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公开(公告)号：CN113744679A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110863778.5
申请日：2021-07-29
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供一种栅极驱动电路，其包括时钟信号线和N个级联的移位寄存器，第n级移位寄存器包括输出电路、置位电路和复位电路，输出电路包括第三晶体管和第四晶体管，置位电路的置位端口与另一移位寄存器的级传信号输出端相连，复位电路连接在第一控制节点和低电位端之间，其复位端口与第n+x级移位寄存器的驱动信号输出端相连。本发明还提供一种显示面板，其包括栅极驱动线、源极驱动线、像素电路阵列和上述栅极驱动电路。采用本发明的栅极驱动电路，输出电路独立地输出级传信号和栅极驱动信号，级传信号输出端上的负载相对于驱动信号输出端上的负载更小，栅极驱动电路在较宽的工作温度范围内都具有较高的响应速度以及较高的稳定性。
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公开(公告)号：CN113409717A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110520882.4
申请日：2021-05-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请提供了一种移位寄存器单元电路，包括置位晶体管，控制极配置为接收前一级输出信号，第二极耦合到低电平，置位晶体管为N型；复位晶体管，控制极配置为接收后一极输出信号，第二极耦合到低电平，复位晶体管为N型；第一CMOS反相器，输出端耦合到置位晶体管的第一极，输入端耦合到输出端和复位晶体管的第一极，第一控制极配置为接收高电平，第二控制极耦合到低电平；以及驱动晶体管，第一极耦合到输出端和所述复位晶体管的第一极，第二极配置为接收第一时钟信号，控制极耦合到第一CMOS反相器的输出端和置位晶体管第一极；第一时钟信号的有效电平与前一级输出信号的有效电平时段以及后一级输出信号的有效电平时段之间不交叠。
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公开(公告)号：CN118737025A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310359009.0
申请日：2023-03-29
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/32
Abstract: 本申请涉及一种显示像素电路，包括显示发光元件；脉宽调制(PWM)模块，配置为接收第一扫描信号、复位信号、参考信号和显示信号，并输出PWM信号；恒流产生模块，配置为接收PWM信号，并在其控制下向显示发光元件提供驱动电流；其中脉宽调制模块包括存储单元，其输入端配置为先后接收复位信号、显示信号和参考信号；反相器单元，其输入端耦合到存储单元的输出端；阈值电压补偿单元，包括耦合在所述反相器单元的输出端和输入端之间的第一晶体管，第一晶体管的控制极配置为接收所述第一扫描信号，当第一扫描信号有效时，第一晶体管导通并配置为将反相器单元的输出端和输入端彼此耦合。
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公开(公告)号：CN118692362A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202310319319.X
申请日：2023-03-22
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/32 , H05B45/325 , H05B45/345
Abstract: 本申请涉及一种用于像素电路的脉冲宽度调制驱动方法，包括接收初始显示数据，针对一个显示像素电路来说每帧的所述初始显示数据包括X位二进制数；将所述初始显示数据转化为第一显示数据，所述第一显示数据包括具有Y位的K进制数；每一帧被分为Y个子帧，每个子帧包括写入时间和最长发光时间，每一子帧中的最长发光时间至少是关于K以及该子帧的序号y的函数，其中y是大于0小于等于Y的整数；在各子帧的写入时间中将所述第一显示数据的相应位写入该显示像素电路；以及基于所述第一显示数据驱动所述显示像素电路中的发光元件发光。本申请还涉及一种有源显示像素电路以及包含如前述显示像素电路的电子设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116935781A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210368248.8
申请日：2022-04-01
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/32
Abstract: 本申请涉及一种像素电路，包括Micro‑LED发光元件；输入模块，配置为接收和存储电压数据信号；比较模块，耦合到所述输入模块，配置为从输入模块接收数据电压信号并将其和第一参考信号进行比较，其中第一参考信号在显示发光阶段以一预设斜率变化，并根据比较结果输出驱动信号；驱动模块，耦合到比较模块，配置为接收驱动信号并根据其控制显示发光阶段中电流流经驱动晶体管的时间长度；驱动模块中的驱动晶体管包括双栅晶体管，其第一控制极配置为接收驱动信号；补偿模块，耦合在所述驱动晶体管的第二控制极及其第一极之间，配置为对驱动模块中驱动晶体管的阈值电压漂移进行补偿，从而使显示发光阶段中流经驱动晶体管的电流保持稳定。
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公开(公告)号：CN115411135A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211128869.5
申请日：2021-05-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/113 , H01L31/119 , H01L31/032 , H01L31/18 , G01J1/42
Abstract: 本申请提供了一种光电探测晶体管包括衬底、底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层和顶栅电极；有源层包括有光记忆功能的半导体材料以及沟道和源漏区域，顶栅电极为透明导电材料；源漏区域是通过对相应区域的有源层进行等离子体处理获得；积分阶段探测晶体管底栅和顶栅电极电压不同，使探测晶体管处在关态工作区且沟道电流远大于暗态电流；积分阶段包括曝光子阶段和其后的光记忆维持子阶段；暗态电流为曝光子阶段前探测晶体管工作在关态工作区时沟道中的电流；积分阶段结束后的读取阶段及读取阶段开始前，探测晶体管底栅和顶栅电极电压相同，使探测晶体管处在关态工作区且沟道电流恢复到暗态电流水平。本申请还公开了一种光电探测器。
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公开(公告)号：CN113409717B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202110520882.4
申请日：2021-05-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本申请提供了一种移位寄存器单元电路，包括置位晶体管，控制极配置为接收前一级输出信号，第二极耦合到低电平，置位晶体管为N型；复位晶体管，控制极配置为接收后一级输出信号，第二极耦合到低电平，复位晶体管为N型；第一CMOS反相器，输出端耦合到置位晶体管的第一极，输入端耦合到输出端和复位晶体管的第一极，第一控制极配置为接收高电平，第二控制极耦合到低电平；以及驱动晶体管，第一极耦合到输出端和所述复位晶体管的第一极，第二极配置为接收第一时钟信号，控制极耦合到第一CMOS反相器的输出端和置位晶体管第一极；第一时钟信号的有效电平与前一级输出信号的有效电平时段以及后一级输出信号的有效电平时段之间不交叠。
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公开(公告)号：CN114402430A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202180004925.1
申请日：2021-12-17
Applicant: 昆山龙腾光电股份有限公司 , 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/77 , H01L27/12 , G02F1/1333 , G02F1/1362
Abstract: 一种阵列基板及制作方法、显示面板，该制作方法包括：在基底上形成扫描线和栅极；在基底上形成覆盖扫描线和栅极的第一绝缘层；在第一绝缘层的上方形成金属氧化物半导体层；金属氧化物半导体层包括源极、漏极以及有源层；在金属氧化物半导体层的上表面涂布光敏材料层；以第一金属层为掩模板，从基底的背面对光敏材料层进行光刻并形成沟道保护层；对金属氧化物半导体层进行导体化处理，使源极和漏极被导体化；在第一绝缘层的上方形成数据线；在第一绝缘层的上方形成像素电极。沟道保护层采用光敏材料，在制作沟道保护层时不会对有源层的性能造成影响；从基底的背面对光敏材料层进行光刻，工艺简单，栅极与源/漏极基本没有重叠区域，寄生电容更小。
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公开(公告)号：CN114241975A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111399613.3
申请日：2021-11-19
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种多功能显示的像素电路和系统，包括：数据线、复位线、扫描线、读出线、发光单元、选通单元、存储单元、驱动单元、复位单元、感光单元和读出单元；在图像传感模式下：复位单元对存储单元进行复位；感光单元接收光照时提供一个响应于所述光照强度的泄漏电流，泄漏电流用于改变所述存储单元所存储的电荷量；读出单元用于读取并输出所述存储单元的电信号以作为图传信号；复位单元还用作所述感光单元，或者，感光单元还用作阈值提取单元；所述数据线或所述复位线还用作所述读出线。本发明在具有图像显示功能的基础上，通过复用其中信号线和某些电路模块，来使得显示设备还具有图像传感功能。
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