公开(公告)号：CN108008326A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201610957180.1

申请日：2016-10-31

申请人： 南京大学

发明人： 徐永兵 ,  黄大威 ,  阮学忠

IPC分类号： G01R33/12 ,  G11B5/62

CPC分类号： G01R33/1215 ,  G11B5/62

摘要： 本发明公开了一种通过改变MgO/CoFeB/Ta生长顺序来调节CoFeB薄膜阻尼因子的方法。该结构不仅表现出较好的垂直各向异性，而且阻尼因子可调性好，因此是一种可用于生产磁性随机存储(MRAM)器件的关键材料。本发明利用磁控溅射生长出Ta/CoFeB/MgO和MgO/CoFeB/Ta两种超薄膜并利用时间分辨磁光克尔效应(TRMOKE)测试材料的阻尼因子。Ta/CoFeB/MgO的阻尼因子(α)的值是0.017，而MgO/CoFeB/Ta的是0.027，由于阻尼因子改变大，这种材料很适合提高磁存储介质的读写速度。本发明中涉及到的样品结构依次是衬底、缓冲层、磁性层和覆盖层。飞秒脉冲激光重复频率为1000Hz，脉冲宽度为50fs，泵浦功率密度为3.54mJ/cm2。

公开(公告)号：CN208538918U

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201820874108.7

申请日：2018-06-07

申请人： 南京大学

发明人： 徐永兵 ,  杨龙 ,  刘文卿 ,  阮学忠 ,  何亮

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： 本实用新型公开了一种微波辅助的磁电阻增强器件，包括由保护层、第一铁磁层、半导体层、第二铁磁层、保护层组成的层状薄膜，其材料依次为Cr、Fe、GaAs、NiFe、Cr；通过上下两侧电极通入高频微波后，沿平行于层状薄膜的磁场方向施加大于Fe、NiFe矫顽力的外加磁场，使得两个铁磁层的磁矩方向一致，此时层状薄膜处于低电阻状态；接着反向施加大于NiFe矫顽力、小于Fe矫顽力的外加磁场，使得两个铁磁层的磁矩方向相反，此时层状薄膜处于高电阻状态。本实用新型在器件两端制备电极并通入高频微波加以辅助，通过改变外加磁场实现整个器件的高电阻、低电阻状态转换，其电阻变化率可达到40％，且制备工艺简单，成本较低。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN209813977U

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201920502721.0

申请日：2019-04-15

申请人： 南京大学

发明人： 何亮 ,  赖柏霖 ,  杜强强 ,  邹文琴 ,  阮学忠 ,  黎遥 ,  刘文卿 ,  徐高翔 ,  徐永兵

IPC分类号： B61B13/10

摘要： 一种非直线互联真空管道间的样品中转装置，设有一中转腔位于若干条不同直线上的真空直通管道的交叉点位置，此中转腔的侧面设有法兰将若干不都在同一直线上的真空直通管道连接到中转腔，中转腔的底部有一转盘，转盘的转轴延伸到腔外，腔外设有与转轴固定的旋钮，旋钮能使转盘旋转，转盘上设有导轨；中转腔内靠近直通管道的位置有一齿轮，通过腔外旋钮使齿轮旋转；载样小车在直通管道内部导轨上运行，直通管道内部导轨与转盘上设有的导轨在同一平面上；在直通管道中载样小车是通过管道外部设有导轨上的磁铁引导移动。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利