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公开(公告)号：CN113387902A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110834107.6
申请日：2020-01-17
Applicant: 吉林大学
IPC: C07D259/00
Abstract: 本发明涉及高能量密度材料制备的技术领域，提供了一种限域高密度无水碱金属聚合氮Pmn21‑NaN5的高温高压制备方法。本发明以限域在氮化硼纳米管中的叠氮化钠为起始物，经过高压及激光加热处理，获得在高压下稳定存在的限域高密度无水碱金属聚合氮Pmn21‑NaN5。本发明提供的方法步骤简单，易于操作，首次实现了限域高密度无水碱金属聚合氮Pmn21‑NaN5的高温高压制备，为新型无水碱金属聚合氮的实验制备提供了有效的技术途径。
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公开(公告)号：CN111233778B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202010053376.4
申请日：2020-01-17
Applicant: 吉林大学
IPC: C07D259/00
Abstract: 本发明涉及高能量密度材料制备的技术领域，提供了一种限域高密度无水碱金属聚合氮NaN5的高温高压制备和常压截获方法。本发明以限域在氮化硼纳米管中的叠氮化钠为起始物，经过高压处理，获得在高压下稳定存在的限域高密度无水碱金属聚合氮Cm‑NaN5；经过高压及激光加热处理，获得在高压下稳定存在的限域高密度无水碱金属聚合氮Pmn21‑NaN5；经过高压及激光加热处理后卸压，获得在常压下稳定存在的限域高密度无水碱金属聚合氮P2/c‑NaN5。本发明方法简单，易于操作，首次实现了限域高密度无水碱金属聚合氮NaN5的高温高压制备和常压截获，为新型无水碱金属聚合氮的实验制备提供了有效的技术途径。
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公开(公告)号：CN112088295A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202080001240.7
申请日：2020-07-13
Applicant: 吉林大学
IPC: G01L1/24
Abstract: 本申请提供了一种压力测量系统。该系统可以包括传感组件、光源、荧光处理组件和压力测量组件。传感组件可以被配置用于接收待测压力。传感组件可以包括含6‑酰基‑2‑萘胺衍生物的荧光材料。光源可以被配置用于向传感组件发射激光。荧光处理组件可以被配置用于测定与荧光相关的荧光数据，所述荧光由传感组件对所述激光响应而产生。压力测量组件可以被配置用于基于荧光数据确定与所述待测压力相关的压力数据。
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公开(公告)号：CN109573966A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201910057949.8
申请日：2019-01-22
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/08 , C01B21/064 , B82Y40/00 , B82Y30/00
CPC classification number: C01B21/08 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B21/0648 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/82 , C01P2002/85 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/13 , C01P2004/82
Abstract: 本发明涉及限域纳米复合材料技术领域，尤其涉及一种NaN3@BNNTs限域纳米复合材料及其制备方法。本发明提供的NaN3@BNNTs限域纳米复合材料，叠氮化钠被限域于氮化硼纳米管中，所述叠氮化钠与氮化硼纳米管之间具有微弱的相互作用，使叠氮化钠能够稳定存在，解决了叠氮化钠的安全存储问题。
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公开(公告)号：CN118444120A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410708185.5
申请日：2024-06-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种通过压力调控三碘化铋导电类型并基于光电流检测的方法，属于半导体器件技术领域，主要步骤包括：在金刚石对顶砧的压腔内插入绝缘层并在绝缘层上方放入半导体三碘化铋，在三碘化铋上放置两个平行的钼作为电极，通过铜线与数字源表相连，在指定的压力点利用激光光源间歇照射半导体三碘化铋与电极接触界面处，记录间歇照射过程中每个压力点的电流—时间曲线，根据所述电流—时间曲线的方向确定半导体的导电类型。本发明通过控制压力实现在单一材料内部实现载流子类型的切换，且通过较为简单的光电流测量就可以判断半导体三碘化铋的导电类型，摆脱了较为昂贵的霍尔测量设备的限制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117227240B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311514706.5
申请日：2023-11-15
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种大腔体压机可控快速加压技术，属于高压实验技术领域，包括正八面体部件、堵头、金刚石柱和标压物质，其中正八面体部件开设有两端开口的空腔，标压物质放置在空腔内，空腔两端的开口通过具有导电功能的堵头进行封堵，标压物质与堵头之间设有金刚石柱；通过在标压物质与堵头之间设置金刚石柱，利用金刚石柱硬度较大，传压效率优于普通陶瓷堵头的特性，提高样品腔的升压效率；采用先向加载装置预充压力，再向加压模具快速释放的加载方法，与改进后的传压组件相配合，缩短了样品腔的压力加载时间，使之能达到毫秒级，弥补了现有技术中对介于静高压和动高压之间的压力加载过程研究不足的缺陷，推动了高压实验科学的进一步发展。
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公开(公告)号：CN117288591A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311225830.X
申请日：2023-09-21
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于大腔体压机技术领域，具体涉及一种大腔体压机形变压力标定方法。本发明提供了一种大腔体压机形变压力标定方法，包括以下步骤：在斜角堵头表面沉积导电层，得到导电斜角堵头；将导电斜角堵头、钼柱、氧化镁管、氧化镁样品仓、氧化镁八面体和标压物质装配后置于大腔体压机中进行大腔体压机压力矫正实验。本发明创新性的改良大腔体压机内部组装，在产生斜角的绝缘堵头表面沉积导电层，获得导电性良好的剪切组装体，进而实现大腔体压机形变压力标定。
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公开(公告)号：CN116558944A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310847124.2
申请日：2023-07-12
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开一种基于金刚石对顶砧气膜驱动快速增压装置，涉及快速增压设备研制领域，包括：气膜片、金刚石对顶砧压机、硬质钢外壳和气体释放组件；气膜片与金刚石对顶砧压机位于硬质钢外壳内部，气膜片位于金刚石对顶砧压机下方，硬质钢外壳上方设置第一开口，硬质钢外壳下方设置第二开口；气体释放组件穿过硬质钢外壳的第二开口与气膜片气路连接，气体释放组件用于在标压实验中以第一充气速度释放气体，并以不同驱动压力对气膜片进行充气，并得到压力标定曲线；气体释放组件用于在加压实验中依据压力标定曲线预设驱动压力，以第二充气速度对气膜片进行充气。本发明通过气体释放组件实现快速增压效果，降低了快速增压装置的实验成本。
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公开(公告)号：CN113387901B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202110831146.0
申请日：2020-01-17
Applicant: 吉林大学
IPC: C07D259/00
Abstract: 本发明涉及高能量密度材料制备的技术领域，提供了一种限域高密度无水碱金属聚合氮Cm‑NaN5的高压制备方法。本发明以限域在氮化硼纳米管中的叠氮化钠为起始物，经过高压处理，获得在高压下稳定存在的限域高密度无水碱金属聚合氮Cm‑NaN5。本发明提供的方法步骤简单，易于操作，首次实现了限域高密度无水碱金属聚合氮Cm‑NaN5的高压制备，为新型无水碱金属聚合氮的实验制备提供了有效的技术途径。
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公开(公告)号：CN114408878A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210026419.9
申请日：2022-01-11
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/06 , C07D259/00
Abstract: 本发明提供了一种钠五唑的高温高压制备和低温常压截获方法，属于富氮材料制备技术领域。本发明提供的Pmn21‑NaN5的高温高压制备方法，包括以下步骤：将NaN3在高温高压条件下进行解离重组，得到高压下稳定存在的Pmn21‑NaN5；所述高温高压的条件包括：压力为60～65GPa，温度为2000～2200K。本发明利用高温高压条件促使NaN3解离后重组，从而得到结晶性良好的空间群为Pmn21的钠五唑结构，然后在低温的作用下，实现空间群为Cm的钠五唑的常压截获。
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