公开(公告)号：CN106449974B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201610899238.1

申请日：2016-10-14

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 陈心满 ,  王栋梁 ,  冀凤振 ,  匡鲤萍 ,  李艳 ,  章勇

IPC: H01L51/00

Abstract: 本发明提供一种基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法，包括底电极、顶电极、及夹于底电极和顶电极之间的阻变功能复合层；所述阻变功能复合层包括第一有机聚合物薄膜层，第二有机聚合物薄膜层，及夹于第一、第二有机聚合物薄膜层之间的MoS2量子点/有机聚合物复合薄膜层，所述底电极、顶电极分别与第一有机聚合物薄膜层、第二有机聚合物薄膜层层叠连接。本发明提供的阻变存储器具有重复性高、器件的性能稳定、响应速度快等特点，可用于高度集成的大容量存储器领域。

公开(公告)号：CN106449974A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610899238.1

申请日：2016-10-14

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 陈心满 ,  王栋梁 ,  冀凤振 ,  匡鲤萍 ,  李艳 ,  章勇

IPC: H01L51/00

CPC classification number: H01L51/00 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0034 ,  H01L2251/301

Abstract: 本发明提供一种基于MoS2量子点嵌入有机聚合物的阻变存储器及其制备方法，包括底电极、顶电极、及夹于底电极和顶电极之间的阻变功能复合层；所述阻变功能复合层包括第一有机聚合物薄膜层，第二有机聚合物薄膜层，及夹于第一、第二有机聚合物薄膜层之间的MoS2量子点/有机聚合物复合薄膜层，所述底电极、顶电极分别与第一有机聚合物薄膜层、第二有机聚合物薄膜层层叠连接。本发明提供的阻变存储器具有重复性高、器件的性能稳定、响应速度快等特点，可用于高度集成的大容量存储器领域。

公开(公告)号：CN104538275B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201410818850.2

申请日：2014-12-25

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 郭长娟 ,  朱辉 ,  张景堂 ,  李艳 ,  张华科 ,  万家海 ,  黄正旭

IPC: H01J49/10 ,  H01J49/12

Abstract: 本发明公开了一种激光辅助辉光放电电离装置，包括激光光源、质谱分析器、封闭的电离腔和电离主体，电离主体包括装有空心铜柱的铜柱固定座和装有样品的样品固定座，空心铜柱通过导线与电离腔底板连接地电位，样品与辉光放电供电电源导通，铜柱固定座和样品固定座正对设置，空心铜柱在样品的对侧设有激光孔且在激光孔内形成电离区，激光光源发出的激光穿过空心铜柱后垂直照射在样品上，在电离区的一侧设有将电离区内的离子送入质谱分析器的推斥板，推斥板与直流高压电源导通。本发明通过上述结构引入辉光放电电压信号、地电位，并通过推斥板引入直流高电压可将放电产生的离子引入质谱分析器，提高离子传输效率，检测灵敏度高。

公开(公告)号：CN104979471A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510259245.0

申请日：2015-05-20

Applicant: 华南师范大学

Inventor： 陈心满 ,  李艳

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种具有多种存储效应的电学元件及其制备方法，该电学元件包括HfOx单层薄膜介质层、设于HfOx单层薄膜介质层下表面的下表面电极、及设于HfOx单层薄膜介质层上表面的TiN电极；其中，0