基于折叠基片集成波导谐振腔的双模带通滤波器

    公开(公告)号:CN112952322B

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN202110124726.6

    申请日:2021-01-29

    Inventor: 杨玲 许锋

    Abstract: 本发明公开了一种基于折叠基片集成波导谐振腔的双模带通滤波器,包含顶层金属层、顶层介质基片、中间层金属层、底层介质基片和底层金属层。顶层和底层介质基片上均设置有四排金属化通孔以及一个独立金属化通孔;中间层金属层上蚀刻有一大一小的两个L形槽;四排金属化通孔与三层金属层、两层介质基片、中间层金属层的第一L形槽构成双重折叠的四分之一模折叠基片集成波导谐振腔。折叠基片集成波导谐振腔中间独立金属化通孔以及第二L形槽可以用来抑制寄生模式TE202模。本发明滤波器结构紧凑,馈电简单,选择性和带外抑制好,降低了加工难度,与传统的基片集成波导双模滤波器相比,减少了面积、辐射损耗,更适合应用于现代微波/毫米波电路集成。

    基于人工表面等离子激元的对数周期天线

    公开(公告)号:CN110444865B

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN201910719957.4

    申请日:2019-08-06

    Inventor: 许锋 江涛 杨玲

    Abstract: 本发明揭示了一种基于人工表面等离子激元(Spoof Surface Plasmon Polaritons,SSPPs)的对数周期天线,包含了介质基片和上层金属片:所述的上层金属贴片位于介质基片的上表面,包括共面波导结构、SSPPs传输线以及天线振子。该结构采用共面波导馈电,通过SSPPs波导传输能量,利用对数周期天线的天线振子将能量辐射出去,形成高增益的行波天线。由于SSPPs是单导体结构,而传统的对数周期偶极子天线是双导体结构,将二者结合,使得对数周期偶极子天线的对称振子均在同一面上,形成单导体结构。这种新型的基于人工表面等离子激元的对数周期天线,结构更加简单,减少了传输损耗,在集成单导体天线中具有巨大的潜力。

    基于人工表面等离子激元的对数周期天线

    公开(公告)号:CN110444865A

    公开(公告)日:2019-11-12

    申请号:CN201910719957.4

    申请日:2019-08-06

    Inventor: 许锋 江涛 杨玲

    Abstract: 本发明揭示了一种基于人工表面等离子激元(Spoof Surface Plasmon Polaritons,SSPPs)的对数周期天线,包含了介质基片和上层金属片:所述的上层金属贴片位于介质基片的上表面,包括共面波导结构、SSPPs传输线以及天线振子。该结构采用共面波导馈电,通过SSPPs波导传输能量,利用对数周期天线的天线振子将能量辐射出去,形成高增益的行波天线。由于SSPPs是单导体结构,而传统的对数周期偶极子天线是双导体结构,将二者结合,使得对数周期偶自己天线的对阵振子均在同一面上,形成单导体结构。这种新型的基于人工表面等离子激元的对数周期天线,结构更加简单,减少了传输损耗,在集成单导体天线中具有巨大的潜力。

    基于人工表面等离子激元的高增益端射天线

    公开(公告)号:CN110380217A

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201910680912.0

    申请日:2019-07-26

    Inventor: 许锋 江涛 杨玲

    Abstract: 本发明揭示了一种基于人工表面等离子激元(Spoof Surface Plasmon Polaritons,SSPPs)的高增益端射天线,包含了介质基片、上层金属贴片和下层金属贴片;所述的上层金属贴片位于介质基片的上表面,包括微带传输线、渐变形过渡槽、SSPPs传输线、偶极子的一部分以及引向器;所述的下层金属贴片位于介质基片的下表面,包括接地面、渐变形过渡槽、SSPPs传输线以及偶极子的一部分。该结构采用人工表面等离子体激元波导传输能量,在终端利用偶极子实现辐射,并且在天线的末端引入八木天线的引向器,利用接地面代替八木天线的反射器,从而提高增益。本发明优化了传统的偶极子端射天线,设计结构简单,工作带宽增大,减小了天线间的互耦,大幅度提高了天线增益。

    一种基于基片集成技术的平面魔T

    公开(公告)号:CN106711568A

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201611041595.0

    申请日:2016-11-24

    Inventor: 许锋 杨玲

    CPC classification number: H01P5/20

    Abstract: 本发明公开了一种基于基片集成技术的平面魔T,属于微波技术领域。在本发明中,首先基于四分之一正方形基片集成谐振腔设计出一种新型的功率分配器,然后在此功率分配器的基础上利用微带线到槽线的传输特性实现一种新型的平面魔T。该魔T包括:以四分之一正方形谐振腔为基本谐振单元,谐振腔之间采用开窗来实现耦合和能量传输,四个端口均使用50欧姆微带线结构,底层金属层蚀刻槽线来实现微带线到谐振腔的能量传输。本发明设计结构简单,工作带宽大,电性能良好,其单层结构与传统立体、多层结构魔T相比更适合应用于现代微波毫米波电路集成中。

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