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公开(公告)号:CN116443918A
公开(公告)日:2023-07-18
申请号:CN202310020747.2
申请日:2023-01-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: C01G15/00 , B81C1/00 , G01N27/407 , G01N33/00
Abstract: 本发明属于气体传感器领域,具体公开了一种Ga3+掺杂In2O3MEMS甲醛传感器的制备方法,包括以下步骤:(S1)将可溶性铟盐、可溶性镓盐、尿素、弱酸强碱盐与去离子水混合搅拌形成均一的混合溶液;(S2)将混合溶液在100‑200℃的温度下进行水热反应2h‑48h;(S3)将水热产物在空气气氛下进行退火热处理,得到Ga3+掺杂In2O3材料。本发明通过对向In2O3材料中引入Ga3+掺杂,并控制Ga3+掺杂量不超过15%,掺杂后晶粒尺寸减小、晶体结构发生变化(由六方相氧化铟变为双相异质结氧化铟);应用于MEMS甲醛传感器时,基于掺杂的“小尺寸”效应和双晶相异质结的协同作用,能够有效提高氧化铟MEMS甲醛传感性能。
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公开(公告)号:CN115304096A
公开(公告)日:2022-11-08
申请号:CN202211018680.0
申请日:2022-08-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化铟纳米颗粒晶圆级成膜方法、薄膜及应用,属于纳米粒子物理法成膜技术领域,成膜方法包括:按照氧化铟纳米颗粒材料:乙醇:烷基硫醇=(100‑500)mg:(10‑50)ml:(1‑5)ml的比例,对氧化铟纳米颗粒材料进行疏水化处理;以烷基醇为分散剂、疏水化处理后的氧化铟纳米颗粒材料为分散质,配置浓度为10‑50mg/ml的分散液;利用移液枪向盛有液相物体的容器中注射分散液,直至薄膜铺满整个液面;利用1‑4英寸的晶圆捞取薄膜并晾干;对晾干后附着有薄膜的晶圆进行退火处理,以提升薄膜与晶圆衬底的界面结合力。成膜方法简单、可重复性强、成本低廉,可制备4英寸晶圆级薄膜,且具有普适性。
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公开(公告)号:CN112924498B
公开(公告)日:2022-04-01
申请号:CN202110087661.2
申请日:2021-01-22
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于气敏传感材料领域,具体涉及一种钯单原子修饰的氧化锡复合材料及其制备方法和应用,方法包括将氧化锡颗粒在水中充分分散均匀,并向分散液中加入四氨合硝酸钯,充分搅拌之后进行固液分离和洗涤,得到钯前驱体离子修饰的氧化锡复合结构;对钯前驱体离子修饰的氧化锡复合结构进行快速升温和高温煅烧,得到钯单原子修饰的氧化锡复合结构,其中,升温的速度保证氧化锡颗粒快速锚定住钯前驱体离子避免在氧化锡颗粒表面聚集。本发明制备的氧化锡复合材料具有良好的气敏特性,可作为电阻型半导体气体传感器的传感层,与现有技术相比能够有效解决仪器昂贵、操作复杂、无法现场实时检测的问题,实现对氢气的超灵敏、快响应、低成本检测。
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