-
公开(公告)号：CN103663556A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310676420.7
申请日：2013-12-11
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种A相二氧化钒纳米线的制备方法，由于表面活性剂的加入使中间相B可以快速的转变为A相二氧化钒，并形成形貌、长径比优异的A相二氧化钒纳米线，所制得的A相二氧化钒纳米线非常纯而且非常稳定的。该制备方法采用的原料简单，操作方便，容易控制，产物结晶好，所得纳米线可以广泛用于电池、储氢和光电开关等领域。
-
公开(公告)号：CN106252509B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201610836256.5
申请日：2016-09-20
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种基于有机铁电P(VDF‑TrFE)薄膜的电阻开关存储器。所述电阻开关存储器包括：衬底、衬底上的阻变介质层以及阻变介质层上的电极膜；其中，阻变介质层为P(VDF‑TrFE)薄膜。本发明还提供了一种制备所述电阻开关存储器的方法，通过控制溶胶凝胶配制、甩膜速度和退火条件，可以得到性能优异的电阻开关薄膜。本发明所涉及的主要生长条件为：溶剂的选用、搅拌速度和温度、静置时间、甩膜速率、基底、退火时间和条件。本发明相比于常见的电阻开关最大的特点是阻变大、循环和疲劳性能优异。制备P(VDF‑TrFE)薄膜所需的原料简单，操作方便，容易控制，产物结晶好，制备温度低，无毒且环境友好，适合大规模生产，所得薄膜可被广泛用于电子器件，尤其是电阻开关存储。
-
公开(公告)号：CN108018523A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711241702.9
申请日：2017-11-30
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: C23C14/02 , C23C14/08 , C23C14/34 , C25D11/10 , C25D11/12 , C25D11/16 , C23C28/04 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种使用脉冲激光沉积技术生长锆钛酸铅(PZT)纳米环的方法。本发明使用脉冲激光沉积方法，通过精确控制沉积温度、退火温度、退火时间、激光脉冲数、氧气压力等参数，实现了锆钛酸铅(PZT)纳米环的制备。该方法能够制备得到规则排列的锆钛酸铅(PZT)纳米环，并且参数控制简便，重复性高，无有毒害废气排放。本发明为未来高密度铁电存储器件的应用提供了可能。
-
公开(公告)号：CN106252509A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610836256.5
申请日：2016-09-20
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/14 , H01L45/1608
Abstract: 本发明提供了一种基于有机铁电P(VDF-TrFE)薄膜的电阻开关存储器。所述电阻开关存储器包括：衬底、衬底上的阻变介质层以及阻变介质层上的电极膜；其中，阻变介质层为P(VDF-TrFE) 薄膜。本发明还提供了一种制备所述电阻开关存储器的方法，通过控制溶胶凝胶配制、甩膜速度和退火条件，可以得到性能优异的电阻开关薄膜。本发明所涉及的主要生长条件为：溶剂的选用、搅拌速度和温度、静置时间、甩膜速率、基底、退火时间和条件。本发明相比于常见的电阻开关最大的特点是阻变大、循环和疲劳性能优异。制备P(VDF-TrFE)薄膜所需的原料简单，操作方便，容易控制，产物结晶好，制备温度低，无毒且环境友好，适合大规模生产，所得薄膜可被广泛用于电子器件，尤其是电阻开关存储。
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.028 seconds)
