-
公开(公告)号：CN110749552A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911213678.7
申请日：2019-12-02
Applicant: 南开大学
Abstract: 本申请涉及一种确定材料二阶非线性极化率的系统及方法。确定材料二阶非线性极化率的系统包括激光光源、偏振调制器、光线收集器、偏振探测器和控制器。所述控制器可以根据所述测试数据得出所述待测试样品的二阶非线性极化率。所述确定材料二阶非线性极化率的系统既可以直接测试百纳米级厚度的材料，又可以根据所述光学系统的测试结果绘制材料二阶非线性极化率拟合曲线。进一步，所述确定材料二阶非线性极化率的系统可以通过材料二阶非线性极化率拟合曲线得出不同的二阶非线性极化参数之间的比值关系和相位关系，避免了对绝对效率的多次测量。
-
公开(公告)号：CN108061936B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201711396942.6
申请日：2017-12-21
Applicant: 南开大学
IPC: G02B6/125
Abstract: 本发明公开了一种分光器以及采用该分光器的分光方法。该分光器包括：一透光基底；设置于该透光基底表面的多个周期性的第一微结构单元，所述第一微结构单元包括多个沿X方向平行且间隔设置的第一微纳米柱，所述多个第一微纳米柱的高度相同，且所述多个第一微纳米柱的横截面尺寸梯度变化；以及设置于该透光基底表面的多个周期性的第二微结构单元，所述第二微结构单元包括多个沿X方向平行且间隔设置的第二微纳米柱，所述多个第二微纳米柱的高度相同，所述多个第二微纳米柱的横截面尺寸梯度变化，且所述多个第一微纳米柱的梯度与所述多个第二微纳米柱的梯度相同但相反；所述多个周期性的第一微结构单元和多个周期性的第二微结构单元交替设置。
-
公开(公告)号：CN107966824B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201711396912.5
申请日：2017-12-21
Applicant: 南开大学
IPC: G02B27/10
Abstract: 本发明公开了一种分光器以及采用该分光器的光通讯系统和显示装置。该分光器包括：一透光基底，与该透光基底的表面平行且相互垂直的两个方向分别定义为X方向和Y方向；以及多个设置于该基底表面的结构相同的微结构单元组，该多个设置于该基底表面的结构相同的微结构单元组在X方向和Y方向分别周期性设置，从而形成一超表面结构；其中，每个微结构单元组包括多个微结构单元，每个微结构单元包括多个平行且间隔设置的微纳米柱，每个微结构单元包括的所述多个微纳米柱的高度相同且横截面尺寸沿着排列方向梯度变化；且该多个微结构单元的梯度方向不同。
-
公开(公告)号：CN108061936A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201711396942.6
申请日：2017-12-21
Applicant: 南开大学
IPC: G02B6/125
CPC classification number: G02B6/125
Abstract: 本发明公开了一种分光器以及采用该分光器的分光方法。该分光器包括：一透光基底；设置于该透光基底表面的多个周期性的第一微结构单元，所述第一微结构单元包括多个沿X方向平行且间隔设置的第一微纳米柱，所述多个第一微纳米柱的高度相同，且所述多个第一微纳米柱的横截面尺寸梯度变化；以及设置于该透光基底表面的多个周期性的第二微结构单元，所述第二微结构单元包括多个沿X方向平行且间隔设置的第二微纳米柱，所述多个第二微纳米柱的高度相同，所述多个第二微纳米柱的横截面尺寸梯度变化，且所述多个第一微纳米柱的梯度与所述多个第二微纳米柱的梯度相同但相反；所述多个周期性的第一微结构单元和多个周期性的第二微结构单元交替设置。
-
公开(公告)号：CN105157579B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201510445700.6
申请日：2015-07-27
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种微结构阵列光学位移传感器的制造方法及其用于检测微小位移的方法，所述方法包括：首先在基底材料表面进行镀膜，利用微纳米加工方法在基底材料上制备具有光谱特征峰的微结构阵列；将具有微结构阵列的基底固定于被测样品表面并利用光谱仪对样品表面的微结构进行光谱测量；移动位移传感器，记录光谱特征峰移动位置并计算位移量。所述方法制造的微结构阵列光学位移传感器可以测量微小区域内位移变化量，且具有测量灵敏度高、检测速度快的优势。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105157579A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510445700.6
申请日：2015-07-27
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种微结构阵列光学位移传感器的制造方法及其用于检测微小位移的方法，所述方法包括：首先在基底材料表面进行镀膜，利用微纳米加工方法在基底材料上制备具有光谱特征峰的微结构阵列；将具有微结构阵列的基底固定于被测样品表面并利用光谱仪对样品表面的微结构进行光谱测量；移动位移传感器，记录光谱特征峰移动位置并计算位移量。所述方法制造的微结构阵列光学位移传感器可以测量微小区域内位移变化量，且具有测量灵敏度高、检测速度快的优势。
-
公开(公告)号：CN110749552B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201911213678.7
申请日：2019-12-02
Applicant: 南开大学
Abstract: 本申请涉及一种确定材料二阶非线性极化率的系统及方法。确定材料二阶非线性极化率的系统包括激光光源、偏振调制器、光线收集器、偏振探测器和控制器。所述控制器可以根据所述测试数据得出所述待测试样品的二阶非线性极化率。所述确定材料二阶非线性极化率的系统既可以直接测试百纳米级厚度的材料，又可以根据所述光学系统的测试结果绘制材料二阶非线性极化率拟合曲线。进一步，所述确定材料二阶非线性极化率的系统可以通过材料二阶非线性极化率拟合曲线得出不同的二阶非线性极化参数之间的比值关系和相位关系，避免了对绝对效率的多次测量。
-
公开(公告)号：CN105319737B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201510801179.5
申请日：2015-11-19
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明涉及一种光学非线性偏振调控元件，其中，其包括：一绝缘透明基底；一设置于该绝缘透明基底的一表面的金属等离子激元层，所述等离子激元层包括多个周期设置的具有手性的微结构；以及一设置于该金属等离子激元层远离该绝缘透明基底的表面且将该金属等离子激元层覆盖的折射率可调控薄膜，所述折射率可调控薄膜包括折射率在光照下可调控的材料。一种调控入射光波偏振的方法，其包括：在某一时间内，采用一偏振入射光和一调控光同时从所述折射率可调控薄膜一侧照射如上述任意一项所述的光学非线性偏振调控元件。采用本发明的光学非线性偏振调控元件可以实现对偏振光的全光式调控。该方法具有方法简单，响应速度快的优点。
-
公开(公告)号：CN107244669A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710461601.6
申请日：2017-06-14
Applicant: 南开大学
IPC: C01B32/194 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导石墨烯微纳结构的加工方法及其系统，本方法首先制备氧化物‑石墨烯‑基底材料三明治结构样品；其次，样品通过激光直写系统进行加工；超过阈值光强的区域内石墨烯在激光诱导下和氧化物发生碳热还原反应而被破坏，其他部分的石墨烯则不会被破坏得以保留，从而形成石墨烯微纳结构。本发明方法及系统操作简单，不需要借助掩模板进行曝光，避免了离子束加工中二次溅射的问题，能实现高精度的石墨烯结构及图案的加工，加工分辨率可通过激光光斑大小和激光能量调控，有利于复杂结构石墨烯图案的快速加工及高质量石墨烯结构器件的制备，可广泛的推广应用。
-
公开(公告)号：CN104807416B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201510236182.7
申请日：2015-05-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微结构阵列的光学应变传感器设计及制造方法，首先在弹性体基底材料表面进行镀膜，利用微纳米加工方法在基底材料上制备具有光谱特征峰的微结构阵列；将制备好的器件固定在被测样品表面，利用光谱仪测量样品在形变前后及形变过程中的光谱，最终利用光谱特征峰的变化计算样品的形变量。本发明的微结构阵列光学应变传感器可以测量微小区域内形变量，且具有测量灵敏度高、检测速度快的优势。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.018 seconds)
