一种低气压等离子体发生器的腔室气压校准方法及系统

    公开(公告)号:CN113670517A

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN202111042766.2

    申请日:2021-09-07

    Inventor: 孙金海

    Abstract: 本发明实施例提供了一种低气压等离子体发生器的腔室气压校准方法及系统。该方法包括:通过预设实验条件,测量低气压等离子体发生器腔室内的真实电子密度分布;其中,预设实验条件包括预设腔室气压;基于预设腔室气压,确定多个待输入腔室气压;将每一个待输入腔室气压及其它预设实验条件输入到预先构建好的仿真模型中,得到与该待输入腔室气压相对应的模拟电子密度分布;基于真实电子密度分布,在得到的多个模拟电子密度分布中确定出目标模拟电子密度分布,并将与目标模拟电子密度分布对应的待输入腔室气压作为腔室的气压。通过该方法可以精确校准等离子体发生器的腔室气压。

    一种用于等离子体密度分布的检测方法及检测装置

    公开(公告)号:CN113329553A

    公开(公告)日:2021-08-31

    申请号:CN202110655457.6

    申请日:2021-06-11

    Abstract: 本申请提供了一种用于等离子体密度分布的检测方法及检测装置,其中,将原始激光经过第一分束镜的分束形成第一子激光及第二子激光,第二子激光经过等离子体区域后与第一子激光通过第二分束镜的合束生成合成激光;根据合成激光生成检测干涉条纹图像;根据检测干涉条纹图像生成检测干涉条纹图像的偏移量;根据偏移量计算等离子体的密度,重复测量等离子体多个方位上的二维密度分布,计算构建等离子体密度的三维空间分布图像。本申请提供的检测方法,由于等离子体对第二子激光的影响,干涉条纹的形状会发生变形计算可得到多个干涉条纹变形的偏移量,再通过多个偏移量能够得到等离子体密度的空间分布。

    一种等离子发生装置及方法

    公开(公告)号:CN112188715A

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN202011050307.4

    申请日:2020-09-29

    Abstract: 本申请提供了一种等离子发生装置及方法,其中,等离子发生装置包括:反应壳、两个极性相反的电极、抽气装置、供气装置,气压检测装置以及控制装置。本申请提供的等离子发生装置,抽气装置以第一速率强力、快速地将反应室内的空气抽走,当反应室达到第一设定气压时,通过供气装置向反应室内提供用于电离的气体,当反应室达到第二设定气压时,高压脉冲电源对两个电极供电以对气体进行电离,以使反应室内产生等离子,抽气装置以第二速率持续、缓慢地抽取反应室内的气体,让被电离的气体缓慢地动态平衡地在反应室内流动,以在反应室内产生密度相对稳定的低气压气流,防止了电离后气体的疲劳的同时提供了相对较为稳定的等离子体电离介质。

    超表面透镜角反射器
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111981438A

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:CN202010940933.4

    申请日:2020-09-09

    Abstract: 本发明涉及超表面透镜角反射器,包括金属薄层、介质层和反射镜,两层介质层分别分布在三层金属薄层相接面之间,金属薄层与介质层均为圆盘状,反射镜为中心旋转对称的圆弧球壳,反射镜位于金属薄层下方,反射镜与最底部金属薄层间距为反射镜内圆弧半径,反射镜敞口端朝向金属薄层,本发明具有能够克服采用单一反射型超表面后向散射增强工作角域窄和单向工作的缺陷,能够在宽角域范围内工作,且结构小巧、紧凑、轻材质,易平面共形和灵活设计的优点。

    一种快速调整太赫兹时域光谱测量静区尺寸的装置及方法

    公开(公告)号:CN111879238A

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN202010761630.6

    申请日:2020-07-31

    Abstract: 本发明涉及一种快速调整太赫兹时域光谱测量静区尺寸的装置及方法,包括太赫兹天线、第一反射镜、第二反射镜、第三反射镜、主反射镜、第一电移台、第二电移台和调整部件,第一、第二电移台均架设在光学平台上,太赫兹天线架设在第一电移台上,第一、第三反射镜分别架设在两个调整部件上,两个调整部件分别架设在第一、第二电移台上,第二反射镜固连在第二电移台一侧的光学平台上,主反射镜固连在第二电移台另一侧的光学平台上;第一反射镜移动将太赫兹天线发射的波束反射到第二反射镜或第三反射镜上,第二反射镜和第三反射镜反射波束至主反射镜上,本发明提高太赫兹时域光谱散射测量系统目标测试尺寸选择灵活性的优点。

    适用于太赫兹频段高反射材料介电参数测量装置及方法

    公开(公告)号:CN109188105B

    公开(公告)日:2020-10-13

    申请号:CN201811219803.0

    申请日:2018-10-19

    Abstract: 本发明涉及一种适用于太赫兹频段高反射材料介电参数测量装置及方法,该装置包括参考板、透射测量模块、反射测量模块和计算模块;该方法采用部分透射、部分反射的材料作为参考板,通过对参考板的透射测量,获得其复折射率,并推算其在设定入射角度下的反射率;分别测量参考板和待测材料板在同一设定入射角度下反射的太赫兹波能量,并结合推算的参考板的反射率,计算待测材料板的反射率;根据测量频段待测材料板的反射率及外推反射率,计算待测材料板引起的相移,从而得到待测材料板的复介电参数。该装置及方法基于光纤耦合的太赫兹时域光谱技术,特别适用于太赫兹频段高反射材料的介电参数的测量,有助于提高反射率、介电参数测量的准确度。

    一种太赫兹频段RCS测量用支架材料的选取方法

    公开(公告)号:CN106092966B

    公开(公告)日:2019-03-26

    申请号:CN201610366147.1

    申请日:2016-05-27

    Abstract: 公开了一种太赫兹频段RCS测量用支架材料的选取方法,包括:选取M种泡沫材料作为测试样品;对于选取的每种泡沫材料,通过太赫兹时域光谱测量系统测量未放置测试样品时的时域光谱Er,i(t)、以及放置测试样品时的时域光谱Es,i(t);对Er,i(t)、Es,i(t)进行傅里叶变换,以获取频域光谱Er,i(w)、Es,i(w);然后,根据Er,i(w)、Es,i(w)、以及泡沫材料的厚度di,计算该泡沫材料的折射率谱ni(w);对于选取的每种泡沫材料,计算其折射率谱的折射率均值以及的值,并且,将取最小值的泡沫材料作为太赫兹频段RCS测量用支架材料。本发明通过太赫兹时域光谱技术,便于快速、无损的分析材料的电磁散射特性,进而在样品中迅速找到适用于太赫兹频段RCS测量的支架材料。

    适用于太赫兹频段高反射材料介电参数测量装置及方法

    公开(公告)号:CN109188105A

    公开(公告)日:2019-01-11

    申请号:CN201811219803.0

    申请日:2018-10-19

    CPC classification number: G01R27/2682

    Abstract: 本发明涉及一种适用于太赫兹频段高反射材料介电参数测量装置及方法,该装置包括参考板、透射测量模块、反射测量模块和计算模块;该方法采用部分透射、部分反射的材料作为参考板,通过对参考板的透射测量,获得其复折射率,并推算其在设定入射角度下的反射率;分别测量参考板和待测材料板在同一设定入射角度下反射的太赫兹波能量,并结合推算的参考板的反射率,计算待测材料板的反射率;根据测量频段待测材料板的反射率及外推反射率,计算待测材料板引起的相移,从而得到待测材料板的复介电参数。该装置及方法基于光纤耦合的太赫兹时域光谱技术,特别适用于太赫兹频段高反射材料的介电参数的测量,有助于提高反射率、介电参数测量的准确度。

    太赫兹频谱校准系统及方法
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109030406A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201811187004.X

    申请日:2018-10-12

    CPC classification number: G01N21/3586

    Abstract: 本发明涉及一种太赫兹频谱校准系统,包括激光光源、太赫兹波产生单元、探测单元、太赫兹光路、准直光路、透射反射片、分光元件和标准量具,该系统利用太赫兹波在标准量具内多次反射形成的周期性的标准量具振荡,对太赫兹时域光谱进行频率校准,并且,该系统通过引入准直光路,利用同源的准直光实现太赫兹波光路间接校准,使得太赫兹波与标准量具垂直,减小由非垂直入射引起的频谱误差,有效提高系统的准确性和可靠性。本发明还提供了一种太赫兹频谱校准方法,通过太赫兹频谱校准系统进行频谱校准,利用反向输入太赫兹光路的准直光调整太赫兹光路,使标准量具与太赫兹波垂直,减小标准量具对太赫兹倾斜角引起的频谱误差。

    一种基于电光取样原理的太赫兹脉冲探测器

    公开(公告)号:CN104515602A

    公开(公告)日:2015-04-15

    申请号:CN201410758974.6

    申请日:2014-12-10

    Abstract: 本发明提供一种基于电光取样原理的太赫兹脉冲探测器,所述基于电光取样原理的太赫兹脉冲探测器包括:电光晶体、λ/4波片、偏振分束镜和差分探测器,所述差分探测器包括雪崩二极管和配阻,所述雪崩二极管与所述配阻连接。本发明的基于电光取样原理的太赫兹脉冲探测器,通过在差分探测器中设置雪崩二极管和配阻,并将所述雪崩二极管与所述配阻连接,大大提升太赫兹信号的信噪比和动态范围。

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