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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118678691A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310268159.0
申请日：2023-03-14
Abstract: 本申请涉及一种热辅助SOT‑MRAM器件、存储阵列以及存储芯片。器件包括：顶电极、至少一个磁隧道结、写电流通道层、隔热层和衬底，所述磁隧道结包括依次堆叠的参考层、隧穿层和磁性自由层，所述写电流通道层位于所述衬底上方，所述磁隧道结位于所述写电流通道层上方，所述顶电极位于所述磁隧道结上方，所述隔热层位于以下至少一个部位：所述写电流通道层下方、处于所述写电流通道层与所述衬底之间；所述写电流通道层上方且至少处于所述磁隧道结的两侧。能够降低SOT‑MRAM的写电流和功耗，并且写电流的减小可以减小写入晶体管的面积，增大存储密度。
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公开(公告)号：CN117008873A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210467078.9
申请日：2022-04-29
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请提供了一种概率比特单元电路、概率比特电路系统及其控制方法，用于实现概率比特单元电路之间的相互级联，从而提高计算并行度，降低迭代时延和功耗。本申请提供一种概率比特单元电路，其具体包括至少两个第一晶体管、概率比特器件、输出器件；其中，所述至少两个第一晶体管的栅极为所述概率比特单元电路输入端，所述输入端输入模拟信号；所述至少两个第一晶体管的源漏极中的一端与所述概率比特器件的底端以及所述输出器件的输入端相连，所述至少两个第一晶体管的源漏极中的另一端接地，所述输出器件的输出端输出数字信号。
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公开(公告)号：CN113742791A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202010478080.7
申请日：2020-05-29
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G06F21/73
Abstract: 本申请提供一种PUF电路、芯片、设备及挑战响应对生成方法，该PUF电路包括：RRAM单元、测量电路和存储器；测量电路分别与RRAM单元和存储器连接。测量电路用于检测RRAM单元在预设限制电流以及预设电压下处于易失存储状态的时间，并生成与时间对应的数字量；存储器用于将数字量作为PUF的响应进行存储，并确定与响应对应的挑战，实现了一种具有大量CRP，同时CPR之间没有相关性，可以容忍建模攻击的PUF。
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公开(公告)号：CN113467923A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202010245862.6
申请日：2020-03-31
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G06F9/50 , G06F9/4401
Abstract: 一种设备休眠方法及计算设备，在该方法中，在设备进入休眠状态之前，释放与前台进程无关的后台进程所占用的内存空间，这样，设备的内存中并没有保存与前台进程无关的后台进程，也就是说，减少了设备在休眠时存储在内存中的数据，从而当设备需要唤醒时，只需要从内存中读取较少的数据即可迅速恢复工作状态，可以减少在唤醒设备时从内存中读取数据的时延，可以加快设备的唤醒速度。另外，由于设备在休眠时将数据存储在了内存中，也就是说，在休眠状态中只需要对设备的内存进行供电，可以保证设备的低功耗。
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公开(公告)号：CN112748901A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201911063067.9
申请日：2019-10-31
IPC: G06F7/58
Abstract: 本申请公开了一种随机数生成装置和方法，涉及硬件加密领域，用于稳定地产生随机数。随机数生成装置，包括：第一物理不可克隆函数PUF计算模块，包括第一阻变式随机存取存储器RRAM器件和第二RRAM器件，第一RRAM器件和第二RRAM器件的初始状态为高阻态；自适应分离电路，分别连接第一RRAM器件和第二RRAM器件，并用于向第一RRAM器件和第二RRAM器件施加写电压，以及，当检测到第一RRAM器件从高阻态切换到低阻态时，停止向第一RRAM器件和第二RRAM器件施加写电压；读电路，分别连接第一RRAM器件和第二RRAM器件，并用于根据第一RRAM器件的低阻态以及第二RRAM器件的阻态的差值获得第一随机数，其中，第二RRAM器件的阻态高于第一RRAM器件的低阻态。
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