公开(公告)号：CN113445030A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202010216388.4

申请日：2020-03-25

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  李广亮 ,  张金灿 ,  刘晓婷 ,  薛睿文 ,  陈恒

IPC: C23C16/56 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明提供了一种提高石墨烯薄膜洁净度的方法及石墨烯薄膜，该方法包括将石墨烯薄膜在真空环境中进行高温处理；其中，所述高温处理的温度为800～1050℃，所述石墨烯薄膜通过化学气相沉积方法制得。本发明一实施方式的方法，可在较大程度上提高石墨烯薄膜的洁净度，且洁净度的均匀性好。

公开(公告)号：CN112301411A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201910710763.8

申请日：2019-08-02

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  张金灿 ,  刘晓婷 ,  张月新 ,  李广亮

IPC: C30B1/02 ,  C30B29/02

Abstract: 本发明一实施方式提供了一种制备单晶铜箔的方法，包括将多晶铜箔倾斜放置进行退火处理，制得所述单晶铜箔。本发明一实施方式的方法，快速、重复性高、成本低，可用于制备大尺寸的单晶铜箔。

公开(公告)号：CN119240682A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411461808.X

申请日：2024-10-18

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  苏州大学 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  张金灿 ,  吕姝靓 ,  贾开诚

IPC: C01B32/194

Abstract: 本发明公开一种石墨烯薄膜的处理方法及该处理方法得到的石墨烯薄膜。所述石墨烯薄膜的处理方法，包括：采用臭氧对石墨烯薄膜进行处理。本发明采用温和的臭氧(O3)处理石墨烯薄膜，不会改变石墨烯晶格结构。同时，由于臭氧氧化性极强，能够有效去除有机杂质和污染物，同时也能改变材料表面的化学性质。首先，通过臭氧处理可以在石墨烯表面引入含氧官能团(如羧基、羟基等)，提升其亲水性，增加与其他材料的结合能力。其次，臭氧处理可以优化石墨烯的电导性，提升其在光电子器件或电子器件中的性能，例如在电池、电容器、场效应晶体管或霍尔元件等中的应用。本发明的方法简便快捷，有良好的工业化前景。

公开(公告)号：CN111485224B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN201910085922.X

申请日：2019-01-29

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  高翾 ,  张金灿 ,  刘晓婷 ,  马瑞 ,  李广亮 ,  孙禄钊 ,  贾开诚

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明提供了一种化学气相沉积装置及化学气相沉积方法。化学气相沉积装置用于制备薄膜材料，包括第一腔室、第二腔室、过渡腔室、底盘以及传送机构。第一腔室和第二腔室用于薄膜材料的生长或后处理。过渡腔室通过隔离件分别连通于第一腔室和第二腔室。底盘用于装载生长衬底。传送机构被配置为在第一腔室和过渡腔室之间传送底盘，以及在第二腔室和过渡腔室之间传送底盘。本发明提供的化学气相沉积方法利用上述的装置进行薄膜材料的生长或后处理。

公开(公告)号：CN108821273B

公开(公告)日：2020-10-13

申请号：CN201811109110.6

申请日：2018-09-21

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  李杨立志 ,  孙禄钊 ,  张金灿 ,  贾开诚 ,  刘晓婷

IPC: C01B32/194

Abstract: 本发明提供一种真空石墨烯转移装置及真空石墨烯转移方法，真空石墨烯转移装置包括壳体、升降机构、支撑凸台以及加热装置。壳体内部具有真空腔体，升降机构设于壳体并包括可升降地设于真空腔体内的压板，石墨烯薄膜固定于压板底部。支撑凸台设于真空腔体内且位于压板下方，目标基底固定于支撑凸台上。加热装置，设于真空腔体内且连接于支撑凸台，加热装置用于通过支撑凸台加热目标基底。其中，真空石墨烯转移装置通过升降机构将石墨烯薄膜下压至目标基底上，并通过加热装置加热，将石墨烯薄膜转移至目标基底。从而实现提高石墨烯转移的完整度，同时降低了石墨烯水氧掺杂，具有重要的应用价值。

公开(公告)号：CN111151513A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN201811319723.2

申请日：2018-11-07

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  孙禄钊 ,  余屹 ,  李杨立志 ,  刘晓婷 ,  张金灿 ,  贾开诚

IPC: B08B7/00

Abstract: 本发明提供了一种带形物品清洗装置及清洗方法，清洗装置包括腔室以及至少一滚轮。腔室包括供带形物品进出的进料口以及出料口；至少一滚轮设置在腔室内，每一滚轮的轴线垂直于进料口和出料口的连线，每一滚轮表面设置有吸附剂；其中，在清洗过程中，带形物品与至少一滚轮表面的吸附剂接触。

公开(公告)号：CN110607517A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201810615694.8

申请日：2018-06-14

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  孙禄钊 ,  李杨立志 ,  刘晓婷 ,  林立 ,  张金灿 ,  贾开诚

IPC: C23C16/56 ,  C23C16/26 ,  C01B32/196 ,  B08B7/00

Abstract: 本发明提供了一种清洁石墨烯的方法，包括通过曲面上设有吸附剂的曲面体对石墨烯表面进行滚压，得到清洁的石墨烯。本发明一实施方式的清洁石墨烯表面的方法，可以实现快速清洁例如CVD生长的金属箔片上的石墨烯以及转移至功能衬底上的石墨烯等，所得到的石墨烯拉曼性质及透光性良好，对于其在电子、光电子器件，以及在选择性透过膜领域都有极高的帮助。

公开(公告)号：CN116692844A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310862702.X

申请日：2023-07-13

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 陈格 ,  刘忠范 ,  陈森胜 ,  赵一萱 ,  补赛玉 ,  张金灿 ,  胡兆宁 ,  贾开诚 ,  谢芹 ,  林立

IPC: C01B32/194

Abstract: 本发明公开了一种石墨烯薄膜的无损转移方法。在石墨烯薄膜/金属基底上依次旋涂高分子复合薄膜并贴合热释放胶带TRT，通过机械剥离的方法将石墨烯薄膜与金属基底分离，将其贴合至目标衬底；低温冷却后直接将热释放胶带TRT和高分子复合薄膜撕除，实现了石墨烯薄膜的转移。步骤简单，溶剂只采用水，不涉及有机溶剂，安全环保，得到的石墨烯结构完整，有利于工业化生产。

公开(公告)号：CN113445030B

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202010216388.4

申请日：2020-03-25

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  李广亮 ,  张金灿 ,  刘晓婷 ,  薛睿文 ,  陈恒

IPC: C23C16/56 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明提供了一种提高石墨烯薄膜洁净度的方法及石墨烯薄膜，该方法包括将石墨烯薄膜在真空环境中进行高温处理；其中，所述高温处理的温度为800～1050℃，所述石墨烯薄膜通过化学气相沉积方法制得。本发明一实施方式的方法，可在较大程度上提高石墨烯薄膜的洁净度，且洁净度的均匀性好。

公开(公告)号：CN113667960A

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202010400896.8

申请日：2020-05-13

Applicant: 北京石墨烯研究院 ,  北京大学

Inventor： 刘忠范 ,  彭海琳 ,  张金灿 ,  高欣 ,  张孟奇 ,  刘晓婷 ,  张月新 ,  李广亮

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/26

Abstract: 本发明提供一种洁净双层及少层石墨烯薄膜及其制备方法，该制备方法包括：将基底置于含第一氧化气体的气氛中进行退火；将退火后的所述基底置于含还原气体、碳源以及第二氧化气体的反应混合气中，升温至生长温度进行石墨烯生长，得到洁净双层及少层石墨烯薄膜，其中所述还原气体、所述碳源以及所述第二氧化气体的流量比为1～2000:0.1～20:0.1～500。本发明的制备方法快速、简便、适于制备大面积双层及少层洁净石墨烯薄膜，提高了石墨烯薄膜的质量，同时成本低廉，具有良好的工业化前景。