公开(公告)号：CN113363317B

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202110628051.9

申请日：2021-06-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱颢 ,  杨雅芬 ,  张凯 ,  孙清清

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/34 ,  H01L21/44

Abstract: 本发明公开一种负量子电容器件及其制备方法。该负量子电容器件包括：衬底；埋栅，形成在所述衬底中，其上表面与所述衬底上表面持平；高K介质层/石墨烯层/高K介质层叠层，形成在所述埋栅上，其中，石墨烯层封装在两层高K介质层之间，位于所述埋栅上方，其长度与所述埋栅长度相当，小于所述高K介质层的长度；二维材料层，形成在所述高K介质层上作为沟道；源电极和漏电极，分别形成在所述衬底上、所述二维材料层两侧，并部分覆盖所述二维材料层，且与埋栅无重叠。石墨烯层提供负量子电容，使器件内部总电容放大，能够有效降低亚阈值摆幅，提高器件的开关速度。

公开(公告)号：CN113363316A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110628040.0

申请日：2021-06-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱颢 ,  张凯 ,  杨雅芬 ,  孙清清

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/34 ,  H01L21/44

Abstract: 本发明公开一种二维负量子电容晶体管器件及其制备方法。该二维负量子电容晶体管器件包括：衬底；埋栅，形成在所述衬底中，其上表面与所述衬底上表面持平；第三代拓扑绝缘体层，形成在所述埋栅上，长度与所述埋栅相当；高K介质层，覆盖所述第三代拓扑绝缘体层；二维沟道层，形成在所述高K介质层上，且与所述第三代拓扑绝缘体层有共同区域；源电极和漏电极，分别形成在所述衬底上、所述二维沟道层两侧，并部分覆盖所述二维沟道层，且与所述埋栅无重叠，其中，所述拓扑绝缘体层提供负量子电容，从而使栅极总电容增大，降低亚阈值摆幅。