公开(公告)号：CN116335906A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310434534.4

申请日：2023-04-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李鸿 ,  曾德迈 ,  廉慧彬 ,  丁永杰 ,  魏立秋 ,  于达仁

IPC: F03H1/00

Abstract: 一种高性能中置阴极霍尔推力器，包含隔热支架和阴极隔热壳；所述外磁屏为顶部开口而底部封闭的双环结构，所述外线圈固定在外磁屏内，所述外磁极固定在外磁屏的顶部；外磁屏、外磁极及外线圈形成导磁罩磁路的外励磁；所述隔热支架为顶部开口而底部封闭的双环结构，并固定在底板的上表面上，放电通道布置在隔热支架的内外环之间，且隔热支架的外环与外磁屏在轴向上与径向上均设有间隙，隔热支架的内环与内磁屏在径向上设有间隙，阴极隔热壳穿过底板并固定在底板上，并设置在阴极与内磁芯之间。本发明降低霍尔推力器磁路温度，提高推力器的热稳定性。

公开(公告)号：CN113266542B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202110730292.4

申请日：2021-06-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李鸿 ,  曾德迈 ,  丁永杰 ,  魏立秋 ,  于达仁

IPC: F03H1/00

Abstract: 一种霍尔推力器磁路散热结构，涉及霍尔推力器技术领域，针对现有技术中霍尔推力器整体温度高的问题，本申请增加霍尔推力器散热能力的结构，采用镂空外磁屏并通过隔热支架将放电通道与底板分开，改变霍尔推力器的热量传递路径，使得放电通道内产生的热量直接通过隔热支架向环境传递，降低霍尔推力器整体温度，其中底板温度下降最为明显。本发明所提出的增加霍尔推力器散热能力的结构，保证了磁场分布几乎不变且推力器总体质量几乎不变的前提下，可以自由调节通道长度，减少放电通道的整体轴向长度，并降低了霍尔推力器整体的温度。

公开(公告)号：CN113374662B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202110733039.4

申请日：2021-06-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李鸿 ,  曾德迈 ,  丁永杰 ,  魏立秋 ,  于达仁

IPC: F03H1/00

Abstract: 一种改变中置阴极背景磁场的磁路结构，涉及霍尔推力器技术领域，针对现有技术中置阴极方案的霍尔推力器的阴极背景磁场强度影响发动机放电性能，导致降低了发动机的效率的问题，本申请采用中置励磁线圈的方式，改变中置阴极的背景磁场，以减少阴极发射的电子束跨越磁力线的阻力，从而降低耦合压降。本发申请所提出的磁路形成的中轴线磁场，可以通过调节中置线圈的励磁电流实现中轴线上最大磁场强度、阴极上端面处磁场强度、阴极上端面处磁场梯度的连续调节。其中阴极上端面处磁场强度在‑21％到21％范围内连续可调，阴极上端面处磁场梯度在‑28％到28％范围内连续可调，进而降低了背景磁场对中置阴极影响，进而解决了降低发动机效率的问题。

公开(公告)号：CN112943572B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN202110307639.4

申请日：2021-03-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李鸿 ,  曾德迈 ,  丁永杰 ,  魏立秋 ,  于达仁

IPC: F03H1/00

Abstract: 一种改变霍尔推力器磁场后加载程度的磁路结构，涉及磁路设计技术领域，针对现有技术中加速区高能离子对放电通道壁面的溅射侵蚀使得霍尔推力器寿命低的问题，本发明所提出的磁路形成的磁场正梯度强磁场区位于通道外，且可以通过改变磁路结构实现不同后加载程度。可以大幅度改变通道内磁场强度分布，后加载程度可在0‑50％范围内连续可调节，可控制场强峰值位于通道出口内部或外部，进而延长了霍尔推力器的寿命。

公开(公告)号：CN112943572A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110307639.4

申请日：2021-03-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李鸿 ,  曾德迈 ,  丁永杰 ,  魏立秋 ,  于达仁

IPC: F03H1/00

Abstract: 一种改变霍尔推力器磁场后加载程度的磁路结构，涉及磁路设计技术领域，针对现有技术中加速区高能离子对放电通道壁面的溅射侵蚀使得霍尔推力器寿命低的问题，本发明所提出的磁路形成的磁场正梯度强磁场区位于通道外，且可以通过改变磁路结构实现不同后加载程度。可以大幅度改变通道内磁场强度分布，后加载程度可在0‑50％范围内连续可调节，可控制场强峰值位于通道出口内部或外部，进而延长了霍尔推力器的寿命。