公开(公告)号：CN118692362A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202310319319.X

申请日：2023-03-22

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  宋志邦 ,  廖聪维 ,  阙姗 ,  郑欣 ,  刘云飞 ,  林清平 ,  李建桦 ,  严建花

IPC: G09G3/32 ,  H05B45/325 ,  H05B45/345

Abstract: 本申请涉及一种用于像素电路的脉冲宽度调制驱动方法，包括接收初始显示数据，针对一个显示像素电路来说每帧的所述初始显示数据包括X位二进制数；将所述初始显示数据转化为第一显示数据，所述第一显示数据包括具有Y位的K进制数；每一帧被分为Y个子帧，每个子帧包括写入时间和最长发光时间，每一子帧中的最长发光时间至少是关于K以及该子帧的序号y的函数，其中y是大于0小于等于Y的整数；在各子帧的写入时间中将所述第一显示数据的相应位写入该显示像素电路；以及基于所述第一显示数据驱动所述显示像素电路中的发光元件发光。本申请还涉及一种有源显示像素电路以及包含如前述显示像素电路的电子设备。

公开(公告)号：CN115411135A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202211128869.5

申请日：2021-05-13

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  周晓梁 ,  廖聪维 ,  范昌辉 ,  林清平 ,  严建花 ,  李建桦

IPC: H01L31/113 ,  H01L31/119 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  G01J1/42

Abstract: 本申请提供了一种光电探测晶体管包括衬底、底栅电极、底栅介质层、有源层、顶栅介质层和顶栅电极；有源层包括有光记忆功能的半导体材料以及沟道和源漏区域，顶栅电极为透明导电材料；源漏区域是通过对相应区域的有源层进行等离子体处理获得；积分阶段探测晶体管底栅和顶栅电极电压不同，使探测晶体管处在关态工作区且沟道电流远大于暗态电流；积分阶段包括曝光子阶段和其后的光记忆维持子阶段；暗态电流为曝光子阶段前探测晶体管工作在关态工作区时沟道中的电流；积分阶段结束后的读取阶段及读取阶段开始前，探测晶体管底栅和顶栅电极电压相同，使探测晶体管处在关态工作区且沟道电流恢复到暗态电流水平。本申请还公开了一种光电探测器。

公开(公告)号：CN113409717B

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202110520882.4

申请日：2021-05-13

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  廖聪维 ,  邱赫梓 ,  安军军 ,  林清平 ,  严建花 ,  李建桦

IPC: G09G3/20 ,  G11C19/28

Abstract: 本申请提供了一种移位寄存器单元电路，包括置位晶体管，控制极配置为接收前一级输出信号，第二极耦合到低电平，置位晶体管为N型；复位晶体管，控制极配置为接收后一级输出信号，第二极耦合到低电平，复位晶体管为N型；第一CMOS反相器，输出端耦合到置位晶体管的第一极，输入端耦合到输出端和复位晶体管的第一极，第一控制极配置为接收高电平，第二控制极耦合到低电平；以及驱动晶体管，第一极耦合到输出端和所述复位晶体管的第一极，第二极配置为接收第一时钟信号，控制极耦合到第一CMOS反相器的输出端和置位晶体管第一极；第一时钟信号的有效电平与前一级输出信号的有效电平时段以及后一级输出信号的有效电平时段之间不交叠。

公开(公告)号：CN114241975A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111399613.3

申请日：2021-11-19

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  安军军 ,  廖聪维 ,  邱赫梓 ,  王堃 ,  林清平 ,  严建花 ,  李建桦

IPC: G09G3/30 ,  H04N5/369

Abstract: 一种多功能显示的像素电路和系统，包括：数据线、复位线、扫描线、读出线、发光单元、选通单元、存储单元、驱动单元、复位单元、感光单元和读出单元；在图像传感模式下：复位单元对存储单元进行复位；感光单元接收光照时提供一个响应于所述光照强度的泄漏电流，泄漏电流用于改变所述存储单元所存储的电荷量；读出单元用于读取并输出所述存储单元的电信号以作为图传信号；复位单元还用作所述感光单元，或者，感光单元还用作阈值提取单元；所述数据线或所述复位线还用作所述读出线。本发明在具有图像显示功能的基础上，通过复用其中信号线和某些电路模块，来使得显示设备还具有图像传感功能。

公开(公告)号：CN113437099A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN202110520740.8

申请日：2021-05-13

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  周晓梁 ,  廖聪维 ,  范昌辉 ,  林清平 ,  严建花 ,  李建桦

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/032 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119 ,  H04N5/369 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/378

Abstract: 本申请提供了一种光电探测器像素电路，包括探测晶体管，配置为对入射光进行探测并产生相应的光生电信号；开关晶体管，配置为接收所述光生电信号或相关信号并对其进行电学处理；所述探测晶体管和所述开关晶体管均为双栅晶体管，并且二者的衬底、底栅电极层、底栅介质层、顶栅介质层以及源极或漏极所在的导电层彼此都相应的位于同一层，并且二者的有源层都包括具有光记忆功能的相同或不同的半导体材料；其中所述探测晶体管的顶栅电极采用透明导电材料，所述开关晶体管的顶栅电极至少包括非透明导电材料。本申请还公开了相应的光电探测器及其制造和应用方法。