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公开(公告)号：CN116844983A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310818398.9
申请日：2023-07-05
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
IPC: H01L21/603
Abstract: 本发明提供了一种可在空气条件下实现芯片低温固相连接的方法，包括如下步骤：步骤S1，对芯片和基板的表面进行清洗、干燥；步骤S2，在芯片的背面沉积一层纳米金属层；在基板沉积一层纳米金属层，所述纳米金属层为纳米Ag镀层或纳米Au镀层；步骤S3，将芯片置于基板上，并使芯片的纳米金属层与基板的纳米金属层相对，形成从上至下依次为芯片、芯片上纳米金属层、基板上纳米金属层、基板的封装结构；步骤S4，将装配好的封装结构放入热压扩散焊设备中在空气气氛下进行热压保温后，冷却至室温，完成互连，其中所述热压温度不超过300度。采用本发明的技术方案得到的接头互连界面结合良好，连接层致密无孔隙缺陷，导热性好，强度高。
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