公开(公告)号：CN112947002B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202110097299.7

申请日：2021-01-25

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 熊伟 ,  刘敬伟 ,  邓春三 ,  张文广 ,  喻克望 ,  焦玢璋 ,  刘耘呈 ,  邓磊敏

IPC: G03F7/027 ,  G03F7/004 ,  C01G9/02 ,  C01G51/04 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明属于微纳加工技术领域，更具体地，涉及一种用于微纳加工的光刻胶材料、其制备和应用。其将金属‑有机框架材料通过有机酸溶解于光敏树脂单体中，配合光引发剂共同组成光刻胶材料，然后利用超快激光直写系统增材制造三维微纳结构，显影晾干后经高温煅烧得到三维微纳结构的金属氧化物。本发明提出的一种金属氧化物三维微纳结构的增材制造方法，具有光刻胶简单易制备、适用于超快激光直写系统、分辨率高、成型效果好以及可加工任意复杂三维结构的优势。该发明制备的三维微纳结构金属氧化物有望在光子晶体、结构色、超材料、三维传感器以及三维集成电路等领域取得重大应用。

公开(公告)号：CN110518117B

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN201910779092.0

申请日：2019-08-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 熊伟 ,  张文广 ,  邓磊敏 ,  刘敬伟 ,  吴昊 ,  段军

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，公开了一种二维材料异质结的忆阻器及其制备方法，该忆阻器自下而上包括衬底、底电极层、二维材料异质结层及顶电极层，其中，所述二维材料异质结层作为中间介质层，是由两种不同的金属硫化合物构成的两层叠层结构，该叠层结构中的每一层对应其中一种金属硫化合物。本发明通过对器件所采用的关键功能层材料及器件整体结构设计等进行改进，与现有技术相比，完全基于二维材料构建了新型忆阻器，颠覆了传统的MIM结构，具有较低的工作电压、抗疲劳性和循环稳定特性；并且，该忆阻器在模拟神经元传递信息上表现出与神经突触传递信息高度的相似性，在未来类脑结构开发上具有极大的应用前景。

公开(公告)号：CN110642978B

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN201910944989.4

申请日：2019-09-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 熊伟 ,  刘敬伟 ,  邓磊敏 ,  段军

IPC: C08F220/54 ,  C08F222/38 ,  C08J9/28 ,  C08L33/24

Abstract: 本发明公开了一种刺激响应性多孔水凝胶的制备方法，包括将聚合物单体、引发剂、交联剂和水按照预设的质量比在0～4℃下均匀混合，得到前驱液；将得到的前驱液置于‑10～‑40℃中冷冻聚合1～9h，获得冷冻凝胶；将所述冷冻凝胶置于4～20℃下的恒温环境中解冻聚合1～9h，得到刺激响应性多孔水凝胶。本发明提供的方法，采用先冷冻聚合后解冻聚合，冷冻条件为‑10～‑40℃，有利于冰晶的快速形成，从而大幅缩短了聚合时间，降低了制造成本。同时将得到的冷冻凝胶置于4～20℃下解冻聚合1～9h，冷冻凝胶在冰晶融化的同时快速的交联聚合，提高了水凝胶的弹性和抗疲劳性，由于冰晶融化后的多孔效应，提高了水凝胶的热响应特性和溶胀比。

公开(公告)号：CN110518117A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201910779092.0

申请日：2019-08-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 熊伟 ,  张文广 ,  邓磊敏 ,  刘敬伟 ,  吴昊 ,  段军

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，公开了一种二维材料异质结的忆阻器及其制备方法，该忆阻器自下而上包括衬底、底电极层、二维材料异质结层及顶电极层，其中，所述二维材料异质结层作为中间介质层，是由两种不同的金属硫化合物构成的两层叠层结构，该叠层结构中的每一层对应其中一种金属硫化合物。本发明通过对器件所采用的关键功能层材料及器件整体结构设计等进行改进，与现有技术相比，完全基于二维材料构建了新型忆阻器，颠覆了传统的MIM结构，具有较低的工作电压、抗疲劳性和循环稳定特性；并且，该忆阻器在模拟神经元传递信息上表现出与神经突触传递信息高度的相似性，在未来类脑结构开发上具有极大的应用前景。