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公开(公告)号：CN109855752A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910220838.4
申请日：2019-03-22
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了一种压接型半导体器件内部温度分布的接触式测温系统，包括接触式测温元件(10)和从上到下依次连接的集电极(1)、子模组、PCB板(8)和发射极(9)；所述子模组从上至下依次包括上钼片(2)、芯片(3)、下钼片(4)和银垫片(5)；所述下钼片(4)开有凹槽，所述下钼片(4)开有凹槽的一面与所述芯片接触；所述接触式测温元件(10)，置于所述凹槽内，与所述芯片(3)接触，输出端连接所述PCB板(8)。本发明钼片凹槽的设置使得接触式测温元件免受应力的影响，使得接触式测温元件得以在压接型半导体器件中应用，可以准确获得各芯片结温分布。
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公开(公告)号：CN209803218U
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201920500961.7
申请日：2019-04-15
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本实用新型公开了一种压接型IGBT器件芯片电流在线测量系统，该系统包括：积分电路和至少两组PCB板，每组PCB板上设置有多个电流测量线圈，凸台从电流测量线圈中穿过，凸台电流等于芯片电流，电流测量线圈包括线圈骨架、第一导线和第二导线，第一导线一端和积分电路第一输入连接，第一导线环绕线圈骨架均匀缠绕成线圈绕组，第一导线另一端和第二导线一端连接，第二导线另一端和积分电路第二输入连接，积分电路根据电流测量线圈的电压信号确定芯片中的电流，本实用新型提出的在线测量系统能够集成在器件内部，实现对压接型IGBT器件中所有芯片中的电流同时在线测量。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209372256U
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201920369577.8
申请日：2019-03-22
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本实用新型公开了一种压接型半导体器件内部温度分布的接触式测温系统，包括接触式测温元件(10)和从上到下依次连接的集电极(1)、子模组、PCB板(8)和发射极(9)；所述子模组从上至下依次包括上钼片(2)、芯片(3)、下钼片(4)和银垫片(5)；所述下钼片(4)开有凹槽，所述下钼片(4)开有凹槽的一面与所述芯片接触；所述接触式测温元件(10)，置于所述凹槽内，与所述芯片(3)接触，输出端连接所述PCB板(8)。本实用新型钼片凹槽的设置使得接触式测温元件免受应力的影响，使得接触式测温元件得以在压接型半导体器件中应用，可以准确获得各芯片结温分布。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209326856U
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201920369339.7
申请日：2019-03-22
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01L5/00
Abstract: 本实用新型公开了一种压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统，包括集电极、发射极和子模组；集电极、子模组和发射极依次接触连接；子模组设置在集电极和发射极之间；其中，子模组包括半导体芯片、热流及电流传导结构和压力传感器，集电极、半导体芯片、热流及电流传导结构及发射极依次接触连接；压力传感器分别与热流及电流传导结构内壁底面和端面接触连接。本实用新型提供的压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统能够降低对压力传感器的要求，实现对任意工况下芯片压力分布情况准确测量，突破现有测量方法在正常工况条件下测量的局限性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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