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公开(公告)号：CN102817084B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201210276363.9
申请日：2012-08-03
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明属于纳米材料制备方法技术领域，特别涉及一种硅纳米线双层阵列结构材料的制备方法。本发明采用（100）单晶硅片，利用金属纳米粒子催化刻蚀技术减薄硅片，使其厚度低于100 μm。把获得的薄单晶硅片用聚四氟乙烯夹具夹持并放入刻蚀液，在薄硅片上、下表面同时刻蚀，控制反应温度与时间获得硅纳米线双层阵列结构材料。本发明首次利用薄硅片上、下表面刻蚀形成硅纳米线双层阵列结构材料，调控薄单晶硅片的厚度可控制硅纳米线阵列双层结构的厚度。本发明成本低、操作步骤简单、且与现有纳米器件制备工艺相兼容，可降低新型纳米器件的制作成本。
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公开(公告)号：CN103022266B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201310009297.3
申请日：2013-01-09
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，特别涉及一种基于LSP效应陷光增效新型减反射结构的制备方法。本发明先利用碱刻蚀在单晶硅表面刻蚀出锥体形貌，然后利用溅射-退火手段在锥体表面沉积一层非连续的银纳米颗粒的方法，得到了由银纳米颗粒与锥体结构复合的新型陷光结构。本发明结构在全太阳光谱范围内比单纯的锥体结构反射率降低3.4%。本发明采用了简单实用的硅片清洗与银纳米颗粒溅射沉积工艺过程，提出了一种更为有效的陷光结构的制备方法，利用常温湿法刻蚀手段，结合LSP效应，获得了比传统碱性刻蚀所得结构更高的减反射效果，该方法的设计与制备工艺为提高硅及硅薄膜太阳能电池的效率提供新的技术手段。
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公开(公告)号：CN103022266A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201310009297.3
申请日：2013-01-09
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，特别涉及一种基于LSP效应陷光增效新型减反射结构的制备方法。本发明先利用碱刻蚀在单晶硅表面刻蚀出锥体形貌，然后利用溅射-退火手段在锥体表面沉积一层非连续的银纳米颗粒的方法，得到了由银纳米颗粒与锥体结构复合的新型陷光结构。本发明结构在全太阳光谱范围内比单纯的锥体结构反射率降低3.4%。本发明采用了简单实用的硅片清洗与银纳米颗粒溅射沉积工艺过程，提出了一种更为有效的陷光结构的制备方法，利用常温湿法刻蚀手段，结合LSP效应，获得了比传统碱性刻蚀所得结构更高的减反射效果，该方法的设计与制备工艺为提高硅及硅薄膜太阳能电池的效率提供新的技术手段。
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公开(公告)号：CN103014776A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201310009307.3
申请日：2013-01-09
Applicant: 华北电力大学
IPC: C25C5/02
Abstract: 本发明属于微米材料制备方法技术领域，特别涉及一种表面修饰的由纳米片层组装的微米银球及其制备方法。本发明采用电化学沉积法，在恒定电压下，在酒石酸-硝酸银电解体系下，制备出了纳米片层组装的微米银球结构并有效的对其进行了表面修饰。微米银球由不同取向的纳米片层相互团聚构成；微米银球表面均自带类似枝状薄片结构的表面修饰物。此方法制备的微米银球带有类似枝状薄片结构的表面修饰物，因而具有表面粗糙度高，比表面积大的特性。较高的表面粗糙度及较大的比表面积使得此结构的微米银球有望运用于拉曼增强、过氧化氢检测、超疏水、光催化及气体吸附等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105439126A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410439978.8
申请日：2014-09-01
Applicant: 华北电力大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明属于先进碳材料和半导体工艺技术领域，特别涉及一种大面积单晶石墨烯的简便、稳定的制备方法，适用于毫米级单晶石墨烯的制备。本发明在1000℃下以甲烷（CH4）为碳源、氢气为还原性气体利用低压化学气相沉积(LPCVD)法生长单晶石墨烯。本发明无需对铜箔进行丙酮、乙醇等超声处理，无需采用复杂的电化学方法对铜箔进行抛光等预处理过程，也无需长达数小时、高氢气流量的退火过程，只需要在升温之前抽尽反应器中的空气并保证在升温过程中没有气体通入，通过这一简便处理方法可以大幅度降低石墨烯在铜箔上的成核密度，且只需通过2-3小时的生长时间即可以生长出对边距离达到1mm大小的单晶石墨烯。样品经扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、拉曼光谱分析（Raman）等手段表征证明为单晶石墨烯且具有较少的缺陷。
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公开(公告)号：CN103030100B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310007946.6
申请日：2013-01-09
Applicant: 华北电力大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明属于纳米技术领域，特别涉及一种具有减反射特性的亚波长硅纳米线阵列的制备方法。本发明采用n型（100）硅片，利用高真空磁控溅射技术在其表面沉积具有网状结构的银膜，然后采用湿法刻蚀技术，在硅表面获得具有减反射特性的亚波长锥形硅纳米线阵列，经测试，其反射率低于1%。本发明首次利用银膜催化刻蚀硅技术，具有无掩模与常温常压的工艺特征，操作简单，重复性与可控性好，为制备具有亚波长尺度的超减反硅表面纳米结构提供了新思路，为设计和构建新型高效硅太阳能电池提供了材料基础。
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公开(公告)号：CN103014776B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201310009307.3
申请日：2013-01-09
Applicant: 华北电力大学
IPC: C25C5/02
Abstract: 本发明属于微米材料制备方法技术领域，特别涉及一种表面修饰的由纳米片层组装的微米银球及其制备方法。本发明采用电化学沉积法，在恒定电压下，在酒石酸-硝酸银电解体系下，制备出了纳米片层组装的微米银球结构并有效的对其进行了表面修饰。微米银球由不同取向的纳米片层相互团聚构成；微米银球表面均自带类似枝状薄片结构的表面修饰物。此方法制备的微米银球带有类似枝状薄片结构的表面修饰物，因而具有表面粗糙度高，比表面积大的特性。较高的表面粗糙度及较大的比表面积使得此结构的微米银球有望运用于拉曼增强、过氧化氢检测、超疏水、光催化及气体吸附等领域。
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公开(公告)号：CN102815689B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210300689.0
申请日：2012-08-22
Applicant: 华北电力大学
IPC: C01B31/02
Abstract: 本发明属于无机非金属材料制备方法技术领域，特别涉及一种粒径均匀的碳微米球材料的制备方法。本发明采用水热还原法，用EG作为碳源和溶剂，溶解FeCl3、PVP和AgNO3，最后加入浓HCl，在内衬为聚四氟乙烯的反应釜和恒温干燥箱中，保持高温高压条件，制备出碳微米球材料。经扫描电镜观察和EDS检测，本发明能够制备出高产量、粒径均匀的碳微米球材料。本发明采用水热法相比于以往常用的制备方法所需温度低、时间短，同时以此方法制备出的碳微米球材料粒径分布范围窄，产量高。
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公开(公告)号：CN102698776B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210169981.3
申请日：2012-05-28
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明属于水热法合成光催化材料的方法技术领域，特别涉及一种花状微米结构氯化银颗粒的制备方法。本发明采用水热法还原混合有浓HCl的AgNO3、FeCl3和PVP的EG溶液，反应一定时间后冷却溶液，通过离心提取样品，最终获得具有高含量的花状微米结构AgCl颗粒。该方法步骤简单，操作简便，由于加入了较大比例的浓HCl，使得产物为AgCl晶体，而非人们常用此反应组成物及方法得到的Ag单质。此外，经扫描电镜观察可知，本发明方法得到的微米结构AgCl晶体颗粒的结构统一为含有八个相同的三条棱花瓣组成的花状。经过性能测试，这种花状微米结构氯化银颗粒具有良好的光催化降解有机污染物的性能。
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