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公开(公告)号：CN107698743A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710896869.2
申请日：2017-09-28
Applicant: 中国科学院化学研究所 , 北京科技大学
CPC classification number: C08G61/126 , C08G61/124 , C08G2261/12 , C08G2261/1412 , C08G2261/143 , C08G2261/146 , C08G2261/18 , C08G2261/3223 , C08G2261/3241 , C08G2261/414 , C08G2261/92 , H01L51/0043 , H01L51/0508
Abstract: 本发明公开了一种含有氟代苯乙烯噻吩结构共轭聚合物及其制备方法与应用。该共轭聚合物的结构如式I所示。该类聚合物具有较宽的紫外-可见-近红外吸收光谱、良好的热学稳定性，具有合适的前沿轨道能级，有利于空穴和电子注入，可以制备较空气稳定的双极性场效应晶体管。该化合物的合成路线简单、有效；原料为商业化的廉价产品，合成成本低；合成方法具有普适性。以本发明含有氟代苯乙烯噻吩结构共轭聚合物为有机半导体层制备的PFET的迁移率和开关比都比较高，式(I)的迁移率最高为0.53cm2V-1s-1，开关比大于104；在PFET器件中有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN102079541B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201110058283.1
申请日：2011-03-10
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种低温下制备掺杂型六方晶系纳米ZnS的方法，属于半导体材料领域。其特征是利用反胶束法在低于100℃的温度下合成掺有过渡金属和稀土离子的六方晶型纳米ZnS，其中油相为有机溶剂，水相为锌盐水溶液，以N,N-二甲基甲酰胺作为溶剂，锌盐作为锌离子来源，硫脲作为硫离子来源，巯基乙酸作为表面活性剂。通过油浴来控制加热温度，整个反应在空气中进行，无需采取任何隔绝空气措施。本发明操作简单，所需反应皆在液相中进行，无需后续高温退火处理，反应条件温和，节能环保，为实现在低温下大规模生产稳定性高、水溶性好的六方晶型纳米ZnS提供了一个经济可行的途径。
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公开(公告)号：CN101225298B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200710062833.0
申请日：2007-01-18
Applicant: 中国科学院化学研究所 , 北京科技大学
IPC: C07C13/547
Abstract: 一种空穴传输型蓝光化合物，为基于9，9-二(4-(二-对甲苯基)氨基苯基)芴的衍生物，其制备方法为：将9，9-二[4-(N，N-二对甲苯胺基)苯基]-2-溴芴与共轭基团的硼酸频哪酯混合，或将9，9-二[4-(N，N-二对甲苯胺基)苯基]芴-2，7-二硼酸频哪酯与共轭基团的溴化物混合；加入甲苯、碳酸钾溶液、aliquat336、催化剂四(三苯基膦)钯，在氮气氛围下加热回流10-30小时；反应结束后，减压除去溶剂得到目标产物单边共轭基团取代的9，9-二(4-(二-对甲苯基)氨基苯基)芴的衍生物；该类化合物应用于电致发光器件中时，它们作为空穴传输层兼发光层。
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公开(公告)号：CN102079541A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201110058283.1
申请日：2011-03-10
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种低温下制备掺杂型六方晶系纳米ZnS的方法，属于半导体材料领域。其特征是利用反胶束法在低于100℃的温度下合成掺有过渡金属和稀土离子的六方晶型纳米ZnS，其中油相为有机溶剂，水相为锌盐水溶液，以N,N-二甲基甲酰胺作为溶剂，锌盐作为锌离子来源，硫脲作为硫离子来源，巯基乙酸作为表面活性剂。通过油浴来控制加热温度，整个反应在空气中进行，无需采取任何隔绝空气措施。本发明操作简单，所需反应皆在液相中进行，无需后续高温退火处理，反应条件温和，节能环保，为实现在低温下大规模生产稳定性高、水溶性好的六方晶型纳米ZnS提供了一个经济可行的途径。
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公开(公告)号：CN101508461A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910080996.0
申请日：2009-03-31
Applicant: 北京科技大学
IPC: C01G9/08
Abstract: 一种低温固相法制备纳米硫化锌及掺杂硫化锌的方法，属于纳米材料制备领域。其特征是以醋酸锌和其他金属醋酸盐为金属离子来源，以硫脲为硫源，在一定量的尿素存在下，通过固相反应制备硫化锌及掺杂硫化锌纳米粉末。将醋酸锌及钕、钐、铕、铽、铥等稀土醋酸盐或锰、铜、银、镉等过渡金属醋酸盐、硫脲和尿素分别置于研钵中研磨，再使其充分混合均匀，然后将混合物放人坩埚中，在100～250℃下反应2～4小时得到纳米级的硫化锌及掺杂硫化锌。该方法操作简单，不使用或产生有毒的硫化氢气体，耗能少，主要原料廉价易得，适于工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100426018C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200510086722.4
申请日：2005-10-26
Applicant: 北京科技大学
Inventor： 杨槐 , 肖久梅 , 何万里 , 马征 , 耿君 , 张立培 , 魏强 , 原小涛 , 李克轩 , 石琳 , 高瑾 , 曹晖 , 高建勋 , 王丽萍 , 杨穆 , 海明潭 , 王戈
Abstract: 本发明提供了一种反射式圆偏振光偏振片的制备方法，属于偏振片技术领域。将玻璃态液晶、可光聚合单体、光引发剂、阻聚剂等混合均匀，成膜或制成粉末覆于基板表面；通过具有不同中心反射波长的邻近玻璃态液晶膜或者粉末之间的分子扩散建立介晶基元的浓度梯度，在一定温度下采用适当工艺对其进行取向，获得介晶基元的螺旋排列结构和螺距梯度分布。通过冷却固定介晶基元的螺旋排列结构和螺距梯度分布，然后在玻璃态液晶的玻璃化转变温度以下对上述膜进行辐照交联，获得光学性能稳定和力学性能适宜的具有分子螺旋排列结构和螺距梯度分布的液晶反射式圆偏振光偏振片。优点在于：成膜工艺简单、成熟，容易实现规模生产。
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公开(公告)号：CN100406987C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200510130736.1
申请日：2005-12-27
Applicant: 北京科技大学
IPC: G02F1/1334
Abstract: 本发明提供了一种聚合物分散液晶薄膜的制备方法，属于液晶应用领域。本发明是将单体与液晶材料按质量百分比为2∶8～5∶5之间混和均匀，加入玻璃微珠、光引发剂按一定比例混合均匀，涂覆于两层透明氧化铟锡导电塑料薄膜之间，通过滚轴挤压成薄膜，在实验所用配方混合体系清亮点以上0.5℃～150℃之间的温度下，采用照射强度为15-50mW/cm2的紫外光，照射1～15分钟，固化成PDLC薄膜。优点在于：刚性链段加强了聚合物网络的热稳定性；单体与液晶的相容性优化了聚合物网络的结构，在提高聚合物分散液晶薄膜材料热稳定性的同时提高聚合物分散液晶材料的综合电—光性能。
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公开(公告)号：CN101007949A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710062975.7
申请日：2007-01-23
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种高分子分散液晶薄膜材料的制备方法，属于液晶材料应用领域。基体材料是可光聚合的混合单体，所用液晶是向列相液晶，液晶和单体的质量比是8∶1－1∶1。加入光引发剂的含量为单体总质量的0.1wt％－30.0wt％，纳米微珠的含量约为液晶和单体总质量的0.1wt％－10.0wt％，用来控制膜厚。将液晶、可光聚合单体、光引发剂和纳米微珠均匀混合后夹在两片镀有氧化铟的导电塑料薄膜中间，用滚轴挤压，形成0.5微米至30微米厚的膜层，在可光聚合单体/液晶复合材料的液晶相的清亮点温度以上0.5℃－20.0℃使用365nm的紫外光进行照射1－10分钟，制备成高分子分散液晶薄膜。优点在于：制备具有低驱动电压、高对比度、性能稳定和结实耐用的高分子分散液晶薄膜材料。
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公开(公告)号：CN1803979A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200510130659.X
申请日：2005-12-20
Applicant: 北京科技大学 , 北京伟豪智能玻璃有限公司
Abstract: 本发明提供了一种聚合物分散液晶膜的制备方法，属于液晶及相关领域。将具有二次交联能力的有机化合物作为聚合单体，与液晶按质量比例为50％∶50％～10％∶90％混配，加入光引发剂和热引发剂，搅拌均匀后涂敷于两片氧化铟锡导电膜之间；用紫外光在－10℃～50℃照射1～30分钟，使聚合单体中具有光交联基团的分子间发生交联反应形成高分子网络；然后加热到50℃～200℃，保温2～50个小时，使高分子网络上可热交联基团发生交联反应，自然冷却，得到聚合物分散液晶膜。其优点在于：通过这种二次交联方法增加交联网络密度来提高聚合网络的稳定性，提高聚合物分散液晶膜的稳定性。这种二次交联方法能够有效改善聚合物分散液晶膜的电－光特性。
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公开(公告)号：CN108976395B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201810906826.2
申请日：2018-08-10
Applicant: 中国科学院化学研究所 , 北京科技大学
IPC: C07D409/14 , C07D519/00 , C08G61/12 , H01L51/05 , H01L51/30
Abstract: 本发明公开了一种基于氟代二噻吩乙烯衍生物的聚合物与其在有机场效应晶体管中的应用。所述基于氟代二噻吩乙烯衍生物的聚合物结构式如式Ⅰ所示。本发明的合成路线简单易行，合成步骤少，产率高宜于大规模合成。以本发明的基于新型氟代二噻吩乙烯衍生物的聚合物为有机半导体层制备得到场效应晶体管的迁移率和开关比都比较高，迁移率最高为0.37cm2V‑1s‑1，开关比均大于105。本发明的聚合物在有机场效应器件中有良好的应用前景。
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