-
公开(公告)号：CN114613872B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202210209621.5
申请日：2022-03-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/112 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种全光谱探测场效应晶体管及制备方法，在p型硅衬底的顶部间隔预设距离形成有两个高掺杂N+型区；在两个高掺杂N+型区之间的p型硅衬底顶部刻蚀有周期性的空气光子晶体，在所有空气光子晶体内生长吸收红外光波段的半导体光子晶体；p型硅衬底上形成有抗反射薄膜绝缘层；抗反射薄膜绝缘层上形成有表面等离子激元、与一高掺杂N+型区相连的源极、栅极和与另一高掺杂N+型区相连的漏极，栅极形成在源极与漏极之间，等离子激元形成在源极与栅极以及栅极与漏极之间。本发明的场效应晶体管具有全光谱覆盖、强感光性能、高响应度和高集成度等优点，适用波长范围为可见光和红外光波段，且制造工艺简单，以硅作为器件主要材料成本较低。
-
公开(公告)号：CN114613872A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210209621.5
申请日：2022-03-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/112 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种全光谱探测场效应晶体管及制备方法，在p型硅衬底的顶部间隔预设距离形成有两个高掺杂N+型区；在两个高掺杂N+型区之间的p型硅衬底顶部刻蚀有周期性的空气光子晶体，在所有空气光子晶体内生长吸收红外光波段的半导体光子晶体；p型硅衬底上形成有抗反射薄膜绝缘层；抗反射薄膜绝缘层上形成有表面等离子激元、与一高掺杂N+型区相连的源极、栅极和与另一高掺杂N+型区相连的漏极，栅极形成在源极与漏极之间，等离子激元形成在源极与栅极以及栅极与漏极之间。本发明的场效应晶体管具有全光谱覆盖、强感光性能、高响应度和高集成度等优点，适用波长范围为可见光和红外光波段，且制造工艺简单，以硅作为器件主要材料成本较低。
-
公开(公告)号：CN113258438B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202110546169.7
申请日：2021-05-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种出射相干光的VCSEL阵列芯片，属于激光器技术领域，包括VCSEL激光芯片，VCSEL激光芯片包括衬底层、第一反射镜以及激光发射单元阵列；与VCSEL激光芯片间隔设置的等离子体辐射层，且在等离子体辐射层一面上刻画有与激光发射单元阵列相对应的等离子体辐射栅，另一面设有反射层；第一激光发射单元垂直向等离子辐射层发射激光，使得等离子体辐射栅的自由电子发生集体振荡，激发出表面等离激元，表面等离激元在等离子体辐射栅和等离子体辐射层之间振荡传播，表面等离激元在反射层的作用下，以倏逝波形式垂直于等离子体辐射层表面方向传播，并激发第二激光发射单元发光，发出相干光。
-
公开(公告)号：CN113258438A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110546169.7
申请日：2021-05-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种出射相干光的VCSEL阵列芯片，属于激光器技术领域，包括VCSEL激光芯片，VCSEL激光芯片包括衬底层、第一反射镜以及激光发射单元阵列；与VCSEL激光芯片间隔设置的等离子体辐射层，且在等离子体辐射层一面上刻画有与激光发射单元阵列相对应的等离子体辐射栅，另一面设有反射层；第一激光发射单元垂直向等离子辐射层发射激光，使得等离子体辐射栅的自由电子发生集体振荡，激发出表面等离激元，表面等离激元在等离子体辐射栅和等离子体辐射层之间振荡传播，表面等离激元在反射层的作用下，以倏逝波形式垂直于等离子体辐射层表面方向传播，并激发第二激光发射单元发光，发出相干光。
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.02 seconds)
