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公开(公告)号：CN102080268A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010577103.6
申请日：2010-12-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明具体涉及一种有序排列的In2O3纳米纤维及在用于制备超快响应酒精半导体传感器方面的应用，属于一维纳米金属氧化物材料的制备及其半导体气体传感器技术领域。利用可溶性的硝酸盐、高分子材料和溶剂制成前驱液，采用磁场诱导静电纺丝技术制备有序排列的复合纳米纤维，然后经过高温烧结，除去有机高分子模板，得到有序排列的In(NO3)3纳米纤维。利用有序排列的In(NO3)3纳米纤维和平面氧化铝基底结构制成的酒精气体传感器，在工作温度为275℃时对酒精气体的响应时间为0.4s，恢复时间为3s，传感器的可逆性和重复性好，远远优越于同种纳米粉体材料酒精传感器。本发明工艺简单，成本低，产量高。
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公开(公告)号：CN102072927A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010540888.X
申请日：2010-11-12
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于湿度传感器制备技术领域，具体涉及一种利用电纺丝技术制备快响应、宽量程陶瓷基纳米纤维湿度传感器的方法。是以可溶性金属盐、酯、导电高分子聚合物和有机溶剂为原料，采用静电纺丝技术，制备含导电高分子和复合金属氧化物前驱体的复合纤维，然后将该纤维煅烧除去高分子有机成分，从而得到陶瓷基鈣钛矿型复合金属氧化物纳米纤维。本发明制备的一维超长连续的鈣钛矿型复合金属氧化物陶瓷纳米纤维湿度传感器，具备测湿量程宽、湿滞小、线性度高、响应恢复快等优点。该方法适用于各种可溶性金属盐为原料的陶瓷氧化物和复合氧化物，具有设备简单、性能良好、成本低廉、易于推广等优点，可满足工业技术的要求，在工业、农业、储藏、气象等领域中有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN100470763C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200710056020.0
申请日：2007-08-31
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/84
Abstract: 本发明属于平板显示驱动技术领域，具体涉及一种有源驱动有机电致发光显示屏中多晶硅TFT阵列的制作方法。首先是制作多晶硅薄膜，然后光刻形成TFT区、电容下极板区、有机电致发光二极管的阳极区和重掺杂多晶硅的连线；制作栅绝缘层之后光刻形成过孔，用于连接多晶硅和金属；再溅射金属，光刻金属，形成金属栅极和金属连线，同时给电容下极板掺杂区开出掺杂窗口，之后再利用自对准进行掺杂，对TFT的源漏电极，多晶硅短线互连区，电容下极板需要掺杂区进行重(BH3)P型掺杂；最后制备绝缘层、发光窗口、OLED发光层。本发明所述方法的整个工艺过程只需要4次光刻，与通常的Poly-Si TFT工艺过程相比减少2次以上，具有工艺简单的优良效果。
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公开(公告)号：CN1316633C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200410010983.3
申请日：2004-07-08
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明涉及多栅双沟道结构多晶硅薄膜晶体管，包括：绝缘基底(1)、SiO2缓冲层(51)、上绝缘层(53)、在上绝缘层(53)内的两个顶栅电极(24)、漏区(3)、源区(4)；此外，SiO2缓冲层(51)上还生长有一层下绝缘层(52)，在下绝缘层(52)内有底栅电极(23)，底栅电极(23)与顶栅电极(24)通过栅电极连接孔(25)连接；在下绝缘层(52)上生长有多晶硅薄膜形成的沟道(6)。本发明的TFT器件与在同样条件下制备的TFT有着同量级关态漏电流的同时，具有开态电流增加一倍、相同宽长比TFT驱动负载能力增大、提供同样电流在集成矩阵中占更小面积、有效提高开口率等优良效果。
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