-
公开(公告)号：CN111900136B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202010712715.5
申请日：2020-07-22
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种具有分离式门极驱动的可关断晶闸管器件，包括：可关断晶闸管管壳及附属接口板、门极驱动板及连接结构；可关断晶闸管管壳与附属接口板之间采用低感集成式连接方式进行连接；门极驱动板包含驱动电路模块；通过所述连接结构将附属接口板及门极驱动板可拆卸连接，以实现可关断晶闸管管壳与门极驱动板之间的分离或组合。
-
公开(公告)号：CN112858862B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110016867.6
申请日：2021-01-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种用于半导体电流密度分析的磁场反演电流计算方法，包括如下步骤：通过磁场测定装置测定被测半导体同平面近处指定同心圆位置的切向磁场，得到切向磁场测定集合；计算被测半导体同平面近处所述指定同心圆位置的叠加磁场，得到切向磁场计算集合；根据所述切向磁场测定集合与所述切向磁场计算集合构建适应值函数；基于所述适应值函数进行半导体电流的启发式搜索计算。解决现有大功率压接式半导体器件通常为圆饼状或者方形封装的密封结构，受限于这种密封结构，难以探测到内部的电流密度分布情况的问题。
-
公开(公告)号：CN112834894B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110017165.X
申请日：2021-01-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种用于半导体电流密度反演的磁场测试装置，包括磁场测试组件和压接组件；所述压接组件压接被测半导体芯片；所述磁场测试组件对压接的被测半导体芯片进行磁场强度测定，从而解决现有大功率压接式半导体器件通常为圆饼状或者方形封装的密封结构，受限于这种密封结构，难以探测到内部的电流密度分布情况的问题。
-
公开(公告)号：CN111524861B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202010129802.8
申请日：2020-02-28
Applicant: 清华大学
IPC: H01L23/04 , H01L23/043 , H01L23/10 , G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件管壳，由阳极管壳、阴极管壳以及绝缘环形成放置半导体芯片的空腔，其中，所述阳极管壳通过阳极接触片与半导体芯片的阳极接触，所述阴极管壳通过阴极接触片与半导体芯片的阴极接触，所述阴极管壳包括阴极底座与多个阴极通流环；所述阴极底座与多个阴极通流环相嵌合，且所述阴极底座与多个阴极通流环相嵌合的一侧表面上间隔设置有多个第一沟槽，所述第一沟槽用于放置电流线圈。通过设置阴极管壳的结构，在其内部布置电流线圈孔道，同时将电流线圈从阴极管壳内部引出，实现对半导体芯片不同区域的阴极电流进行测量。
-
公开(公告)号：CN113702797B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111259329.6
申请日：2021-10-28
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种半导体器件驱动器的测试电路及其控制方法，能够模拟驱动器开通关断功能，电路包括：正向导通支路、反向导通支路、门极接线端和阴极接线端；正向导通支路能够正向导通百安培级脉冲电流，导通期间正向维持低阻态；反向导通支路能够在μs级时间内反向导通和关断kA级电流，导通期间反向维持低阻态；正向导通支路和反向导通支路并联，形成第一端点和第二端点；第一端点与门极接线端相连接；第二端点与阴极接线端相连接；门极接线端和阴极接线端分别用于接入驱动器的门极和阴极；其中，正向导通是指电流从所述门极接线端经过所述测试电路流向所述阴极接线端，反向导通是指电流从所述阴极接线端经过所述测试电路流向所述门极接线端。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114280421A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111630077.3
申请日：2021-12-28
Abstract: 本发明公开了一种直流配电网故障选择性保护方法、系统、装置及存储介质，方法包括：获取直流配电网中直流配电母线上电压测点的实时电压，以及直流配电母线各进线和各出线上电流测点的实时电流；通过低电压过电流判据判定直流配电网中是否发生短路故障；通过电流变化率判据判定故障点的位置；根据故障点位置定位故障点在直流配电网中的位置；根据直流配电网中故障点所在的位置，向故障点临近的直流断路器以及配电设备发出跳闸/闭锁指令。通过对低电压、过电流，以及电流变化率判据的判定，准确判定直流配电网中短路故障发生的位置，并向故障位置周围临近的直流断路器及直流配电设备发出跳闸或闭锁指令，快速实现直流配电网的选择性保护。
-
-
公开(公告)号：CN113472336A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110657587.3
申请日：2021-06-13
Applicant: 清华大学
IPC: H03K17/72 , H03K17/041
Abstract: 本发明公开了一种窄脉冲处理结构及其处理方法，该结构包括：电流信号转换单元，用于将器件中检测到的电流转换成电压信号；比较器模块，与所述电流信号转换单元连接，所述比较器模块根据所述电压信号的电压值大小与电压参考值进行比较，并根据比较结果输出相应的数字信号；以及逻辑处理模块，与所述比较器模块连接，所述逻辑处理模块根据所述数字信号获取所述电流对应的电流区间，并判断所述电流区间是否小于安全关断电流。本发明使就地板对于窄脉冲无需进行任何处理，减轻了控制板的软件开销，提高了驱动板的适用范围。
-
公开(公告)号：CN113394754A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110552281.1
申请日：2021-05-20
Applicant: 清华大学
IPC: H02H7/26
Abstract: 本发明提供了一种使用熔断器的耗能装置开关子模块，所述开关子模块包括有晶闸管支路、静态均压支路以及电压箝位支路；其中，所述晶闸管支路、静态均压支路和电压箝位支路并联连接。本发明通过在熔断器的作用下，及时的在金属氧化物避雷器损坏之前将金属氧化物避雷器与熔断器之间的支路切断，从而对金属氧化物避雷器进行了保护，避免了对耗能装置开关子模块的其它元器件，尤其是较为敏感的半导体开关造成严重影响。
-
公开(公告)号：CN112067877B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202010783194.2
申请日：2020-08-06
Applicant: 清华大学
IPC: G01R19/00 , H01L23/544
Abstract: 本发明公开了一种用于测试门极电流的功率半导体器件，包括功率半导体芯片和管壳，所述功率半导体芯片包括多个第一绝缘层和多个子门极环形电极，所述第一绝缘层将功率半导体芯片的门极公共金属区分割为多个子门极公共金属区，所述多个子门极公共金属区分别与多个子门极环形电极一一对应连接；所述管壳包括多个子门极接触环和多个子绝缘座内金属环，并均与所述多个子门极环形电极一一对应设置；所述管壳门极槽外侧的阴极铜块上设置有多个方形槽，所述多个方形槽中均设置有门极引出条，以分别引出相应子门极环形电极上的门极电流。上述功率半导体器件能够有效地引出对功率半导体芯片内部不同阴极条形区域的门极电流，从而达到测量的目的。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
243
records
(took 0.055 seconds)
