-
公开(公告)号：CN109585994A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811241385.5
申请日：2018-10-24
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明揭示了小型化双层半模基片集成波导六端口器件，包括叠合放置且相互贴合的顶层介质基片、底层介质基片及中间层金属层，顶层介质基片的上表面设置有顶层金属层，底层介质基片的下表面设置有底层金属层；顶层介质基片与底层介质基片上均设置有两组相互对称的金属化通孔，一组金属化通孔与顶层金属层、顶层介质基片及中间层金属层构成第一半模基片集成波导；一组金属化通孔与底层金属层、底层介质基片及中间层金属层构成第二半模基片集成波导；顶层金属层上设置有三个端口及多个互补开口谐振环；中间层金属层上开设有两排相互对称的圆孔；底层金属层上设置有三个端口。本发明设计结构简单，六端口稳定输出工作带宽大，结构紧凑，降低了加工难度与加工成本且体积减小。
-
公开(公告)号：CN113131219B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202110365760.2
申请日：2021-04-06
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开一种低副瓣的1‑bit太赫兹液晶超表面，从上而下依次包括顶层石英衬底层、顶层金属层、液晶层、底层金属层和底层石英衬底层；所述顶层金属层镀膜在顶层石英衬底层的下表面上，底层金属层镀膜在底层石英层的上表面上；所述顶层金属层包括按阵列排布的超表面单元，所述超表面单元包括子单元和设置在子单元上的谐振结构。本发明降低传统1‑bit超表面的镜像波束，避免了传统液晶超表面难以实现单波束辐射的缺点；利用1‑bit控制电路简化了控制信号的设计难度以及对液晶材料相应灵敏度的要求；超表面实现最大22°的波束偏转，镜像波束的幅度相对于主波束降低了一半。
-
公开(公告)号：CN110752430B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911029293.5
申请日：2019-10-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明揭示了一种小型化慢波半模基片集成波导E面耦合器，包括堆叠放置的顶层介质基片和底层介质基片，顶层介质基片的上表面设置有顶层金属层，顶层介质基片和底层介质基片之间设置有中间层金属层，底层介质基片的下表面设置有底层金属层。顶层介质基片和底层介质基片上各设置有一排金属化通孔，该排金属化通孔与顶层金属层、顶层介质基片、中间层金属层构成第一半模基片集成波导，该排金属化通孔与中间层金属层、底层介质基片、底层金属层构成第二半模基片集成波导。该耦合器在更小的体积内实现了45%的3‑dB工作带宽，工作频带内性能稳定，相对于更常见的H面慢波耦合器极大地拓宽了耦合器在小型化、双极化等方面的应用前景。
-
公开(公告)号：CN110752430A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911029293.5
申请日：2019-10-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明揭示了一种小型化慢波半模基片集成波导E面耦合器，包括堆叠放置的顶层介质基片和底层介质基片，顶层介质基片的上表面设置有顶层金属层，顶层介质基片和底层介质基片之间设置有中间层金属层，底层介质基片的下表面设置有底层金属层。顶层介质基片和底层介质基片上各设置有一排金属化通孔，该排金属化通孔与顶层金属层、顶层介质基片、中间层金属层构成第一半模基片集成波导，该排金属化通孔与中间层金属层、底层介质基片、底层金属层构成第二半模基片集成波导。该耦合器在更小的体积内实现了45%的3-dB工作带宽，工作频带内性能稳定，相对于更常见的H面慢波耦合器极大地拓宽了耦合器在小型化、双极化等方面的应用前景。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107230817A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710355367.9
申请日：2017-05-19
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P5/18
CPC classification number: H01P5/184
Abstract: 本发明公开了一种半模基片集成波导3‑dB宽壁小孔耦合器，是由两块相同的半模基片集成波导通过接触组合而成的双层电路；改进的微带到半模基片集成波导的过渡电路通过梯形渐变接入半模基片集成波导；本发明在半模基片集成波导的公共地平面上开了一排5个圆形小孔来实现小孔耦合的目的，并最终实现了3‑dB的强耦合效果。其中，半模基片集成波导是通过在印刷电路板上设计一系列金属过孔实现的。本发明能顺利实现双层半模基片集成波导之间的3‑dB耦合，同时实现了直通端与耦合端之间的90°相移，相对于同等技术的基片集成波导耦合器，本发明在减小耦合器面积的同时提高了耦合器的性能，制作工艺简单，成本低廉。
-
公开(公告)号：CN109755711B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910072293.7
申请日：2019-01-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明揭示了一种双层半模基片集成波导宽带滤波耦合器，该宽带滤波耦合器包括堆叠放置的顶层介质基片和底层介质基片，顶层介质基片的上表面设置有顶层金属层，顶层介质基片和底层介质基片之间设置有中间层金属层，底层介质基片的下表面设置有底层金属层；顶层介质基片和底层介质基片上设置有一排金属化通孔，该排金属化通孔与顶层金属层、顶层介质基片、中间层金属层构成第一半模基片集成波导，该排金属化通孔与中间层金属层、底层介质基片、底层金属层构成第二半模基片集成波导。本发明有很好的滤波效应，在不改变耦合器体积的前提下引入滤波响应，使得其应用在系统中时不需要插入额外滤波器，从而减小了整个系统的体积和插入损耗。
-
公开(公告)号：CN109390650B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201811241384.0
申请日：2018-10-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明揭示了小型化双层基片集成波导六端口器件，包括叠合放置且相互贴合的顶层介质基片、底层介质基片及中间层金属层，顶层介质基片的上表面设置有顶层金属层，底层介质基片的下表面设置有底层金属层；顶层介质基片与底层介质基片上均设置有两组相互对称的金属化通孔，金属化通孔与顶层金属层、顶层介质基片及中间层金属层构成第一基片集成波导；金属化通孔与底层金属层、底层介质基片及中间层金属层构成第二基片集成波导；顶层金属层上设置有三个端口并设置有多个互补的开口谐振环；中间层金属层上开设有两排相互对称的圆孔；底层金属层上设置有三个端口。本发明设计结构简单，六端口稳定输出工作带宽大，结构紧凑，降低了加工难度与加工成本且体积减小。
-
公开(公告)号：CN109390650A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811241384.0
申请日：2018-10-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明揭示了小型化双层基片集成波导六端口器件，包括叠合放置且相互贴合的顶层介质基片、底层介质基片及中间层金属层，顶层介质基片的上表面设置有顶层金属层，底层介质基片的下表面设置有底层金属层；顶层介质基片与底层介质基片上均设置有两组相互对称的金属化通孔，金属化通孔与顶层金属层、顶层介质基片及中间层金属层构成第一基片集成波导；金属化通孔与底层金属层、底层介质基片及中间层金属层构成第二基片集成波导；顶层金属层上设置有三个端口并设置有多个互补的开口谐振环；中间层金属层上开设有两排相互对称的圆孔；底层金属层上设置有三个端口。本发明设计结构简单，六端口稳定输出工作带宽大，结构紧凑，降低了加工难度与加工成本且体积减小。
-
公开(公告)号：CN206907925U
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201720882448.X
申请日：2017-07-20
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基片集成波导圆形腔领结槽缝隙天线，是在基片集成波导圆形腔上开槽的天线结构；改进的微带到基片集成波导圆形腔的过渡电路通过共面波导结构接入基片集成波导圆形腔；在基片集成波导圆形腔的没有微带的一面上开领结型槽，该领结型槽激发了圆形腔内的强负载效应，并最终产生了两个谐振频率接近的混合模，拓宽了工作频段。圆形腔相较于传统矩形腔，可以提高天线的增益。本实用新型能顺利实现基片集成波导圆形腔的宽带缝隙天线，同时实现了增益的提高，相对于同等技术的基片集成波导圆形腔缝隙天线，本实用新型在增宽工作带宽的同时提高了天线的性能，降低了天线的前后比和交叉极化。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.021 seconds)
