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公开(公告)号：CN105244043B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201410330469.1
申请日：2014-07-11
Abstract: 本发明提供一种磁性存储轨道和磁性存储器，包括多个堆叠的存储轨道单元，相邻两个存储轨道单元之间设置有过渡层，且该过渡层由在绝缘材料上淀积的半导体材料构成，包括选通电路和读写装置。由于磁性存储轨道包括多个堆叠的存储轨道单元，从而磁性存储轨道的轨道长度由多个存储轨道单元的轨道长度构成，因此，当增大磁性存储轨道的轨道长度时，可通过增加存储轨道单元实现，避免增加存储轨道单元的轨道长度，从而解决了在提高磁性存储轨道存储能力时，由于磁性存储轨道的轨道长度增长导致工艺难度增大的技术问题。
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公开(公告)号：CN105632544B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201410584291.3
申请日：2014-10-27
IPC: G11C11/02
CPC classification number: G11C11/02
Abstract: 本发明实施例提供一种磁性存储器，包括多个存储单元、行、列控制器，存储单元包括U型磁性轨道、第一及第二开关单元、读写装置，U型磁性轨道包括第一及第二端口、第一及第二存储区域，第一及第二存储区域分别位于第一及第二端口与U型磁性轨道底部的第一及第二端之间，同一列第一端口接收第一驱动电压；同一列第二端口接收第二驱动电压；行控制器连接同一列的第一及第二开关单元以控制其通断；同一列第一及第二开关单元还分别连接至U型磁性轨道底部第二端及第一端；同一列第一及第二开关单元还接收第三驱动电压，以驱动第一或第二存储区域的磁畴移动；读写装置用于对磁畴执行读操作或写操作。本发明提高存储密度和降低功耗。
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公开(公告)号：CN105097010B
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201410210114.9
申请日：2014-05-16
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 本发明实施例公开了一种铁电存储器，可包括：第一存储单元列、第一参考单元、第二参考单元和控制电路；第一参考单元和第二参考单元用于提供参考电压；控制电路，用于在读取第一存储单元列中的第一存储单元中所存储数据时，根据参考电压与第一存储单元的输出信号，获得第一存储单元中所存储的数据；在读取出了第一存储单元所存储的数据之后，将与数据的取值不同的数据写入第一参考单元，并将与读取的第一存储单元中所存储的数据的取值相同的数据写入第二参考单元。本发明实施例提供铁电存储器有利于提高参考单元与存储单元的数据回写效率，均衡参考单元对中的两个参考单元的读写疲劳度。
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公开(公告)号：CN104795086B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201410028573.5
申请日：2014-01-21
IPC: G11C5/06
Abstract: 本发明实施例公开了一种存储阵列、存储器及存储阵列控制方法，减少整个存储阵列的功耗，提升存储容量。存储阵列包括：存储单元，其存储区域顶部端口分别与阴极总线、阳极总线相连，其读写装置包括第一端口和第二端口，其存储区域包括第三端口和第四端口，对于一个存储单元，第一端口与第二列选通管相连，第二端口通过第一开关管与行译码器相连，第三端口通过第二开关管连接至第一列选通管和行译码器，第四端口通过第三开关管连接至第一列选通管和行译码器；通过对阴极总线、阳极总线、行译码器与第一列选通管的控制，选通存储单元和输入进行移位操作的信号；通过对行译码器与第二列选通管的控制，选通读写装置和输入进行读写操作的信号。
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公开(公告)号：CN107209712A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580001233.6
申请日：2015-11-16
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: G06F11/30
CPC classification number: G06F3/0659 , G06F3/0611 , G06F3/0634 , G06F3/0689 , G06F11/30
Abstract: 本申请揭示了一种存储系统存储设备及硬盘调度方法。所述存储系统包括M个硬盘组、供电系统和控制器，M为不小于3的自然数。所述M个硬盘组中的每个硬盘组包括至少一个用于存储数据的硬盘，每个硬盘包括非激活状态、启动状态以及工作状态。所述供电系统为所述存储系统提供的电力支持所述M个硬盘组中的一个硬盘组处于工作状态以及另一个硬盘组处于启动状态。所述控制器连接所述M个硬盘组并用于控制所述M个硬盘组中的第一硬盘组中的硬盘处于工作状态以处理第一组业务请求，并在所述第一硬盘组中的硬盘处于工作状态时，控制所述M个硬盘组中的第二硬盘组中的硬盘从非激活状态转换到启动状态，第二硬盘组用于处理第二组业务请求。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN104953025B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201410111552.X
申请日：2014-03-24
Abstract: 本发明实施例公开了一种存储器中的磁性轨道的制造方法，包括将多个阳性隔离层和多个阴性隔离层交替堆叠以制取堆叠体；沿堆叠方向对所述堆叠体刻蚀至少一个孔隙；在所述孔隙的内表面沿所述孔隙的方向淀积两条互不接触的磁性材料以形成两条凹凸状的磁性轨道。相应地，本发明实施例还公开了一种存储器中的磁性轨道的制造装置。采用本发明，可以实现制造出带凹凸状且凹凸分布均匀的以及长且直的磁性轨道，提高读写精度。
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公开(公告)号：CN106326135A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510376718.5
申请日：2015-06-30
IPC: G06F12/02
Abstract: 本发明提供了一种平移非易失性存储器NVM的数据的方法，包括：将动态随机存取存储器DRAM中存储的第一数据映射到非易失性存储器NVM的第一行地址，所述第一数据包括静态数据，所述静态数据为擦写频率小于预设频率的数据；记录映射后的NVM被擦写的次数；若所述映射后的NVM被擦写的次数大于或等于预设次数，则按照预设规则平移所述第一行地址中存储的所述第一数据。本发明还公开了一种平移非易失性存储器NVM的数据的装置。采用本发明，可减少NVM中存储数据的行地址的擦写次数，提高NVM的寿命。
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公开(公告)号：CN105808455A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201410856607.X
申请日：2014-12-31
Abstract: 本发明实施例提供了一种访问内存的方法、存储级内存及计算机系统。所述计算机系统包括内存控制器和混合内存，所述混合内存包括动态随机存取存储器DRAM和存储级内存SCM。所述内存控制器用于向所述DRAM和所述SCM发送第一访问指令。所述SCM在确定接收的所述第一访问指令中的第一地址指向的所述DRAM的第一存储单元集合中包括保持时间比所述DRAM的刷新周期短的存储单元时，可以获得与所述第一地址具有映射关系的第二地址。进一步的，所述SCM根据所述第二地址将所述第一访问指令转换为访问SCM的第二访问指令，以实现对SCM的访问。本发明实施例提供的计算机系统能够在降低DRAM刷新功耗的基础上保证数据的正确性。
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公开(公告)号：CN105632544A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410584291.3
申请日：2014-10-27
IPC: G11C11/02
CPC classification number: G11C11/02
Abstract: 本发明实施例提供一种磁性存储器，包括多个存储单元、行、列控制器，存储单元包括U型磁性轨道、第一及第二开关单元、读写装置，U型磁性轨道包括第一及第二端口、第一及第二存储区域，第一及第二存储区域分别位于第一及第二端口与U型磁性轨道底部的第一及第二端之间，同一列第一端口接收第一驱动电压；同一列第二端口接收第二驱动电压；行控制器连接同一列的第一及第二开关单元以控制其通断；同一列第一及第二开关单元还分别连接至U型磁性轨道底部第二端及第一端；同一列第一及第二开关单元还接收第三驱动电压，以驱动第一或第二存储区域的磁畴移动；读写装置用于对磁畴执行读操作或写操作。本发明提高存储密度和降低功耗。
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