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公开(公告)号：CN119394439A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411067061.X
申请日：2024-08-05
Applicant: 北京理工大学重庆微电子研究院 , 北京理工大学 , 无锡微文半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种高光谱成像装置，是基于MEMS微镜的微型傅里叶变换光谱仪为核心的高光谱系统，包含光束处理单元、含MEMS矩阵式微镜的迈克尔逊干涉系统、单颗/阵列式光电探测器。MEMS矩阵式微镜接收二维平面图像的每个子区域的光信号并产生与之对应的干涉信号。单颗/阵列式光电探测器接收干涉信号，并根据干涉信号和二维平面图像处理后得到被测物体的高光谱图像立方体，以实现将被测物体分区块检测的功能。本申请具备以下特点：矩阵式微镜的每颗微镜单独运动，将该子区域的光束调制后，依次传入单颗光电探测器最后按顺序拼接成整张图像，或者传入阵列式光电探测器实现一次成像。
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公开(公告)号：CN116222782A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310390875.6
申请日：2023-04-13
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开的一种基于MEMS可动微平台及其阵列的成像光谱仪，属于光谱成像技术领域。本发明包括超表面、MEMS可动微平台阵列、光阑、图像传感器。超表面由特征尺寸小于光谱仪工作波段的微结构构成。本发明采用超表面作为色散元件，显著压缩分光元器件的体积；通过将超表面集成于MEMS可动微平台阵列上，并实现使用半导体工艺进行MEMS可动微平台阵列加工，能够降低成像光谱仪的生产成本，提高成像光谱仪的集成度；利用MEMS可动微平台阵列将物方空间划分为多个区域进行成像，能够获得最大与阵列单元数量相同的空间分辨率，而不需要添加额外的扫描元件来获取空间分辨能力；通过灵活选择每个MEMS可动微平台单元的工作状态，获得任意大小的空间分辨率。
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公开(公告)号：CN118618508A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410718225.4
申请日：2024-06-04
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
IPC: B62D57/032 , B81C1/00 , B81B7/02
Abstract: 本发明公开了一种基于电热驱动的MEMS微型爬行机器人及其制作方法，涉及微型机器人技术领域，爬行机器人包括运动足和本体，本体的两侧分别设置有多个运动足，多个运动足的延伸方向相同，各运动足均包括悬臂梁和第一材料，悬臂梁的一端与本体连接，另一端为自由端，悬臂梁上堆叠有第一材料，悬臂梁和第一材料之间设置有加热组件，第一材料的热膨胀系数大于悬臂梁，常态下，悬臂梁的自由端悬空，当加热组件通电产热时，运动足的自由端向下翘曲并与支撑面接触。本发明还提供了一种基于电热驱动的MEMS微型爬行机器人的制作方法，本发明提供的方案能够提高热驱动微型机器人的驱动效率以及结构拓展能力。
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公开(公告)号：CN117977163A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202311742589.8
申请日：2023-12-18
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明提供了一种太赫兹MEMS可调谐反射阵天线及其波束扫描实现方法，其中反射阵天线包括：MEMS阵列包括多个MEMS单元，每个MEMS单元包括基体，金属反射板，以及固定在金属反射板与所述基体之间的驱动组件；基板，MEMS阵列、电源接口和控制接口固定在基板上，控制接口用于对驱动组件进行控制，实现金属反射板的位移和偏转；馈源天线，位于基板设置有所述MEMS单元的一侧，用于辐射太赫兹波经过自由空间传播到所述MEMS阵列上。而扫描实现方法包括：确定MEMS单元的周期、确定MEMS单元的设置数量、确定馈源天线尺寸、确定各金属反射板的位移、确定各金属反射板的偏转角度、驱动组件控制。使得本申请具有扫描角度大、成本低、带宽大的优点。
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公开(公告)号：CN116364385A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211698049.X
申请日：2022-12-28
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明涉及一种集成磁芯的自卷曲电感，用于提高磁芯填充的良率以及器件制造良率，属于MEMS加工制造领域。本发明的目的是为了优化3D自卷曲功率电感制造工艺，提高磁芯填充良率及器件制造速率，且实现器件全流程制造工艺与MEMS工艺相互兼容，提供一种集成磁芯的自卷曲电感。自卷曲电感包含衬底、磁芯、结构层下层薄膜、结构层上层薄膜、金属走线。其中，结构层下层薄膜，结构层上层薄膜和金属走线自下而上顺序堆叠于衬底上。磁芯沉积在结构层上层薄膜端部。该方案具有磁芯大小形貌可控、与MEMS工艺和IC工艺兼容、低成本、可量产等优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116320960A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310354785.1
申请日：2023-04-06
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
IPC: H04R31/00
Abstract: 本发明公开的一种电磁式大声阻活塞运动式MEMS扬声器及其制造方法。所述电磁式大声阻活塞运动式MEMS扬声器，包括基底、腔体、电磁式驱动组件、连接组件、振膜；所述基底包括基座和沿所述基座厚度方向延伸的支撑结构，所述支撑结构的四周围合从而形成所述腔体；所述连接组件用于连接所述振膜和所述支撑结构；所述振膜为悬空结构且悬设于所述腔体中；所述振膜与所述连接组件不共面；所述振膜的垂直方向的位移范围一般不超过所述空腔高度范围；所述电磁式驱动组件包括可动部件和固定部件；所述可动部件构成所述振膜的一部分，包含线圈和磁性材料中的一种；所述固定部件位于所述基底中；所述电磁式驱动组件通过电磁力带动所述振膜沿垂直方向做活塞式运动。
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公开(公告)号：CN114911051B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202210493453.7
申请日：2022-04-26
Applicant: 北京理工大学 , 重庆虹势科技有限公司 , 北京理工大学重庆微电子研究院
IPC: G02B26/08
Abstract: 本发明公开的一种低温漂静电MEMS微镜及其实现方法，属于微光机电(MOEMS)领域。本发明包括镜面、扭转梁、梳齿驱动器、梳齿支撑结构，电隔离沟道，焊盘和空腔，微镜结构从上到下依次为结构层、绝缘层和衬底层。本发明通过优化微镜结构调节微镜阻尼，实现对静电MEMS微镜低角度温漂补偿；利用结构层和衬底层之间的热应力补偿结构层材料硅杨氏模量引入的频率温漂，实现低频率温漂补偿；在对静电MEMS微镜进行低角度温漂补偿、低频率温漂补偿基础上，提高静电MEMS微镜工作稳定性和运动控制的精确性。本发明无需额外增加位置检测模块和反馈控制，具有结构简单、体积小、成本低、易于实现的优点。所述低温漂包括低频率温漂和低角度温漂。
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公开(公告)号：CN119165650A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411441067.9
申请日：2024-10-15
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种MEMS微镜单元、MEMS微镜阵列及制作方法，涉及微机电系统技术领域，MEMS微镜单元，包括外框架、内框架和驱动器，外框架顶部用于安装镜面层；内框架设于外框架底部，且其竖直投影位于外框架侧边的竖直投影内；外框架侧边与内框架位于同一侧的侧边之间连接有驱动器，驱动器能够驱动镜面层相对运动。MEMS微镜阵列，包括多个MEMS微镜单元，多个MEMS微镜单元依次阵列布置，且相邻两个MEMS微镜单元的镜面层之间具有缝隙。本发明设计有内框架和外框架，驱动器一端连接在内框架，令一端连接在外框架上，实现了驱动器的埋藏式设计，极大的提高了MEMS微镜的填充率。
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公开(公告)号：CN116086308A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211621632.0
申请日：2022-12-16
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院 , 重庆虹势科技有限公司
Abstract: 一种梳齿驱动的静电MEMS微镜角度检测电路及方法，属于微机电领域。通过在驱动电极上施加电压，驱动动梳齿和可动镜面围绕扭转梁扭转，使动梳齿与静梳齿之间的交叠面积发生变化，导致动梳齿和静梳齿构成的电容发生变化；电容在变化过程中，调制感测电压的幅值，产生感测信号；通过在感测电极上测量感测信号能检测梳齿电容的变化，能求得梳齿驱动的静电MEMS微镜的偏转角度。采用频率远高于驱动电压的感测电压，对频域进行隔离，并对微镜运动产生的感测信号进行窄带通滤波处理，滤除驱动电压产生的干扰；通过T型偏置电路，降低驱动电压和感测电压在时域叠加过程中产生的串扰。本发明适用于测试等领域，提升旋转角度的测试精度。
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公开(公告)号：CN116040571A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211698055.5
申请日：2022-12-28
Applicant: 北京理工大学 , 北京理工大学重庆微电子研究院
Abstract: 本发明公开的一种基于熔断释放装置的双层自卷曲薄膜系统及制作方法，属于MEMS加工制造领域。本发明为熔断电阻释放薄膜结构。支撑层沉积在衬底两个端部；衬底、支撑层、结构层下层薄膜包围形成空腔结构；结构层上层薄膜沉积在结构层下层薄膜上；通过熔断电阻将结构层下层薄膜和金属电极连接。空腔结构通过牺牲层的释放形成。逐步去除支撑层，埋氧层和器件层后形成特有的空腔结构。结构层下层薄膜与结构层上层薄膜共同组成双晶片卷曲薄膜系统。两层薄膜应力相反，结构层下层薄膜为负应力，结构层上层薄膜为正应力，确保结构释放后薄膜向上卷曲。通过调节结构层下层薄膜与结构层上层薄膜应力控制薄膜卷曲形变能力；通过瞬时大电流熔断固定电阻，使薄膜在失去固定约束后产生瞬时回弹，薄膜的自由尖端在回弹中具有较大的冲量，从而使得薄膜卷曲更加致密。
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