、30a_R)和第二驱动部(30b)。第一驱动部(30a_L、30a_R)从栅极线(GLa)的两端供给扫描信号。第二驱动部(30b)具有从子栅极线(GLb)的至少一端供给扫描信号的n个(n为自然数)驱动电路。多个栅极线GLa与多个子栅极线(GLb)在显示区域内连接。

    液晶显示装置
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101553755A

    公开(公告)日:2009-10-07

    申请号:CN200780045547.1

    申请日:2007-12-11

    CPC classification number: G02F1/1362 G02F2001/13606

    Abstract: 提供一种液晶显示装置,其能够抑制由于相邻的像素中的一方受另一方的像素电位变动的影响而导致显示图像的画面质量降低的情况。使用具备设有像素电极和用于驱动像素电极的多个TFT的阵列基板的液晶显示装置。TFT被配置在与其驱动对象的像素电极相邻的其它像素电极的正下方区域中。另外,TFT具有设有扩散层的硅膜以及隔着绝缘膜设置在硅膜上层的栅极电极。硅膜跨越形成在从TFT的驱动对象的像素电极的正下方区域到像素电极的正下方区域中。而且,硅膜通过位于TFT的驱动对象的像素电极的正下方区域的部分与TFT的驱动对象的像素电极电连接。

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