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公开(公告)号：CN119001963A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411142596.9
申请日：2024-08-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开集束光纤装卡结构及键合方法，包括：光纤束，光纤束中部套设有固定环；收缩夹具，收缩夹具固定在光纤束的端部靠下位置；光纤卡盘，光纤卡盘包括壳体，上沿轴线方向开设有通孔，壳体顶部轴向等间距开设有滑槽，滑槽内滑动连接有定位块，壳体安装有调节组件，壳体底部可拆卸连接有底板，光纤束穿过底板，且收缩夹具与定位块之间限位配合；牺牲玻璃，牺牲玻璃设置有若干组，若干牺牲玻璃分别固定在定位块的顶面；键合晶体，键合晶体设置在牺牲玻璃远离定位块的一侧，且键合晶体与壳体之间同轴设置，键合晶体与光纤束之间键合。本发明在光纤端面接口具有较好的透光度和键合强度，使连接位置有低位错密度，提高了抗损伤阈值。
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公开(公告)号：CN118763506A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410905847.8
申请日：2024-07-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种增强型级联耦合激光芯片及制备方法，包括：在同一外延结构上表面上依次设置的片上布拉格反射光栅、脊形波导阵列、第一泄漏槽、锥形波导阵列、第二泄漏槽和级联耦合区；片上布拉格反射光栅设置在脊形波导阵列后端面，第一泄漏槽设置在脊形波导阵列中的各个脊形波导的两边，第二泄漏槽设置在锥形波导阵列中的各个锥形波导的两边，级联耦合区设置在锥形波导阵列的前端面。本发明通过在脊形波导阵列后端设置片上布拉格反射光栅，并配合第一泄漏槽和第二泄漏槽，提高了激光纵模模式与横模模式的选择特性，再通过锥形波导阵列的放大作用和级联耦合区的耦合作用，得到大功率激光束输出，最终可获得高亮度、高功率的基模光束输出。
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公开(公告)号：CN118299936A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410432386.7
申请日：2024-04-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种增强型偏振可调的VCSEL激光阵列芯片结构与制备方法，包括：半导体衬底和形成于半导体衬底上表面的半导体外延层；半导体外延层包括自下而上依次设置的N型反射镜、发光有源区、氧化限制区、P型反射镜和盖层，半导体外延层的全部或上部分呈双椭圆正交MESA结构，半导体外延层的盖层刻蚀形成亚波长表面光栅；半导体外延层上表面设置交叉环形椭圆P型金属电极，利用金属光子引线技术完成交叉环形椭圆P型金属电极的分别连通，半导体衬底下表面设置N型金属电极。本发明可同时实现VCSEL芯片稳定的偏振模式输出以及偏振模式的调控，进一步扩大VCSEL芯片在光通信网络的应用范围，提高通信数据吞吐量。
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公开(公告)号：CN118244412A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410344477.5
申请日：2024-03-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: G02B6/02 , C03B37/012 , C03B37/027
Abstract: 本发明提供一种包含纳米芯结构的类空芯光纤及其制备方法，属于光纤技术领域。所述光纤包括沿径向由内向外依次布局的纳米丝芯、支撑层和包层环，所述纳米丝芯位于所述光纤中心；所述支撑层包括沿径向布局的多层互相接触的空芯毛细管；或，所述支撑层包括若干连接于所述纳米丝芯和包层环之间的轴瓦支撑片。根据不同支撑层，将所述支撑层沿轴向套入初始包层环，随后再沿轴向边吹气边拉伸，即得。本发明的包含纳米芯结构的类空芯光纤解决了现有技术中高功率实芯光纤损耗高、空芯光纤传输不稳定的问题。
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公开(公告)号：CN117791303A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410011661.8
申请日：2024-01-04
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种非同腔相干阵边发射半导体激光器及制备方法，包括：半导体衬底和形成于半导体衬底上表面的半导体外延层；半导体外延层上表面依次设置有一维非同腔阵列区、相位调制区和相干耦合区；一维非同腔阵列区包括交替排列的长腔和短腔，相邻腔体之间设置有电隔离区；一维非同腔阵列区上表面设置有P型金属电极层，半导体衬底下表面设置有N型金属电极层；一维非同腔阵列区端面设置有高反膜，相干耦合区端面设置有增透膜。本发明可以实现半导体激光阵列稳定锁相的同相模输出，且光束质量达到近衍射极限，远场光场呈线形分布，可用于对目标线性扫描，大大提升了激光雷达的探测速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117595056A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311550799.7
申请日：2023-11-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种高功率光纤激光器频谱线性调控优化方法，包括：定义目标谱和调制谱，基于目标谱和调制谱的差值构建代价函数；定义多点的相位调制信号φ(k)，k＝1、2…M‑1、M；在[‑π，π]中搜索φ(1)，同时固定其他M‑1个点，通过φ(1)的变化，使代价函数最小；同时，依据相同的方法依次确定φ(2)～φ(M)，完成第一次迭代；在上一次迭代所确定的φ(1)～φ(M)的基础上，依据相同的方法重复迭代m次，直至代价函数达到稳定值，此时停止迭代，获得优化后的相位调制信号φ(k)；将优化后的相位调制信号φ(k)加载到光纤激光器光路中。本发明是通过优化调制信号波形，提升光纤放大器的SBS阈值。
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公开(公告)号：CN116594114B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202310572409.X
申请日：2023-05-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: G02B6/255
Abstract: 本发明公开了一种激光加热光纤熔融的拉锥方法，包括以下步骤：下位机实时监测加热区域的温度，并把监测到的所述温度生成相应的温度值，反馈给上位机；所述上位机根据所述下位机反馈的温度值的变化，调整拉锥平台拉锥速度。本发明还公开了一种实现激光加热光纤熔融的拉锥方法的拉锥系统，主要包括下位机和下位机，所述下位机用于实时监测加热区域的温度，并把监测到的所述温度生成相应的温度值，反馈给上位机，所述上位机用于根据所述下位机反馈的温度值的变化，调整拉锥平台拉锥速度。本发明具有提高了光纤分光比达到要求的比率和方便维修人员及时维修等优点。
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公开(公告)号：CN117293657A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311251462.6
申请日：2023-09-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种振荡放大式相干阵边发射半导体激光器及制备方法，包括：包括：半绝缘衬底和形成于半绝缘衬底上表面的外延层；外延层的上表面依次设置有一维单模脊波导阵列区、振荡放大区和相位光栅区，一维单模脊波导阵列区与振荡放大区之间设有电学隔离沟道；一维单模脊波导阵列区的另一侧设置高反膜，相位光栅区的另一侧设置增透膜；一维单模脊波导阵列区和振荡放大区的上表面设置P面电极，半绝缘衬底的下表面设置N面电极。本发明可以实现器件高功率、高光束质量输出下同相模激射，且远场表现为超窄侧向发散角单峰模式，器件在工作过程中具有较高的鲁棒性及稳定性。
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公开(公告)号：CN113937179B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202111211724.7
申请日：2021-10-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/0687 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种双面双结Si基GaAs太阳能电池及其制备方法，包括：n‑Si层和n‑GaAs层；n‑Si层的上下表面分别掺杂形成p+‑Si层和n+‑Si层，p+‑Si层上依次形成有Si氧化物层和第一隧道结；n‑GaAs层的上下表面分别掺杂形成p+‑GaAs层和n+‑GaAs层，n+‑GaAs层上形成有GaAs氧化物层，GaAs氧化物层键合在第一隧道结上；在p+‑GaAs层、n‑GaAs层、n+‑GaAs层、GaAs氧化物层、第一隧道结和Si氧化物层刻蚀形成有导电沟槽，导电沟槽内填充有导电材料填充物；p+‑GaAs层和n+‑Si层上分别制备减反射层、欧姆接触层和金属电极。本发明通过刻蚀出导电沟道实现电池内部电子的有效输运，提高电池内部的电学特性，进而能够提高太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN116594096A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310299995.5
申请日：2023-03-26
Applicant: 北京工业大学
IPC: G02B6/02
Abstract: 本发明公布了一种金属化密封光纤的制备装置与制备方法。该装置包括了底座，底座上分别设置三个位移台，三个位移台构成一个三角形，其中两个水平设置的位移台上分别置有绝缘板，每个绝缘板上分别固定有一个石墨夹刀，石墨夹刀的两个刀口相对，每个石墨刀片分别与导电线连接，电线与互感器连接；V型槽夹头固定在另外一个位移台上。本发明制备装置简单，较传统制备装置拆卸和组装更简单；金属化密封光纤中的金属套管和裸纤同心度高提高到2个数量等级，达到纳米级；传统制备装置中的电极易和焊料熔接在一起，且电极在高温时容易变形，而本发明中从根本上解决了焊料和传统电极熔接在一起及电极高温变形的问题，同时使焊料融化速度提高3～5倍。
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