公开(公告)号：CN106757359A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611110488.9

申请日：2016-12-06

Applicant: 北京大学东莞光电研究院

Inventor： 李成明 ,  张国义 ,  李顺峰 ,  童玉珍 ,  卢洪

IPC: C30B29/40 ,  C30B9/10

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B9/10

Abstract: 本发明公开了一种用于晶体生长的调节反应釜及其控制方法，包括釜体和设在釜体内的加热器，所述釜体内至少设置一个晶体生长用坩埚和一个反应物溶液调整坩埚，该晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚通过充满反应物溶液的连通管路连接，釜体上设有升降移动控制机构，该升降移动控制机构分别与晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚连接，带动该晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚上升或下降。本发明实现反应物液体在两个坩埚间循环流动，该流动会进一步促进反应物液面的波动，增强反应物液体与氮气的进一步混合，提高材料生长速率和质量。

公开(公告)号：CN105256372A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510838898.4

申请日：2015-11-27

Applicant: 北京大学东莞光电研究院

Inventor： 李成明 ,  陈蛟 ,  巫永鹏 ,  刘南柳 ,  黄波 ,  卢洪 ,  李顺峰 ,  张国义

IPC: C30B29/40 ,  C30B11/00

Abstract: 本发明公开了一种GaN单晶设备，包括反应釜，该反应釜外部设有加热器，反应釜上部装接有带阀门的气管，反应釜内设有坩埚，反应釜内放置有晶种模板，其特征在于，所述装置还包括感应线圈机构，该感应线圈机构包括设在反应釜内的内部线圈和设在反应釜外的外部线圈，该外部线圈与电源连接，反应釜内设有支撑杆，内部线圈活动套装在该支撑杆上，内部线圈的一端与晶种模板连接，外部线圈接通电源后带动内部线圈作受迫运动，使该内部线圈在支撑杆上移动。本发明通过感应线圈机构来控制晶种模版的实时生长位置，保证晶种模版一直处在最佳的生长溶液环境，由此促进GaN单晶生长。

公开(公告)号：CN206512322U

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201621329743.4

申请日：2016-12-06

Applicant: 北京大学东莞光电研究院

Inventor： 李成明 ,  陈蛟 ,  王琦 ,  卢洪 ,  童玉珍 ,  李顺峰 ,  张国义

IPC: C30B29/40 ,  C30B7/14

Abstract: 本实用新型公开了一种光作用的晶体生长装置，包括反应釜、坩埚和加热器，坩埚设在反应釜内，加热器设在坩埚侧面，所述反应釜上设有调节阀，反应釜上设有延伸至坩埚内的光传输通道，该光传输通道与光源连接使光源发出的光线经光传输通道射入坩埚内，光传输通道的下端位于坩埚内的溶液液面的上方或内部，并且坩埚内还设有用于驱动流体流动的叶片，坩埚底面设有旋转支撑杆。本实用新型通过引入光作用，依靠照射Ga‑Na熔体及加速气体电离的光能量，有效地提高了GaN晶体生长速率。