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公开(公告)号：CN110330342A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910599368.7
申请日：2019-07-04
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种以La2O3改性的B4C陶瓷块体的快速制备方法，属于装甲防护材料制备领域。所述制备方法为：将B4C、Ti3SiC2、Si和La2O3粉球磨混合均匀；再用放电等离子烧结系统烧结，得到所述陶瓷块体。放电等离子烧结的电场会在烧结过程中清洁和活化所述混合粉末的颗粒表面，使混合粉末致密化过程在较低的烧结温度下进行，大大缩短烧结时间，烧结得到的B4C陶瓷块体致密度可高达99.9％，并且有第二相生成，综合力学性能良好，弯曲强度可高达508.6MPa，可应用于防护材料领域。
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公开(公告)号：CN108794013A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810834606.3
申请日：2018-07-26
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/65
CPC classification number: C04B35/563 , C04B35/65 , C04B2235/3813 , C04B2235/3826 , C04B2235/6562 , C04B2235/666 , C04B2235/77 , C04B2235/96
Abstract: 本发明涉及一种B4C陶瓷块体及其快速制备方法，属于装甲防护材料制备领域。所述陶瓷块体的组成及质量分数为：B4C 90.8％～99.87％，TiB2 0.078％～5.52％，SiC 0.052％～3.68％。所述制备方法为：将B4C、Ti3SiC2和Si粉球磨混合均匀；再用放电等离子烧结系统烧结，得到所述陶瓷块体。放电等离子烧结的电场会在烧结过程中清洁和活化所述混合粉末的颗粒表面，使混合粉末致密化过程在较低的烧结温度下进行，大大缩短烧结时间，烧结得到的B4C陶瓷块体致密度可高达99.9％，并且有第二相生成，综合力学性能良好，可应用于防护材料领域。
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公开(公告)号：CN107200586A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710535947.6
申请日：2017-07-04
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种TiB2陶瓷块体的快速制备方法，属于功能防护材料制备领域。所述方法通过将TiB2粉和Al粉加入球磨罐中，混合均匀，干燥，得到混合粉末；采用放电等离子烧结系统对所述混合粉末进行烧结处理，得到所述TiB2陶瓷块体。电场会在烧结过程中清洁和活化所述混合粉末的颗粒表面，使混合粉末致密化过程在较低的烧结温度下进行，大大缩短烧结时间，烧结得到的TiB2陶瓷块体致密度高，硬度高，综合性能良好，可应用于防护材料领域；所述方法简单易行，周期短，实用性强，有利于工业化。
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公开(公告)号：CN110342936B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201910599395.4
申请日：2019-07-04
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种以CeO2改性的B4C陶瓷块体的快速制备方法，属于装甲防护材料制备领域。所述制备方法为：将B4C、Ti3SiC2、Si和CeO2粉球磨混合均匀得到混合粉末；再用放电等离子烧结系统烧结混合粉末，得到所述B4C陶瓷块体。放电等离子烧结的电场会在烧结过程中清洁和活化所述混合粉末的颗粒表面，使混合粉末致密化过程在较低的烧结温度下进行，大大缩短烧结时间，烧结得到的B4C陶瓷块体致密度可高达99.9％，并且有第二相生成，综合力学性能良好，弯曲强度最高可达497.6MPa，可应用于防护材料领域。
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公开(公告)号：CN113355545A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110667644.6
申请日：2021-06-16
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种钛合金材料的制备方法，属于金属材料制备技术领域。所述方法如下：(1)将Ti‑6Al‑4V钛合金粉末放置于内径为Φy的硬质合金模具当中，采用放电等离子烧结系统进行预成型烧结，烧结结束后，清洗，干燥，得到块体材料；(2)将所述块体材料放置于内径为Φc的模具当中，在放电等离子烧结系统中进行热压缩变形‑原位压力锻造，得到一种钛合金材料；所述Ti‑6Al‑4V钛合金为α+β双相钛合金。所述方法仅通过放电等离子烧结系统实现了钛合金材料的制备，方法简单，效率高；且通过所述方法制备得到的钛合金材料的强度和塑性能够同时得到改善。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109136608B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810962233.8
申请日：2018-08-22
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种取向可控的TiB晶须增强钛基复合材料的制备方法，属于金属基复合材料领域。所述方法利用球磨、放电等离子低温成型以及放电等离子热变形三种技术结合，有效调控TiB晶须达到在钛基复合材料中取向一致的最优形貌；所述方法中，变形温度可控，气氛可控，无氧化等不利因素影响，且变形速率可通过加压速率间接调控，得到的TiB晶须长径比高，完整性好，与钛基体具有良好的界面结合及共格关系，可依据荷载转移机制中取向因子、长径比优化对基体产生强化作用，显著提升了本发明所述复合材料的综合力学性能；充分解决了TiB晶须取向不易调控，手段单一，晶须长径比低，需要额外的热变形设备并因此增加工艺难度和成本等问题。
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公开(公告)号：CN108796265B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810684391.1
申请日：2018-06-28
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种TiB纳米增强钛基复合材料的制备方法，属于金属基复合材料领域。该方法利用球磨、放电等离子烧结和热轧结合制得所述复合材料。通过球磨制备原始粉末；利用放电等离子烧结效率高，外加压力和烧结气氛可控的优点，在较低烧结温度与高压下，控制TiB2颗粒与周围钛或钛合金基体不发生原位反应前提下，制备高致密度的烧结块体；最后，通过热轧使烧结块体内TiB2颗粒与周围钛或钛合金基体发生原位反应形成晶须，同时基体晶粒发生变形，降低组织内的孔隙率，提高所述复合材料强度与塑性；所述方法原位内生的TiB纳米晶须，表面洁净，在基体中均匀分布无团聚，与钛基体具有良好的界面结合及共格关系，并有效地细化基体晶粒。
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公开(公告)号：CN107419126B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201710535944.2
申请日：2017-07-04
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种TiB‑TiB2‑Al复合陶瓷的快速制备方法，属于功能防护材料制备领域。所述方法将TC4粉，Al粉和TiB2粉加入球磨罐中，加入球磨介质，球磨至混合均匀，干燥，得到混合粉体；采用放电等离子烧结系统对所述混合粉体进行烧结处理，得到TiB‑TiB2‑Al复合陶瓷。所述方法制备得到的TiB‑TiB2‑Al复合陶瓷致密度高，硬度高，强度高，综合性能良好，可应用于防护材料领域；生产工艺简单易行，周期短，实用性强，利于工业化。
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公开(公告)号：CN107244918A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710535954.6
申请日：2017-07-04
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种TiB‑TiC‑TiB2‑B4C‑Al复合陶瓷的快速制备方法，属于功能防护材料制备领域。该方法是将TC4粉、Al粉、TiB2粉和B4C粉加入球磨罐中，加入球磨介质，球磨至混合均匀，干燥，得到混合粉体；采用放电等离子烧结系统对所述混合粉体进行烧结处理，得到所述复合陶瓷；该方法制备得到的复合陶瓷致具有更高的强度，高温硬度，断裂韧性和耐磨性，总体性能提升很大，是未来复合防护材料中陶瓷材料的理想选择。
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公开(公告)号：CN108794013B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201810834606.3
申请日：2018-07-26
Applicant: 北京理工大学
IPC: C04B35/563 , C04B35/65
Abstract: 本发明涉及一种B4C陶瓷块体及其快速制备方法，属于装甲防护材料制备领域。所述陶瓷块体的组成及质量分数为：B4C 90.8％～99.87％，TiB20.078％～5.52％，SiC 0.052％～3.68％。所述制备方法为：将B4C、Ti3SiC2和Si粉球磨混合均匀；再用放电等离子烧结系统烧结，得到所述陶瓷块体。放电等离子烧结的电场会在烧结过程中清洁和活化所述混合粉末的颗粒表面，使混合粉末致密化过程在较低的烧结温度下进行，大大缩短烧结时间，烧结得到的B4C陶瓷块体致密度可高达99.9％，并且有第二相生成，综合力学性能良好，可应用于防护材料领域。
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