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公开(公告)号：CN110438556B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201910710749.8
申请日：2019-08-02
Abstract: 本发明提供了一种单晶铜箔及其制备方法，该方法包括将多晶铜箔置于具有多个温区的区域内进行退火，制得所述单晶铜箔；其中，在所述具有多个温区的区域内，相邻温区的温差为5～200℃。本发明一实施方式的方法，工艺简单，可以方便地得到大面积、单晶度高、平整度高的铜单晶。
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公开(公告)号：CN110904502A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911286235.0
申请日：2019-12-13
Abstract: 提供一种石墨烯单晶的生长方法，通过化学气相沉积在衬底上生长石墨烯，并于生长过程中通入氧化性气体。还提供该方法形成的石墨烯单晶。本发明的生长方法以抑制石墨烯生长过程中的持续自发成核为切入点，通过持续引入微量氧化性气体进行持续钝化的方法，破坏了石墨烯生长过程中亚稳核的形成。该方法在不影响石墨烯品质的基础上，显著提升了石墨烯畴区尺寸的均匀性，进而可以有效提高石墨烯的导电、导热、力学强度等诸多方面的性能。
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公开(公告)号：CN110438556A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910710749.8
申请日：2019-08-02
Abstract: 本发明提供了一种单晶铜箔及其制备方法，该方法包括将多晶铜箔置于具有多个温区的区域内进行退火，制得所述单晶铜箔；其中，在所述具有多个温区的区域内，相邻温区的温差为5～200℃。本发明一实施方式的方法，工艺简单，可以方便地得到大面积、单晶度高、平整度高的铜单晶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN211689231U
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201921931227.2
申请日：2019-11-08
IPC: C23C16/458
Abstract: 本申请涉及用于制备二维薄膜材料的载具。该用于制备二维薄膜材料的载具用于放置于CVD设备或真空高温设备内，包括：底托，一个或多个生长板，用于承载生长衬底，所述一个或多个生长板设置在底托上。本申请的载具能够适用于多种生产设备，使用过程简单，生产效率高。
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公开(公告)号：CN212247201U
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202020788756.8
申请日：2020-05-13
IPC: C23C16/455
Abstract: 本实用新型提出一种化学气相沉积系统及其局域供气装置，局域供气装置设置于化学气相沉积系统的腔室上。其中，局域供气装置包含转向管、腔内连接组件、供气终端管路、腔外连接组件以及腔外气体管路。转向管穿设于腔室并具有转向结构、内管口和外管口，内管口和外管口分别位于腔室的内部和外部。腔内连接组件设置于内管口。供气终端管路设置于腔室的内部并通过腔内连接组件连接于内管口。腔外连接组件设置于外管口。腔外气体管路设置于腔室的外部并通过腔外连接组件连接于外管口。本实用新型利用可以在不影响正常全局供气构造的同时，在腔室中实现局域供气功能。
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公开(公告)号：CN210506518U
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201921373341.8
申请日：2019-08-22
IPC: C23C16/458
Abstract: 本实用新型提供了一种利用CVD方法生长二维薄膜的载具，应用于一CVD设备，载具包括底座、底板以及多个生长板。底座具有第一限位结构；底板设于底座上，底板的下表面具有与第一限位结构配合的第二限位结构，底板的上表面具有第三限位结构；底座设置拱形支脚，便于传送；多个生长板用于承载多片生长衬底，多个生长板堆叠设置，并设于底板的上表面；多个生长板中位于最下方的生长板的下表面具有与第三限位结构配合的第四限位结构；相邻两个生长板的两个相对的表面上分别设有相互配合的第五限位结构和第六限位结构。本实用新型的载具借助第一至第六限位结构相互配合，使得连接牢固，不易发生错位或倾斜，且具有部件少，易于拆卸装配的优点。
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公开(公告)号：CN209442653U
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201920034749.6
申请日：2019-01-09
IPC: C01B32/184
Abstract: 本申请涉及石墨烯转移技术领域，具体而言，涉及一种石墨烯薄膜转移装置，用以将石墨烯薄膜转移至目标基底，其包括：壳体，所述壳体具有真空腔体；滚压机构，位于所述真空腔体内，所述滚压机构包括第一辊轴及与所述第一辊轴相对设置的第二辊轴，所述第一辊轴及所述第二辊轴中的至少一者能够转动；其中，所述第一辊轴和/或所述第二辊轴能够在转动过程中对经过所述第一辊轴和所述第二辊轴之间的石墨烯薄膜与目标基底进行滚动贴合，以将石墨烯薄膜转移至目标基底。该技术方案能够提高石墨烯薄膜转移之后的完整度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN118367051A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410454828.8
申请日：2024-04-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/18 , H01L31/0232
Abstract: 本发明公开了一种高光响应度的石墨烯硅光探测器及其制备方法和应用，属于集成光子器件技术领域。本发明的石墨烯硅光探测器包括硅波导衬底、扭转双层石墨烯、源极和漏极；所述扭转双层石墨烯作为有源区光吸收材料设置在硅波导衬底上；所述石墨烯两端设置源极和漏极。本发明的器件利用扭转双层石墨烯独特的范霍夫奇点能带结构实现增强光吸收，具有高光响应度及小器件尺寸等优势。
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