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公开(公告)号：CN119471281A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411611879.3
申请日：2024-11-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于瞬态漏源电流响应的CNTFET陷阱表征方法，属于半导体器件可靠性领域。包括：给定陷阱填充阶段的栅极填充电压区间；给定陷阱测试阶段的测试电压条件；给定陷阱测试阶段瞬态电流响应的测试时间范围及精度；给定陷阱能级及时间常数的测试范围。对CNTFET施加一定栅极填充电压以填充空穴陷阱，采集栅极和漏极测试电压下CNTFET漏源两端的瞬态电流响应曲线，并通过贝叶斯反卷积建立空穴陷阱的时间常数谱，提取CNTFET内部陷阱的时间常数参数。在多组温度条件下重复测试并获取陷阱时间常数的变化，利用阿伦尼乌斯公式计算CNTFET陷阱能级参数。本专利涉及方法操作简单便捷，可适用于多种来源CNTFET器件，可实现CNTFET陷阱参数的准确、无损、原位表征。
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公开(公告)号：CN117074893A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310809170.3
申请日：2023-07-04
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种采用射频切换电路实现HEMT热阻准在线测量的方法和装置。本发明通过控制射频切换电路可将被测HEMT器件从工作回路与热阻测量电路中来回切换，同时实现器件射频工作功能以及热阻测量功能。射频切换电路将防自激电路与射频切换开关相结合；通过电路改进将热阻仪的状态切换与射频切换电路开关切换控制集成到一起，热阻测量流程可变更为首先射频开关与第二选通端连接，HEMT器件处于工作回路中的射频下工作状态，而后热阻测试仪开关切换到热阻测试仪测量状态同时使得射频开关一同切换，射频开关从工作回路中断开与热阻测试仪连接进行热阻测量，从而由射频下工作状态替代热阻测试仪工作状态，所得热阻为器件处于实际射频工作状态下的真实热阻。
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公开(公告)号：CN116520117A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310429707.3
申请日：2023-04-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种采用探针接触快速测量多路半导体器件的温度系数的方法和装置。本发明将控制模块、激励源模块、测量模块、采集模块、传输模块以及数据处理模块进行了级联调试，设计了对应测试器件的夹具，采用探针法进行测量，完成了高精度的温度系数测量系统的设计与实现。本发明提供的测量方法和装置解决了传统测量只能测量单只器件的问题，同时完成了测量系统的自动化实现，省去了复杂的人工操作，同时提高了测量精度。
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公开(公告)号：CN115902564A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211464061.4
申请日：2022-11-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种用于光电探测器热阻测量的光功率及反向偏置控制装置及方法，涉及半导体光电探测器热特性测量技术领域。本发明包括：第一门驱动电路与光功率设置模块连接；第二门驱动电路与绝缘栅开关器件的栅极连接；测试电流源与被测光电探测器的阳极连接；二极管的阳极与被测光电探测器的阳极连接，二极管的阴极与绝缘栅开关器的漏极连接；绝缘栅开关器的源极与电压源的一端连接；电压源的另一端与被测光电探测器的阴极连接；光功率设置模块通过光路与被测光电探测器连接。本发明可实现从同时设置光功率为通并施加反向偏置的加热状态到设置光功率为断并施加正向电流的测试状态的高速切换。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111289562B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010250313.8
申请日：2020-04-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种薄层热阻测试探针的结构及测试方法，属于半导体材料及器件的电学和热学测试技术领域。所述热测试探针结构包括：探头芯片及封装结构。其中：探头芯片包括由多个二极管串联及并联组成的温度探头，掺杂多晶硅图形构成的微加热器，引线电极及半导体衬底材料；封装结构包括用于固定探头芯片和引出电极的基板和用于移动探头芯片及施加压力的弹簧支撑结构。本发明设计了一种采用双面工艺的Si基测温探头芯片组成的薄层热阻测试探针结构，采用加热源与测量源分离的结构设计，能够实现加热状态和测量状态同时进行，不存在开关延迟，可以对半导体芯片及薄层材料实现非开关式的热阻测量。
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公开(公告)号：CN110673009B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201910974943.7
申请日：2019-10-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种用于高压下SiC MOS热阻测量的栅漏短路及栅压供给装置属于功率MOS器件热设计和测试领域。本发明设计了被测SiC MOS器件栅‑漏短接快速切换开关以及栅压供给装置。可用于得到温敏参数曲线，随后施加一定的工作电流并使器件输出功率达到稳态；由加热状态快速切换为测试状态并采集源‑漏寄生二极管的导通压降，得到器件的结温曲线；由结构函数法处理分析得到SiC MOS器件的热阻构成。本发明旨在研究SiC MOS器件纵向热阻分析技术，为SiC MOS器件的热阻特性研究和失效分析提供条件。
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公开(公告)号：CN111289562A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010250313.8
申请日：2020-04-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种薄层热阻测试探针的结构及测试方法，属于半导体材料及器件的电学和热学测试技术领域。所述热测试探针结构包括：探头芯片及封装结构。其中：探头芯片包括由多个二极管串联及并联组成的温度探头，掺杂多晶硅图形构成的微加热器，引线电极及半导体衬底材料；封装结构包括用于固定探头芯片和引出电极的基板和用于移动探头芯片及施加压力的弹簧支撑结构。本发明设计了一种采用双面工艺的Si基测温探头芯片组成的薄层热阻测试探针结构，采用加热源与测量源分离的结构设计，能够实现加热状态和测量状态同时进行，不存在开关延迟，可以对半导体芯片及薄层材料实现非开关式的热阻测量。
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公开(公告)号：CN110673009A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910974943.7
申请日：2019-10-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种用于高压下SiC MOS热阻测量的栅漏短路及栅压供给装置属于功率MOS器件热设计和测试领域。本发明设计了被测SiC MOS器件栅-漏短接快速切换开关以及栅压供给装置。可用于得到温敏参数曲线，随后施加一定的工作电流并使器件输出功率达到稳态；由加热状态快速切换为测试状态并采集源-漏寄生二极管的导通压降，得到器件的结温曲线；由结构函数法处理分析得到SiC MOS器件的热阻构成。本发明旨在研究SiC MOS器件纵向热阻分析技术，为SiC MOS器件的热阻特性研究和失效分析提供条件。
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