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公开(公告)号：CN117025181A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311004538.5
申请日：2023-08-10
Applicant: 扎赉诺尔煤业有限责任公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: C09K5/12
Abstract: 一种利用褐煤与硅溶胶反应制备SiC基储热材料的方法，它涉及一种制备SiC基储热材料的方法。本发明要解决现有SiC基储热材料制备成本高昂，对设备需求度高的问题。制备方法：一、称取；二、制备混合浆料；三、制备褐煤/纳米SiO2混合粉体；四、制备胚体；五、浸入融盐。本发明用于利用褐煤与硅溶胶反应制备SiC基储热材料。
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公开(公告)号：CN116902984A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311004551.0
申请日：2023-08-10
Applicant: 扎赉诺尔煤业有限责任公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/984 , C01B32/97 , B82Y40/00
Abstract: 一种利用褐煤制备SiC纳米线的方法及应用，它涉及一种制备SiC纳米线的方法及应用。本发明要解决现有纯相SiC纳米线合成方法存在成本高、操作复杂的问题。制备方法：一、将硅粉和石英砂球磨混合并过筛处理；二、将硅粉和石英砂的混合物置于石墨坩埚中并盖上盖板；三、高温反应。本发明用于利用褐煤制备SiC纳米线的方法及应用。
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公开(公告)号：CN111041421B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201911395862.8
申请日：2019-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种形状记忆合金径向梯度薄膜及其制备方法，属于功能梯度形状记忆合金薄膜领域。本发明要解决狭小空间中需要薄膜具备微小型、高致密性的技术问题。本发明方法：一、Si片依次用去离子水、丙酮、无水乙醇超声清洗；二、通过光刻技术将设计的图形转移到步骤一处理后的Si片上，保证Si片凹槽深度是薄膜单层厚度的奇数倍；三、采用双靶溅射的方式，在惰性气体保护下将Ti和Ni交替溅射到步骤二处理后的Si基片上，磨平；四、然后旋涂PMMA，再置于HF溶液中去除Si片，将突出部分磨平；五、然后置于丙酮溶液中去除PMMA；六、重结晶退火。本发明应用于生物医疗、航空航天等领域，传统记忆合金一般会实现单方向的弯曲，径向梯度薄膜可以实现多方向的弯曲。
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公开(公告)号：CN112662204B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202011537554.7
申请日：2020-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09C1/56 , H01M4/62 , H01M10/052
Abstract: 一种用于锂硫电池的多孔/类空心状碳黑材料的制备方法，涉及一种碳黑材料的制备方法。目的是解决现有的多孔/空心碳材料制备时刻蚀及高温烧结造成生产成本及工艺复杂性提高的问题。本发明方法：取碳黑材料和浓硝酸，将浓硝酸加入到反应釜中，然后将碳黑材料置于隔板上，隔板置于浓硝酸中且隔板上表面高于浓硝酸的液面，关闭反应釜，进行水热反应，水热反应完成后用去离子水洗涤固体产物，然后抽滤至滤出液为中性和无色，收集抽滤后的固体产物并干燥，即得到多孔/类空心状碳黑材料。本发明能够在碳黑颗粒内部可形成多孔或类空心状结构，能够用作锂硫电池硫载体，制备方法简单，成本低。本发明适用于制备用于锂硫电池的碳材料。
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公开(公告)号：CN119195345A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411709022.5
申请日：2024-11-27
Applicant: 中建科工集团绿色科技有限公司 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明实施例提供了高层钢结构模块建筑，其包括耗能剪力墙、钢结构模块主体、连接组件以及若干钢结构模块箱体；若干钢结构模块箱体堆叠设置形成钢结构模块主体，耗能剪力墙设置在钢结构模块主体上；相邻的两个钢结构模块箱体之间通过连接组件固定连接；耗能剪力墙包括若干子墙体；若干子墙体自上而下连续设置且相邻两个子墙体之间通过连接组件刚性连接；若干子墙体中每一子墙体均包括钢板以及边柱，钢板以及边柱均与钢结构模块箱体连接。本发明的实施例，不仅通过连接组件竖向连接相邻两个子墙体以及钢结构模块箱体，以确保连续的传力路径，还在钢板和边柱的共同作用下，提高了高层钢结构模块整体的抗侧刚度和耗能性能，实现了结构高度的提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101635364B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200910304358.2
申请日：2009-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02P70/56
Abstract: 阳极支撑体电解质复合膜的制备方法，它涉及一种电解质膜的制备方法。本发明解决了现有共烧结法制备的YSZ/SDC双层电解质膜容易开裂、成品率低、单电池开路电压低的问题。本发明方法如下：制备阳极支撑体；YSZ电解质膜的印刷；阳极支撑体YSZ电解质膜的烧结；YSZ+SDC过渡层的印刷；YSZ+SDC过渡层的烧结；SDC电解质膜的印刷；SDC电解质膜的烧结，即得阳极支撑体电解质复合膜。本发明方法在烧结时过渡层的两种材料相互抑制晶粒长大，起到了缓冲的作用，避免了膜开裂的问题，阳极支撑体电解质复合膜的成品率为70％～90％，由阳极支撑体电解质复合膜制备的单电池开路电压为1.06V。
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公开(公告)号：CN101635364A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200910304358.2
申请日：2009-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02P70/56
Abstract: 阳极支撑体电解质复合膜的制备方法，它涉及一种电解质膜的制备方法。本发明解决了现有共烧结法制备的YSZ/SDC双层电解质膜容易开裂、成品率低、单电池开路电压低的问题。本发明方法如下：制备阳极支撑体；YSZ电解质膜的印刷；阳极支撑体YSZ电解质膜的烧结；YSZ+SDC过渡层的印刷；YSZ+SDC过渡层的烧结；SDC电解质膜的印刷；SDC电解质膜的烧结，即得阳极支撑体电解质复合膜。本发明方法在烧结时过渡层的两种材料相互抑制晶粒长大，起到了缓冲的作用，避免了膜开裂的问题，阳极支撑体电解质复合膜的成品率为70％～90％，由阳极支撑体电解质复合膜制备的单电池开路电压为1.06V。
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公开(公告)号：CN116924807A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311004545.5
申请日：2023-08-10
Applicant: 扎赉诺尔煤业有限责任公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/65 , C04B35/626 , H01Q17/00
Abstract: 一种利用褐煤与硅反应制备SiC基粉体的方法及应用，它涉及一种制备SiC基粉体的方法及应用。本发明要解决现有SiC制备成本高、生产效率低的问题，同时解决褐煤的低效利用及对环境污染的问题。制备方法：一、将褐煤和硅源球磨混合并过筛，得到混合物；二、将混合物高温反应；三、球磨和过筛。本发明用于利用褐煤与硅反应制备SiC基粉体的方法及应用。
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公开(公告)号：CN101740797A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910312221.1
申请日：2009-12-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M8/10
Abstract: 一种废弃复合电解质膜中阳极支撑体再利用的方法，它涉及一种阳极支撑体再利用的方法。本发明解决了采用丝网印刷制备复合电解质膜，烧结后发生开裂的膜会被连同它的阳极支撑体一起废弃掉，导致浪费物力，人力且增加成本的问题。方法：一、将废弃复合电解质膜中阳极支撑体上的开裂的SDC膜清除，得带有YSZ膜的平整的阳极支撑体；二、将SDC电解质浆料印刷于带有YSZ膜的平整的阳极支撑体上，干燥成膜，再重复印刷、干燥步骤，得印有SDC电解质膜的阳极支撑体；三、放入马福炉中，保温烧结，随炉冷却至室温，即完成。本发明将废弃复合电解质膜中阳极支撑体进行再利用，减少了工艺过程中的浪费，节约人力物力，降低成本且膜致密性好。
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公开(公告)号：CN116903377B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202311004539.X
申请日：2023-08-10
Applicant: 扎赉诺尔煤业有限责任公司 , 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/577 , C04B35/622 , C04B38/06
Abstract: 一种利用褐煤与气相二氧化硅制备SiC基多孔材料的方法，它涉及一种制备SiC基多孔材料的方法。本发明要解决现有制备SiC基多孔材料存在高成本、工艺复杂、设备要求严格的问题。制备方法：一、称取；二、制备混合浆料；三、制备胚体；四、排胶；五、高温烧结。本发明用于利用褐煤与气相二氧化硅制备SiC基多孔材料。
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