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公开(公告)号：CN113257973A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202011418472.0
申请日：2020-12-07
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有P面反射电极结构的深紫外LED及其制备方法，所述LED结构包括永久基板、邦定金属层、P面反射电极、P面钝化层、外延层、N面电极和N面钝化层，其中：所述P面反射电极首先在所述P型掺杂层表面制备Ni层，所述Ni层需在氧气氛围下进行快速合金形成欧姆接触；然后在所述Ni层表面依次制备Al层、Ti层、Ag层。所述P面反射电极结构由Ni、Al、Ti、Ag叠层形成，所述Ti层厚度较薄，可以确保腐蚀Ag的同时能腐蚀Ti；Ti层可以有效抑制Al易氧化，同时可以避免Al层和Ag层之间易扩散最终降低芯片光电性能这一问题。本发明提出一种具有P面反射电极结构的深紫外LED，能保证P面反射电极具有抗氧化性能，最终获得高光效深紫外LED。
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公开(公告)号：CN108331164A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810343857.1
申请日：2018-04-17
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种钢桁架梁与格构式钢柱节点的连接装置，其中：两根横向槽钢中部与竖向槽钢的两端焊接组成工字构件，所述工字构件两侧固定焊接有格构式钢柱四肢方管，所述横向槽钢和竖向槽钢中间均设有2个安装通孔，所述十字形方管与四个侧面的工字构件固定焊接，四个侧面的下横向槽钢的底端均设有一根角钢。本发明制作简单，造价较低，能够充分发挥装配式建筑施工速度快的优势；钢结构构件在工厂制作完成以后，可以迅速运输到现场，快速完成拼接，提高工作效率。本发明还公开了一种钢桁架梁与格构式钢柱节点的安装方法。
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公开(公告)号：CN117352602A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311191810.5
申请日：2023-09-15
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片键合方法及LED芯片，其中，所述LED芯片键合方法包括：提供发光二极管外延片，所述外延片上顺次形成反射镜层、第一粘结金属层、第一阻挡金属层及第一键合层；提供支撑基板，所述基板上顺次形成第二粘结金属层、第二阻挡金属层及第二键合层；将所述外延片与基板键合在一起，形成第三键合层；其中，第一键合层和第二键合层为高熔点金属层Cu与低熔点金属层In组成的周期性结构，使得键合反应快速而充分地进行；所述低熔点金属层的表面为键合时的贴合面。该方法通过采用Cu‑In固液互扩散键合工艺来键合LED外延片和基板，避免了贵金属Au的使用，从而降低了LED芯片制造成本。
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公开(公告)号：CN116779730A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202211084815.3
申请日：2022-09-06
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种GaN基Micro‑LED低损伤刻蚀方法，包括：在GaN基Micro‑LED上形成刻蚀掩膜，以及对GaN基Micro‑LED进行刻蚀，特征是：对GaN基Micro‑LED刻蚀分为四个步骤，①钝化：通入钝化气体在刻蚀掩膜和GaN基Micro‑LED的表面生成一层聚合物作为钝化膜；②刻蚀：使用主刻蚀气体对钝化膜进行刻蚀，完成对钝化膜刻蚀后，继续对GaN基Micro‑LED进行刻蚀；③清扫：通入惰性气体对表面进行清扫；④以钝化‑刻蚀‑清扫的方式循环进行，最终完成刻蚀；所述刻蚀方式为Cl基气体对钝化层和需刻蚀层一同刻蚀，利用刻蚀的各向异性，完成对GaN基Micro‑LED低损伤刻蚀。本发明在刻蚀GaN的过程引入能产生聚合物的钝化气体，最大可能地保护刻蚀侧壁，降低了刻蚀损伤对侧壁的影响，最终达到低损伤刻蚀GaN的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116314529A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211546929.5
申请日：2022-12-05
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种窄发光峰LED芯片及其制备方法，所述LED芯片至少包括：P型电极层、P型半导体层、有源层、N型半导体层、N型电极、介质滤波层、粘结层。在LED芯片的N型半导体层的上面和N型半导体层、有源层、P型半导体层的外侧壁上生长介质滤波层，介质滤波层对LED芯片特定波长范围的光具有高透射率，对其余波长的光具有高反射率，从而使得LED发光峰变窄。在芯片侧壁制备反射镜，将侧壁出射的光反射回LED芯片，减少侧壁出光的光串扰效应，同时提高正面出光效率。本发明的窄发光峰LED芯片减小了发光半高宽，提高了发光方向性，减小了光串扰。
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公开(公告)号：CN116314517A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310217081.X
申请日：2023-03-08
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构隧道结氮化镓发光二极管及其制备方法，在该方法中首先外延生长包含隧道结的外延片；通过制备沟槽的方式，使隧道结中的p型氮化物层暴露在环境中；对隧道结中的p型氮化物层进行热激活，p型氮化物层中的H可以通过沟槽扩散到环境中，实现隧道结中的p型氮化物层中较高的空穴浓度；另外，含隧道结的氮化镓发光二极管是垂直结构，底部的金属反射镜电极在沟槽的脊上，顶部的金属n电极位置正对沟槽位置，电极的错开分布设计，不仅助于电流的扩展，还减少出光损失。本发明可以实现大尺寸含隧道结中被掩埋p型氮化物层的激活，有利于大尺寸隧道结氮化镓发光二极管的应用。
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公开(公告)号：CN115425132A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211180370.9
申请日：2022-09-26
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高显示对比度的垂直结构GaN基LED芯片及其制备方法，此LED芯片的结构从下至上依次包括：支撑基板、邦定层金属、P型反射电极层、半导体层和N型电极；半导体层包括P型半导体层、量子阱发光半导体层、N型半导体层；其中，半导体层被隔离为发光区域和不发光区域的两种功能区域，两个区域均与底部P型反射电极层连通，仅发光区域的N型半导体层上具有N型电极，且两种功能区的N型半导体层的均为相同材料和相同的表面粗化结构。此器件结构和制备方法工艺简单、成本低，通过保留与通电发光区域相同材料和相同粗化结构表面的不发光区域的半导体层，可明显提高芯片发光的环境对比度，获得高对比度的垂直结构GaN基LED显示芯片。
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公开(公告)号：CN113921677A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111158607.9
申请日：2021-09-30
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种AlGaInN发光二极管的接触结构，包括AlGaInN接触层，第一接触层和第二接触层；第二接触层越过第一接触层与AlGaInN接触层接触；第一接触层位于AlGaInN接触层和第二接触层之间；第一接触层至少与AlGaInN接触层和第二接触层的一个是肖特基接触或者绝缘。本发明通过改变第一接触层面积，调节AlGaInN接触层与第二接触层的在各处的接触面积和电阻，在保证电流在第二接触层上传输的前提下，分配AlGaInN接触层和器件各处所获得的电流比例。
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公开(公告)号：CN208379768U
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201820544751.3
申请日：2018-04-17
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本实用新型公开了一种钢桁架梁与格构式钢柱节点的连接装置，其中：两根横向槽钢中部与竖向槽钢的两端焊接组成工字构件，所述工字构件两侧固定焊接有格构式钢柱四肢方管，所述横向槽钢和竖向槽钢中间均设有2个安装通孔，所述十字形方管与四个侧面的工字构件固定焊接，四个侧面的下横向槽钢的底端均设有一根角钢。本实用新型制作简单，造价较低，能够充分发挥装配式建筑施工速度快的优势；钢结构构件在工厂制作完成以后，可以迅速运输到现场，快速完成拼接，提高工作效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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