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公开(公告)号：CN103022309B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210492585.4
申请日：2012-11-28
Applicant: 南京大学扬州光电研究院
IPC: H01L33/44
Abstract: 一种在GaN基材料表面上制备聚酰亚胺微图形的方法，属于半导体技术领域，先在GaN基材料表面上制备光刻胶几何图形掩膜层，再蒸镀遮光层，行Lift-off处理后，经丙酮和无水乙醇浸泡、去离子水冲洗干净、烘烤；再在GaN基上涂布负型聚酰亚胺薄膜、烘烤、曝光、显影、定影，得到聚酰亚胺的微图形；然后对聚酰亚胺的微图形进行低温固化，去除GaN基上的残余金属遮光层后，再对聚酰亚胺的微图形进行高温固化。用此聚酰亚胺图形充当GaN芯片的表面保护膜、层间绝缘膜、深沟槽填充物，尤其能够解决多芯片组件的表面平坦化的问题。
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公开(公告)号：CN102110592A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010568673.9
申请日：2010-12-02
Applicant: 南京大学扬州光电研究院
IPC: H01L21/02
Abstract: 用于干法刻蚀的蓝宝石衬底表面加工前期生产方法，属于半导体技术领域，本发明先在蓝宝石衬底上利用光刻技术制备光刻图形，再利用真空蒸镀设备在蓝宝石衬底上蒸镀多层金属结构A/Ni/B/Ni/C/Ni……作为刻蚀蓝宝石衬底的掩膜层，然后将蓝宝石衬底放入与所用光刻胶相对应的去胶剂中，进行光刻胶剥离工艺，完成金属掩膜结构的制备。制成的半成品——具有金属掩膜结构的蓝宝石衬底可以满足对蓝宝石衬底进行各种深度尺寸的干法刻蚀的工艺需求，可通过干法刻蚀技术进行表面加工。
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公开(公告)号：CN107482092A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710615088.1
申请日：2017-07-26
Applicant: 南京大学扬州光电研究院
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/04
Abstract: 一种395nm短波长紫外LED结构的外延加工方法，属于半导体技术领域，在衬底上以依次外延生长缓冲层、GaN层、InGaN插入层、AlInGaN超晶格模板层和InGaN/AlInGaN多量子阱结构层。其中AlInGaN超晶格模板层由生长20层的短周期InGaN/AlGaN超晶格结构层形成；在生长所述InGaN/AlxInyGa1-x-yN多量子阱结构层时，先在AlInGaN超晶格模板层上生长一层AlxInyGa1-x-yN超晶格势垒层，然后再在AlxInyGa1-x-yN超晶格势垒层上生长一层InGaN势阱层，如此交替地生长AlxInyGa1-x-yN超晶格势垒层和InGaN势阱层，直至最后生长AlxInyGa1-x-yN超晶格势垒层。本发明提升LED量子阱结构内量子效率达到3倍以上。
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公开(公告)号：CN103715315A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310617228.0
申请日：2013-11-29
Applicant: 南京大学扬州光电研究院
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L27/156 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/405 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066
Abstract: 一种金属反射镜电极高压LED芯片的制备方法，属于半导体照明技术领域，在衬底的GaN基材料上阵列式布置的若干个电性隔离的微晶粒、制备出N台阶、淀积透明绝缘层、制备出P电极和N电极，用于制备P电极的金属蒸镀层覆盖至绝缘层的边缘和微晶粒的侧面；在Si基板上淀积绝缘层，并在绝缘层上蒸镀金属连线及用来倒装键合的凸点；将制得的GaN芯片倒装在以上Si基板上，其中阵列式布置的微晶粒与Si基板上的金属连线和凸点电性连接。本发明的P电极既具有电极功能，又具有反射镜的功能，因此采用在透明的绝缘层上进行的P电极上蒸镀的金属面积需要做到尽量大，可使金属反射镜面积可达到芯片发光面积的90%以上。
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