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发明公开
使用堆叠的N型和P型纳米片的具有互补电容匹配的NCFET 审中-实审

公开(公告)号：CN116569321A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180080239.2

申请日：2021-12-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 安藤崇志 , R·维加 , 池澄 , P·阿杜萨米利

IPC: H01L21/8238

Abstract: 提供了一种负电容场效应晶体管(NCFET)器件(100)。该NCFET器件包括衬底(102)和形成在该衬底上的晶体管堆叠结构(PFET，NFET)。该纳米片堆叠结构包括PFET区域和NFET区域，该PFET区域包括pWF金属层堆叠(124)并且该NFET区域包括nWF金属层堆叠(126)。该NCFET器件还包括形成在晶体管堆叠结构上的电介质界面层(122)，该电介质界面层包括金属诱发的氧空位，并且该电介质界面层形成在晶体管堆叠结构的一部分上。该NCFET器件还包括形成在该电介质界面层上的顶部电极(130)。

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