公开(公告)号：CN116675540A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310731318.6

申请日：2023-06-20

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 柳彦博 ,  马壮 ,  刘玲 ,  迟寰宇 ,  张泽 ,  刘少璞 ,  牟广义 ,  何思源

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于高熵硼化物技术领域，具体涉及一种改性高熵硼化物及其制备方法和应用。本发明提供了一种改性高熵硼化物的制备方法，包括以下步骤：将高熵硼化物和碳化硅进行混合，得到的混合料进行烧结，得到所述改性高熵硼化物。本发明通过添加SiC与高熵硼化物进行共熔共晶，进一步弥补了硼化物在高温下因硼元素蒸发损失、无法形成致密的保护性氧化层的缺点。在烧蚀的过程中，添加SiC后形成的硼硅酸盐基玻璃保护层成为更有效的钝化层，阻止氧气向硼化物的进一步扩散，使硼化物的抗氧化烧蚀性能大大提高。

公开(公告)号：CN114715907A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210272743.9

申请日：2022-03-18

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 朱时珍 ,  柳彦博 ,  刘玲 ,  马壮 ,  张泽

IPC: C01B35/04 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明涉及一种单相高熵金属二硼化物及其制备方法，属于超高温陶瓷材料技术领域。所述高熵金属二硼化物化学式简记为HE TMScB2，TM为Hf、Zr、Nb和Ta，Sc的原子摩尔比为x，TM中的四种元素为等原子摩尔比且原子摩尔比之和为1‑x，0.1≤x≤0.3；可以在1600℃以上制备得到该高熵金属二硼化物的单相粉体，并且该粉体不需要细化粒径以及不需要添加烧结助剂就可以烧结得到致密度在90％以上的块体，力学性能优异，制备工艺易于操作，制备成本低，适宜工业推广。

公开(公告)号：CN114074244B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202010820331.5

申请日：2020-08-14

Applicant: 山西庞泉重型机械制造有限公司 ,  北京理工大学

Inventor： 吕瑞东 ,  马壮 ,  吕金全 ,  谢明劭 ,  张泽

IPC: B23P6/00

Abstract: 本发明涉及一种液压支架表面局部损伤修复的方法，属于表面处理技术领域。该方法是先采用不锈钢对液压支架的受损区域进行补焊处理，然后除去补焊区域以及未受损区域厚度为0.01～0.05mm的表层，再进行电镀处理，在表面形成一层厚度不小于除去的表层厚度的铬层，完成对液压支架表面局部损伤的修复。本发明所述方法对补焊区域以及未受损区域进行整体电镀铬，改善了未受损区域铬层与补焊区域铬层的界面结合，而且增加了工件表面铬层的厚度，有效改善了工件表面的耐腐蚀和耐磨性能。

公开(公告)号：CN117586021A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311537668.5

申请日：2022-08-23

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 柳彦博 ,  朱时珍 ,  刘玲 ,  马壮 ,  张泽

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明涉及一种高抗氧化性高熵金属二硼化物复合相材料，属于超高温陶瓷材料技术领域。所述高抗氧化性高熵金属二硼化物复合相材料化学式为(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Tm0.2)B2/TmB4。本发明制备的(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Tm0.2)B2/TmB4粉体和块体的相结构中含有(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Tm0.2)B2和TmB4两种相结构。将所得材料进行静态氧化测试，Tm与其他金属元素生成的氧化物形成连续的氧化层，封填了空隙，得到高致密度的氧化层，可以有效阻止氧气进入，降低了氧化的速率。因此，本发明制备的高熵金属二硼化物复合相材料具有优异的抗氧化性能。

公开(公告)号：CN116445888A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310401986.2

申请日：2023-04-17

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 柳彦博 ,  高志廷 ,  马壮 ,  朱时珍 ,  张泽 ,  刘少璞 ,  迟寰宇

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/38 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  C23C16/02

Abstract: 本发明提供了一种抗氧化复合膜层及其制备方法和应用，属于复合材料技术领域。本发明提供了一种抗氧化复合膜层，包括依次层叠的基体层、SiC薄膜中间过渡层和抗外层氧化涂层，所述SiC薄膜中间过渡层与所述抗外层氧化涂层接触的一侧表面设有微结构。本发明在SiC薄膜中间过渡层上形成微结构，微结构使得SiC薄膜中间过渡层的表面积增大3倍以上，能够增大界面结合面积，从而增加范德华力作用面积，提高结合力，且形成的抗外层氧化涂层会充满微结构，形成互锁结构，进一步增大结合力，提高了33％以上；微结构在烧蚀时刻释放应力减少微裂纹产生概率，减小了一倍，有利于缓解涂层中的热应力，从而使得使用寿命提高到3倍以上。

公开(公告)号：CN114715907B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202210272743.9

申请日：2022-03-18

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 朱时珍 ,  柳彦博 ,  刘玲 ,  马壮 ,  张泽

IPC: C01B35/04 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明涉及一种单相高熵金属二硼化物及其制备方法，属于超高温陶瓷材料技术领域。所述高熵金属二硼化物化学式简记为HE TMScB2，TM为Hf、Zr、Nb和Ta，Sc的原子摩尔比为x，TM中的四种元素为等原子摩尔比且原子摩尔比之和为1‑x，0.1≤x≤0.3；可以在1600℃以上制备得到该高熵金属二硼化物的单相粉体，并且该粉体不需要细化粒径以及不需要添加烧结助剂就可以烧结得到致密度在90％以上的块体，力学性能优异，制备工艺易于操作，制备成本低，适宜工业推广。

公开(公告)号：CN115304382A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202211011055.3

申请日：2022-08-23

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 朱时珍 ,  柳彦博 ,  刘玲 ,  马壮 ,  张泽

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明涉及一种新型四元高熵金属二硼化物及其制备方法，属于超高温陶瓷材料技术领域。所述高熵金属二硼化物化学式记为(Hf0.25Zr0.25Ta0.25Sc0.25)B2，其中Hf，Zr，Ta和Sc金属元素为等摩尔比，摩尔比总和为1；(Hf0.25Zr0.25Ta0.25Sc0.25)B2处理具有优异的相稳定性，优异的力学性能外，(Hf0.25Zr0.25Ta0.25Sc0.25)B2的热导率仅有13.9W·m‑1·K‑1，比传统HfB2，ZrB2降低了86.7％，76.8％。因此，(Hf0.25Zr0.25Ta0.25Sc0.25)B2适宜在超高温隔热领域推广应用。

公开(公告)号：CN115304381A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202211011048.3

申请日：2022-08-23

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 朱时珍 ,  柳彦博 ,  刘玲 ,  马壮 ,  张泽

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明涉及一种高抗氧化性高熵金属二硼化物复合相材料，属于超高温陶瓷材料技术领域。所述高抗氧化性高熵金属二硼化物复合相材料化学式简记为(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Tm0.2)B2/TmB4，元素组成为Hf、Zr、Ta、Nb、Tm以及B六种元素。制备得到的(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Tm0.2)B2/TmB4的粉体和块体的相结构中包括(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Tm0.2)B2和TmB4两种相结构。(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Tm0.2)B2/TmB4块体进行静态氧化测试后，Tm元素与其他金属元素生成的氧化物形成了连续的氧化层，封填了空隙，获得了高致密度的氧化层，可以有效阻止氧气的进入，降低(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Tm0.2)B2/TmB4氧化的速率。因此，本发明涉及的高熵金属二硼化物复合相材料具有优异的抗氧化性能，可以在超高温领域应用。

公开(公告)号：CN115159990A

公开(公告)日：2022-10-11

申请号：CN202211023733.8

申请日：2022-08-23

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 朱时珍 ,  柳彦博 ,  刘玲 ,  马壮 ,  张泽

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C01B35/04

Abstract: 本发明涉及一种高韧性高熵金属二硼化物，属于超高温陶瓷材料技术领域。所述高韧性高熵金属二硼化物材料化学式记为(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Tm0.2)B2，元素组成为Hf、Zr、Ta、Sc、Tm以及B六种元素。制备得到的(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Sc0.2Tm0.2)B2的粉体和块体的相结构中主要为AlB2型结构，含有少量TmB4相结构。(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Nb0.2Tm0.2)B2除了具有较高的硬度和强度外，由于由于Tm原子的加入，导致共价键的减弱改善了高熵金属二硼化物的脆性，显著提高了金属硼化物的断裂韧性(8.25MPa·m1/2)，比HfB2(4MPa·m1/2)，ZrB2(4MPa·m1/2)，NbB2(4.5MPa·m1/2)等传统金属二硼化物高出约83％。因此，本发明涉及的(Hf0.2Zr0.2Ta0.2Sc0.2Tm0.2)B2可以显著改善金属二硼化物的韧性，并且制备工艺简单，适合工业推广应用。

公开(公告)号：CN111848177B

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202010650474.6

申请日：2020-07-08

Applicant: 北京理工大学

Inventor： 柳彦博 ,  马壮 ,  张泽 ,  朱时珍 ,  鲁剑啸

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明涉及一种超高温高熵硼化物陶瓷粉体及其制备方法，属于陶瓷材料技术领域。本发明所述陶瓷粉体为单相六方晶体结构，化学式简记为TMExB2，TME为Ha、Zr、Nb、Ti、Ta、Mo、W和Cr中的至少四种，且TME中的元素种类数与x的乘积为1，该陶瓷粉体主要通过调控其组成成分，使其能保持稳定的单相结构，消除多组元所带来的复杂界面以及应力问题，使其具有优异的力学性能。另外，本发明首次通过感应等离子球化烧结工艺合成高熵硼化物陶瓷粉体，工艺简单，周期短，而且通过调控工艺参数，可以获得一定粒径分布的表面致密、球形度高、流动性好、无元素偏聚现象、化学结构稳定性好的高熵硼化物陶瓷粉体，具有很好的应用前景。