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公开(公告)号：CN104241401B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410455189.3
申请日：2014-09-09
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于超材料的肖特基型太赫兹多谱信号探测器，包括自下而上依次设置的衬底层、N型砷化镓层、二氧化硅层与超材料层、欧姆电极和肖特基电极；其中超材料层为具有周期性微纳米结构的金属开环共振单元阵列，金属开环共振单元阵列包含了多种图形及其特征尺寸参数，每个图形对于特定电磁波具有完全吸收特性，通过改变金属开环共振单元的结构和尺寸参数可以调控对应的电磁波吸收频段，通过改变N型砷化镓的耗尽层宽度可以调控超材料层中金属开环共振单元阵列的电磁波吸收强度。本发明具有多谱、高灵敏度和高速特性，通过选择不同金属开环共振单元结构并进行单片集成可以将探测器工作于太赫兹的多个波段。
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公开(公告)号：CN103542940B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310443095.X
申请日：2013-09-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种基于波矢测量的红外成像探测芯片，包括面阵红外折射微透镜、面阵非制冷红外探测器和驱控预处理模块；其中，面阵非制冷红外探测器位于所述面阵红外折射微透镜的焦面处，被划分成多个阵列分布的子面阵非制冷红外探测器，每个子面阵非制冷红外探测器包括数量和排布方式相同的多个阵列分布的光敏元；面阵红外折射微透镜包括多个阵列分布的单元红外折射微透镜，每单元红外折射微透镜与一个子面阵非制冷红外探测器对应。本发明的红外成像探测芯片可测量的红外波矢方向的变动范围大，测量精度高，结构紧凑，环境适应性好，易与常规红外光学系统、电子和机械装置匹配耦合。
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公开(公告)号：CN105486415A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510891512.6
申请日：2015-12-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01J9/00
CPC classification number: G01J9/00
Abstract: 本发明公开了一种可寻址测量局域波前的成像探测芯片，包括可寻址加电液晶微光学结构、面阵可见光探测器和驱控预处理模块；液晶微光学结构被划分成可独立施加电驱控信号的多个液晶微光学块，各液晶微光学块具有相同的面形和结构尺寸，被加电液晶微光学块为液晶微透镜阵列块，其余未加电液晶微光学块为液晶相移板块；被液晶微光学块化的液晶微光学结构将与其对应的面阵可见光探测器划分成同等面形和规模的面阵可见光探测器块，并且各面阵可见光探测器块包含同等数量和排布方式的探测器。本发明具有执行可寻址选择及变更局域波前测量的成像探测效能，使用方便，易与常规成像光学系统耦合。
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公开(公告)号：CN103543571B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310435104.0
申请日：2013-09-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/29 , G02F1/1343 , G02F1/133 , G02F1/1333 , G02F1/1337 , G02F1/139
Abstract: 本发明公开了一种电扫描双通光孔径焦点可摆动液晶微透镜，包括上玻璃衬底、PI定向层、上玻璃衬底ITO透明上电极、上玻璃衬底ITO透明下电极、液晶层、多个玻璃间隔子、下玻璃衬底以及下玻璃衬底ITO透明上电极，上玻璃衬底的正反两面分别镀有ITO透明电极，下玻璃衬底的一面镀有ITO透明电极，上玻璃衬底正反两面的ITO透明电极分别都为具有四个呈十字形对称排列的子电极，上玻璃衬底正反两面的上下电极中心圆孔圆心对齐，上玻璃衬底正反两面的上下电极图案错开45度，PI定向层是镀在上玻璃衬底的下ITO透明下电极和下玻璃衬底的ITO透明上电极上。本发明能够解决现有技术中存在的通光孔径固定不可变以及图案电极易发生串扰，焦点摆动效果不理想的技术问题。
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公开(公告)号：CN104537605A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410849110.5
申请日：2014-12-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06T1/20
Abstract: 本发明公开了一种用于红外图像处理的可配置多功能数据路径结构,属于图像处理技术领域。本发明可配置多功能数据路径结构包括控制参数寄存器、中心控制逻辑、模板参数寄存器组、总线接口、差分运算单元、延迟线组、像素选择阵列、标量函数运算单元、缩减函数运算单元、输出生成单元以及阈值分割单元。本发明在数据路径结构中实现最大程度的硬件资源的复用，可配置的特性使得用最少资源增加了硬件的灵活性和应用范围，同时应用流水线的结构使得数据路径的计算能力大大提升。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104505117A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410851866.3
申请日：2014-12-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C11/406
Abstract: 本发明公开了一种动态存储器刷新方法与刷新控制器，属于半导体存储器技术领域。本发明基于增益单元存储器，利用增益存储单元有二组相互独立的字线和位线，在时钟的上半周期完成外部访问的读/写操作，而在时钟下半周期完成刷新读/刷新写操作。本发明根据增益单元的刷新同期、存储Bank的行数以及时钟周期产生刷新请求信号以及刷新状态信号；根据刷新状态产生相应的刷新读、刷新写操作的控制信号控制刷新读和刷新写操作与外部读/外部写操作并行进行。本发明消除了刷新操作与外部访问的冲突，使存储器能够完全随机实时地进行访问。
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公开(公告)号：CN102968776B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201210453680.3
申请日：2012-11-13
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06T5/50
Abstract: 本发明公开了一种线性与非线性滤波器相结合的非均匀性校正方法，在对线性校正图像进行空间平滑滤波得到真实场景的估计图像时，如果非均匀性水平较高，使用模板为11x11的均值滤波，否则，使用模板为5x5的非线性平滑滤波，在实现边缘保持滤波的同时，计算校正参数的自适应迭代步长，进行异常像素（坏元、冲激噪声）检测与替换，以滤波输出图像作为对真实场景的估计图像，利用变化参考图像实现变化检测，只有当校正图像与变化参考图像的差异大于变化阈值时才对非均匀性校正系数进行迭代更新。本发明既具有线性平滑滤波器平滑作用大、收敛速度快的优点，又具有非线性平滑滤波的边缘保持特性，而且计算复杂度较低，适合硬件电路实现。
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公开(公告)号：CN104363368A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410579934.5
申请日：2014-10-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种液晶基单眼复眼一体化成像探测芯片，包括陶瓷外壳、金属支撑和散热板、以及单眼复眼一体化成像探测架构，陶瓷外壳后部固置于金属支撑和散热板顶部，单眼复眼一体化成像探测架构设置于陶瓷外壳内，并包括同轴顺序设置的驱控与图像预处理模块、面阵可见光探测器以及面阵电控液晶成像微透镜，面阵电控液晶成像微透镜用于从陶瓷外壳顶部开口接收可见光，并将该可见光聚焦到面阵可见光探测器，驱控与图像预处理模块通过通讯与控制信号输出端口接收来自于外部的工作信号，根据该工作信号生成驱动信号。本发明的液晶基单眼复眼一体化成像探测芯片具有结构紧凑，使用方便，易与常规成像光学系统耦合，目标和环境适应性好等特点。
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公开(公告)号：CN104345508A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410618045.5
申请日：2014-11-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/134309 , G02F1/13306
Abstract: 本发明公开了一种基于波前调节的电控液晶激光整形芯片。该芯片包括圆柱形的液晶调相架构；其包括液晶材料层，依次设置在液晶材料层上表面的第一液晶初始取向层、图形化电极层、第一基片和第一增透膜，以及依次设置在液晶材料层下表面的第二液晶初始取向层、公共电极层、第二基片和第二增透膜；公共电极层由一层匀质导电膜构成；图形化电极层由圆形导电膜和同心设置在圆形导电膜外围的至少一个圆环形导电膜构成，圆形导电膜的圆心与液晶调相架构的轴心重合；在圆环形导电膜为多个时，所有圆环形导电膜的径向宽度相等，相邻导电膜的径向间距相等。该芯片激光波束整形变动范围大，适应性好，体积和质量小，易与其它光学光电机械结构耦合。
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公开(公告)号：CN104330931A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410615813.1
申请日：2014-11-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133 , G02F1/29 , G01J3/12
CPC classification number: G02F1/1343 , G01J3/12 , G02F1/1313 , G02F1/1333 , G02F1/1335
Abstract: 本发明公开了一种红外液晶相控阵芯片。该芯片包括电控液晶调相微柱阵列；其包括液晶材料层，依次设置在液晶材料层上表面的液晶初始取向层、电隔离层、图形化电极层、基片和红外增透膜，以及依次设置在液晶材料层下表面的液晶初始取向层、电隔离层、公共电极层、基片和红外增透膜；图形化电极层由阵列分布的子电极构成，每个子电极均由正方形或长方形导电膜构成；电控液晶调相微柱阵列被划分成阵列分布的电控液晶调相微柱，其与子电极一一对应，单个子电极的面积与对应的电控液晶调相微柱的光接收面积的比值为50％～95％。该芯片能实现电控扩束、缩束、散束、聚束、束调向以及束扫描等功能，易与其它红外光学光电机械结构耦合，光场适应性好。
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