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公开(公告)号：CN106847681B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201710118093.1
申请日：2017-03-01
Applicant: 厦门大学
Abstract: 利用非晶锗薄膜实现低温Si‑Si键合的方法，涉及Si晶片键合方法。选择晶向为(100)的Si基底材料，清洗；先用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用HCL、H2O2和H2O的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片甩干后放入直流磁控溅射系统，待溅射室本底真空度小于1×10‑4Pa，向溅射室充入Ar气体；通过调节直流溅射电流和样品托转速溅射a‑Ge薄膜；利用亲水a‑Ge层实现高强度Si‑Si键合。
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公开(公告)号：CN106847681A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710118093.1
申请日：2017-03-01
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01L21/20 , C23C14/165 , C23C14/35 , H01L24/03
Abstract: 利用非晶锗薄膜实现低温Si‑Si键合的方法，涉及Si晶片键合方法。选择晶向为(100)的Si基底材料，清洗；先用H2SO4和H2O2的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用NH4OH、H2O2和H2O的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片，先用HCL、H2O2和H2O的混合溶液煮沸，再用HF和H2O2的混合溶液浸泡；经处理后的Si片甩干后放入直流磁控溅射系统，待溅射室本底真空度小于1×10‑4Pa，向溅射室充入Ar气体；通过调节直流溅射电流和样品托转速溅射a‑Ge薄膜；利用亲水a‑Ge层实现高强度Si‑Si键合。
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公开(公告)号：CN110660655B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201910944976.7
申请日：2019-09-30
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明涉及一种无气泡无穿透位错Ge/Si低温键合方法，所述方法包括Si和Ge基底材料的处理、Ge薄膜的晶化、抛光、Ge/Si键合。本发明利用多晶Ge的疏松结构和存在晶界的特点对Ge/Si键合界面的气泡进行吸收和转移，实现零气泡的Ge/Si键合界面。其次利用多晶Ge晶向混乱的性质将Ge和Si单晶体隔离开来，使得Ge和Si之间的晶格失配得到缓解，因此能有效的限制穿透位错的成核，实现穿透位错密度的进一步降低。
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公开(公告)号：CN110690174B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201910938320.4
申请日：2019-09-30
IPC: H01L21/78 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种耐高温高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法，首先利用多晶Ge薄膜作为Ge/SOI键合中间层实现SOI基Ge薄膜的智能剥离，再将SOI基Ge薄膜放置在N2氛围内进行高温热退火，实现Ge薄膜中不均匀应变的释放、点缺陷的修复和无气泡坑Ge表面的获得，是一种简单、低成本且极其有效的高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法。
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公开(公告)号：CN110690174A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910938320.4
申请日：2019-09-30
IPC: H01L21/78 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种耐高温高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法，首先利用多晶Ge薄膜作为Ge/SOI键合中间层实现SOI基Ge薄膜的智能剥离，再将SOI基Ge薄膜放置在N2氛围内进行高温热退火，实现Ge薄膜中不均匀应变的释放、点缺陷的修复和无气泡坑Ge表面的获得，是一种简单、低成本且极其有效的高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110690108B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201910942951.3
申请日：2019-09-30
IPC: H01L21/18 , H01L21/324 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种无气泡坑超高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法。所述制备方法包括基片的清洗、Ge片的离子注入、中间层的制备、Ge薄膜的智能剥离四个阶段的处理方法。本发明利用a‑Ge和a‑Si薄膜作为Ge/SOI键合中间层实现SOI基Ge薄膜的智能剥离，再将SOI基Ge薄膜放置在真空氛围内进行高温热退火，实现Ge/Si键合界面副产物的有效排出和点缺陷的有效修复。
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公开(公告)号：CN110690175B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201910939228.X
申请日：2019-09-30
IPC: H01L21/78 , H01L21/3065
Abstract: 本发明公开了一种提高Si基和SOI基剥离Ge薄膜质量的方法。该方法为将Si片、SOI片和Ge片经表面处理后，在Si片、SOI片上溅射a‑Ge薄膜，然后将Ge片分别与溅射有a‑Ge薄膜的Si片和SOI片贴合在一起；经低温短时间热压键合和分步骤短时间退火，实现Si基、SOI基Ge薄膜的剥离；将剥离后的Ge/Si和Ge/SOI样品采用手动化学机械抛光对Ge薄膜的剥离表面进行抛光；抛光后的Ge/Si和Ge/SOI样品采用小功率RIE刻蚀技术对Ge薄膜表面的离子注入损伤层进行刻蚀，以获得高质量的Si基和SOI基剥离Ge薄膜。
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公开(公告)号：CN108731993A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810347004.5
申请日：2018-04-18
Applicant: 厦门大学
Abstract: 弱键合强度脆性键合样品截面透射电子显微镜制备方法，涉及透射电子显微镜。采用AB胶将两Si衬片粘附于键合样品背面作为分担研磨作用力的衬片，并采用AB胶将Si衬片粘附于键合截面的两端，对键合截面的两端进行固定使得研磨过程中剪切力和压力无法将键合界面撕裂，从而获得可用于离子减薄的截面样品。利用截面边缘束缚法将弱键合强度的截面采用Si衬片固定住，不仅可以避免在研磨过程中键合界面发生断裂，而且采用金刚石粉和砂纸联合对样品进行减薄抛光，能有效且快速的将样品截面减薄至小于30μm，这是一种简易、快速、低成本且成功率高的TEM截面制样新方法。
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公开(公告)号：CN108573878A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810346961.6
申请日：2018-04-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/50
Abstract: 无氧化层半导体低温键合方法，涉及半导体键合工艺。采用过渡层技术，在Si、Ge和SiO2半导体键合界面引入一层较薄的Ge层，利用Ge材料的低温晶化特性与晶化原子迁移特性实现无氧化层Si片键合、Ge/Si键合以及GOI键合。利用磁控溅射Ge层的低温晶化特性实现无界面氧化层的半导体键合界面，在清洗后的晶片表面生长一层半导体Ge过渡层，利用Ge的低温晶化特性，通过低温退火实现Ge过渡层的晶化，从而驱动原子在键合界面迁移，最终解离氧化层。该方法不仅可以解决直接亲水键合过程中在界面引入亲水氧化层的问题，而且能在300～400℃的低温下实现半导体键合界面过渡层的晶化，从而实现原子键键合。
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