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公开(公告)号：CN104882378A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510164377.5
申请日：2015-04-09
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: H01L21/329 , H01L21/02
CPC classification number: H01L29/66151 , H01L21/02244 , H01L21/02252
Abstract: 本发明介绍了一种基于氧等离子体工艺的纳米介质层的制备方法；利用电子束曝光技术，在基底金属层薄膜上打开一个正方形掩膜窗口。利用氧等离子体氧化方法对掩膜窗口处暴露的基底金属层薄膜进行氧化，具体工艺条件为：利用氧等离子体，在0.3～0.7Torr真空下，10～50sccm氧气流量，60～140watt功率刻蚀1～5min。丁酮试剂中经过加热、超声，完成掩膜剥离。表征结果显示，基于氧等离子体工艺的纳米介质层的制备方法可成功制备具有一定氧化比例和一定厚度的介质层薄膜。本发明采用一步法在基底金属层表面原位氧化生成介质层，制备工艺简单，无需添加材料，界面共格性好、缺陷少，有望广泛应用于科研与生产。
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公开(公告)号：CN104882378B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201510164377.5
申请日：2015-04-09
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
IPC: H01L21/329 , H01L21/02
Abstract: 本发明介绍了一种基于氧等离子体工艺的纳米介质层的制备方法；利用电子束曝光技术，在基底金属层薄膜上打开一个正方形掩膜窗口。利用氧等离子体氧化方法对掩膜窗口处暴露的基底金属层薄膜进行氧化，具体工艺条件为：利用氧等离子体，在0.3～0.7Torr真空下，10～50sccm氧气流量，60～140watt功率刻蚀1～5min。丁酮试剂中经过加热、超声，完成掩膜剥离。表征结果显示，基于氧等离子体工艺的纳米介质层的制备方法可成功制备具有一定氧化比例和一定厚度的介质层薄膜。本发明采用一步法在基底金属层表面原位氧化生成介质层，制备工艺简单，无需添加材料，界面共格性好、缺陷少，有望广泛应用于科研与生产。
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公开(公告)号：CN104966745B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201510217779.7
申请日：2015-04-30
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明一种基于硅基衬底的纳米整流天线。所述的整流天线为纳米天线与金属‑绝缘体‑金属二极管组成的一体化结构，天线的左右臂分别为金属I和金属II，中间为绝缘层。将设计的纳米整流天线分别置于不同的衬底上，通过采用三维电磁场数值计算方法，计算了不同入射光波长下，整流天线的局域场强度和输出功率，最后计算出相应的光电转换效率。本发明发现的理论规律如下，随着衬底折射率的增加，共振波长发生红移，最大场增强系数和光电转换效率也逐渐增大。该理论计算为整流天线电池的实验制备和生产应用提供了设计思想，有利于新能源技术的绿色低成本发展。
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公开(公告)号：CN105896100A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510036123.5
申请日：2015-01-23
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
Abstract: 本发明提出了一种超低副瓣反射面天线，用于实现超低副瓣并适用于大角度扫描，包括：反射面组件、馈源组件、馈源安装座、以及第一和第二支撑杆，其中，馈源组件通过馈源安装座、以及第一和第二支撑杆与反射面组件连接，以及反射面组件为旋转对称抛物面，从而适用于大角度范围内的机械扫描。因此，本发明所提出的超低副瓣反射面天线，实现了超低副瓣、适用于大角度扫描，同时具有结构简单、刚度好、可靠性高等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104900485A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510164402.X
申请日：2015-04-09
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
CPC classification number: H01L21/02186 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02244
Abstract: 本发明一种基于热氧化工艺的纳米介质层制备方法,属于微电子与固体电子学、纳米科学技术领域。利用电子束曝光技术，在基底金属层上打开一个正方形掩膜窗口。利用热氧化方法对掩膜窗口处暴露的基底金属层进行氧化，具体工艺条件为：置于烘箱150～200℃加热15～60min，丁酮试剂中经过加热、超声，完成掩膜剥离。表征结果显示，基于热氧化工艺的纳米介质层制备方法可成功制备具有一定氧化比例和一定厚度的介质层薄膜。本发明采用一步法在基底金属层表面原位氧化生成介质层，制备工艺简单，无需添加材料，界面共格性好、缺陷少，有望广泛应用于科研与生产。
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公开(公告)号：CN104878355A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510219988.5
申请日：2015-04-30
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
Abstract: 一种基于磁控溅射工艺的纳米介质层制备方法，在衬底上旋涂正胶，利用电子束曝光技术，制作一个正方形掩膜窗口。利用磁控溅射镀膜技术在掩膜窗口内，在额定的背底真空条件下，以80～150watt的功率，0～5sccm的氧气流量，30～100sccm的氩气流量，的速度溅射制备金属氧化物薄膜。并利用丁酮试剂经过加热、超声，完成剥离。测试结果表明，采用此发明可获得表面粗糙度为1nm，厚度范围为3～10nm，氧钛比可调控范围为1.40～1.93，含三种价态钛。本发明可实现对纳米介质层面积、表面粗糙度、厚度、氧化程度的调控，为进一步制备性能优异的金属-介质-金属型整流器提供关键材料。
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公开(公告)号：CN104836018A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510217922.2
申请日：2015-04-30
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
Abstract: 本发明一种基于隧穿二极管的纳米天线，包括左臂、右臂以及整流器；所述左臂与右臂为镜像结构；左臂与右臂交叉成蝴蝶结形状，左臂与右臂中间夹有整流器，且三者一体成型；所述左臂与右臂的辐射体形状为三角形或扇形或锥形；所述整流器为金属-绝缘体-金属型隧穿整流器；所述纳米天线左臂材质选取Au、Pt、Ag、Cu、Al、Ni、V、Cr和W中的任意一种；所述纳米天线右臂材质选取Ni、Ti、V、Ta、Nb、Co、Al、Cu和W中的任意一种。该仿真模拟对整流天线的实验制备、特别是为解决天线系统与整流器的匹配问题提供了理论指导，有利于提高天线的光电响应强度，从而促进其应用。
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公开(公告)号：CN219513307U
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202223486139.0
申请日：2022-12-27
Applicant: 航天恒星空间技术应用有限公司 , 北京空间飞行器总体设计部
IPC: H01P1/17
Abstract: 本实用新型涉及卫星通信领域，尤其涉及一种用于分频的新型波导圆极化器，H面功分器用于将通过第一矩形波导端口或第二矩形波导端口进入的信号等幅同相分为两路，分别进入两个E面90°正交波导电桥的同相端；E面90°正交波导电桥用于对两个正交模式进行90°移相，产生±90°相位差；频率分波器通过连接波导和E面90°正交波导电桥连接，频率分波器用于将正交波导电桥两个正交模式，进行圆极化合成，通过其上的圆形波导输出端口输出。该用于分频的新型波导圆极化器结构紧凑，能同时实现左右旋工作，加工方便，横向和纵向尺寸都较小，结构稳定可靠，性能优良，特别适合多频段共用圆极化天线的馈源系统。
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公开(公告)号：CN204577575U
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201520186809.8
申请日：2015-03-30
Applicant: 北京空间飞行器总体设计部
Abstract: 本实用新型一种用于红外能量转换的纳米天线包括左臂、右臂以及整流器；所述左臂与右臂为镜像结构；左臂与右臂交叉成蝴蝶结形状，左臂与右臂中间夹有整流器，且三者一体成型；所述左臂与右臂的辐射体形状为三角形或扇形或锥形；所述整流器为碳纳米管整流器或硅整流器或硒整流器或金属-半导体二极管整流器或金属-绝缘体-金属二极管整流器或金属-绝缘体-绝缘体-金属二极管整流器或金属-绝缘体-半导体二极管整流器。本实用新型发现的理论规律如下，随着天线的增加，共振波长发生明显的红移，且峰位处的局域场强度和感应电流逐渐增大；同时适当地增加天线的厚度、并降低两臂尖端的有效间距等有利于获得更强的局域场强度和更大的输出电流。
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