公开(公告)号：CN104330430B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201410446840.0

申请日：2014-09-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱瑞 ,  徐军 ,  张家森 ,  俞大鹏 ,  李雪梅 ,  张敬民 ,  陈莉 ,  安辰杰

IPC: G01N23/227

Abstract: 本发明公开了一种光阴极材料光电子发射性能评测装置及其评测方法。本发明的评测装置包括：真空腔室、真空抽气系统、真空度测量系统、光阴极组件、电源系统、光电子成像系统、数据采集系统、激光激发系统以及聚焦面镜。本发明通过在真空腔室内部设置聚焦面镜，聚焦面镜的焦点位于光阴极材料的表面，通过调节激光束的入射位置，实现激光入射角度的连续变化，并且可以改变激光的波长和偏振态，可原位测量得到光电子发射特性的全部参数。本发明的方法省去分立角度入射激光激发模式中频繁在真空腔室外部调节激光光路的一系列繁琐步骤，仅需要改变激光束的入射位置便可改变入射角度，且克服了分立角度入射带来的角度不连续问题。

公开(公告)号：CN103185973A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201310076320.0

申请日：2013-03-11

Applicant: 北京大学 ,  北京三星通信技术研究有限公司

Inventor： 张家森 ,  胡闯 ,  朴硏相 ,  徐亮

IPC: G02F1/01

Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元波长选择器件。本发明的波长选择器件包括：衬底及金属柱；其中，衬底为金属；金属柱垂直设置在衬底上；金属柱的数量为两根以上；金属柱的直径d在100nm～2μm之间；金属柱的高度h≥50nm；表面等离激元沿着衬底的表面传播，并在金属柱附近形成局域增强的电磁场，由于单根金属柱本身的特性和不同金属柱之间的共振而形成对不同波长选择性的反射或透射。本发明的这种结构不仅对表面等离激元具有良好的波长选择性的反射、透射和散射的特性，而且结构简单，尺度小，成本低，并具有利于集成的独特优势。

公开(公告)号：CN105334573A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201410279849.7

申请日：2014-06-20

Applicant: 北京三星通信技术研究有限公司 ,  北京大学 ,  三星电子株式会社

Inventor： 张家森 ,  胡闯 ,  徐亮 ,  金勇 ,  朴硏相

IPC: G02B6/122

Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元波导，包括：金属衬底，以及位于所述衬底上的且相互平行的至少2个金属墙；所述金属墙之间形成沟槽，使得表面等离激元在所述沟槽底部的金属衬底表面沿着所述沟槽的延伸方向传播。本发明中，由于金属衬底表面金属墙的存在进而能够在金属墙之间的沟槽中形成金属墙到金属墙的横向局域性的电磁场，限制表面等离激元向金属墙外的传播，使得表面等离激元仅能够在两个金属墙之间沿着金属衬底和介质层的界面上沿着平行于金属壁的方向传播。本发明中，由于金属墙对波导中的表面等离激元有着很好的局域效果，即使两个波导间隔很小也可以避免波导间的串扰。本发明实现了表面等离激元的小半径大角度转弯传播以及在光分束器中的应用。

公开(公告)号：CN102654457A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201210152335.6

申请日：2012-05-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 张家森 ,  温秋玲

IPC: G01N21/45

Abstract: 本发明公开了一种折射率传感器及其探测方法。本发明的折射率传感器包括：激发装置和测量装置；激发装置包括单色光源、聚焦器件和传感器芯片；测量装置由漏辐射显微镜系统组成，包括油浸物镜、成像透镜和CCD相机；单色光源经聚焦器件入射到传感器芯片上激发起表面等离激元SP，由油浸物镜收集SP的漏辐射光，经成像透镜后，和另一束参考光同时入射到CCD相机上并发生干涉，CCD相机记录干涉条纹的信息，根据干涉条纹周期来监测金属薄膜上表面待测样品的折射率。本发明的优点在于只需单波长光源，结构简单、成本低；测量对于入射光源的强度波动和探测器的噪声并不敏感；提高了数据测量的准确性；可以实现传感器的微型化和多通道探测。

公开(公告)号：CN101726470B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200810224628.4

申请日：2008-10-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 张家森 ,  吴晓飞 ,  龚旗煌

IPC: G01N21/45

Abstract: 本发明涉及光学测量技术领域。本发明公开了一种基于表面等离激元干涉的折射率传感器，所述传感器包括：衬底、激发部件、缝式散射耦合结构以及缝式干涉耦合结构。本发明还公开了所述传感器的探测方法，所述方法包括：待测样品在激发部件一侧；光源在另一侧通过聚焦部件聚焦；聚焦光束通过缝式散射耦合结构在激发部件上下表面激发两路表面等离激元(Surface Plasmon)并且各自独立地传到缝式干涉耦合结构处发生干涉；根据干涉结果的改变来感应所述激发部件表面待测样品的折射率的变化。