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公开(公告)号：CN103094397A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210215209.0
申请日：2012-06-27
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/0224 , H01L31/0203
Abstract: 本发明公开了一种对532nm敏感的真空光电二极管，由透射式GaAlAs光电阴极组件、铟封材料、第一可伐合金、第二可伐合金与陶瓷组成，其中光电阴极组件自上而下由Corning7056#玻璃窗口、Si3N4增透层、Ga1-x1Alx1As均匀掺杂发射层、Ga1-x2Alx2As掺杂浓度渐变发射层以及Cs/O激活层依次叠加而成；透射式GaAlAs光电阴极组件通过铟封材料与第一可伐合金相连，再通过圆柱形陶瓷管壁与第二可伐合金相连构成平板电容器，内部抽真空。具有本发明结构中的透射式GaAlAs光电阴极可以配合532nm激光器，应用于海洋光电子探测器件中，用来进行海洋探测领域的各项活动。
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