公开(公告)号：CN116759310A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202311065455.7

申请日：2023-08-23

Applicant: 北京无线电测量研究所

Inventor： 徐浩 ,  边旭明 ,  董鹏 ,  廖梦雅 ,  杨云畅

IPC: H01L21/3213 ,  G03F7/42

Abstract: 本发明公开了一种使用正型光刻胶的金属剥离方法，所述方法包括：在衬底上涂布正型光刻胶；以掩膜版与正型光刻胶相接触的方式，对光刻胶进行曝光，在光刻胶与掩模版接触的表面部分形成倒勾形区域；对光刻胶进行预烤并显影，形成上方为正梯形的光刻胶开口；在光刻胶上和光刻胶开口中蒸镀金属；剥离光刻胶，留下光刻胶开口中的金属，得到金属图形。本发明能够降低制备成本，提高芯片质量，适用于大规模化的产品生产。

公开(公告)号：CN116504609B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310769716.7

申请日：2023-06-28

Applicant: 北京无线电测量研究所

Inventor： 杨云畅 ,  徐浩 ,  刘满满 ,  董鹏 ,  边旭明

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明公开了一种翘曲晶圆应力消除方法，包括如下步骤：在室温下对翘曲晶圆进行曲率测试得到晶圆的翘曲度；根据晶圆的翘曲度选择粘附层和应力层的种类；在晶圆的背面依次形成粘附层和应力层，使得粘附层和应力层形成的应力与晶圆的应力平衡，从而使室温下的晶圆表面平整；器件工艺完成后，对粘附层和应力层进行第一段温度下的加热，所述第一段温度为25℃～75℃，然后对粘附层和应力层进行第二段温度下的加热，所述第二段温度为‑55℃～10℃，使粘附层和应力层从晶圆背面剥离，并使晶圆背面出现断裂，从而消除晶圆内部的应力。本发明能够消除晶圆翘曲对器件工艺的不利影响，并且能够消除翘曲晶圆内部的应力，防止碎片风险。

公开(公告)号：CN116344337B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310622486.1

申请日：2023-05-30

Applicant: 北京无线电测量研究所

Inventor： 徐浩 ,  杨云畅

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明公开了一种化合物半导体晶圆背面加工方法，包括：在晶圆正面涂布第一层高熔点的键合胶剂，完全覆盖结构器件作为器件保护层，在器件保护层上涂布第二层熔点低于第一层的键合胶剂，第一层键合胶剂的熔点高于第二层键合胶剂的熔点10°C以上，第二层键合胶剂涂布的厚度大于5微米；通过加热使第二层键合胶剂达到熔点软化，通过加压使晶圆与蓝宝石载具贴合后降温，使晶圆与蓝宝石载具键合在一起；通过砂轮研磨将晶圆衬底减薄；通过加热使第二层键合胶剂达到熔点软化，将蓝宝石载具从减薄的晶圆上卸载，使用有机溶剂对晶圆正面残留的第一层键合胶剂和第二层键合胶剂进行清洗。本发明能够确保结构器件在键合及解键过程中不会压伤受损。