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公开(公告)号：CN102944339A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210404856.6
申请日：2012-10-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，该MEMS压阻式压力传感器包括应变膜和压敏电阻，应变膜的正面边缘分布有岛结构，压敏电阻位于所述岛结构上。在制备时基片正面岛结构的制作在背腔各向异性腐蚀之前，避免正面制作岛结构时应变膜出现崩裂。本发明的压力传感器同时具有高灵敏度和高线性度，其制备方法与传统工艺兼容，成品率高。
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公开(公告)号：CN102980695B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210500895.6
申请日：2012-11-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种MEMS压阻式绝对压力传感器，包括设有四边形槽的基片，以及制作于该槽侧壁的四组压敏电阻，所述四组压敏电阻构成惠斯通电桥，所述四边形槽的两个相对的侧壁沿所述基片的 晶向排列，另外两个相对的侧壁沿所述基片的 晶向排列。其制作步骤为：在基片正面光刻定义P型重掺杂的引线接触区，进行离子注入和高温热退火；在基片正面光刻定义槽的形状并刻蚀四边形槽；通过P型离子注入轻掺杂进行侧壁上压敏电阻的掺杂，并进行高温热退火；制作引线孔和金属引线；划片。本发明不含应变膜，能够降低传感器的芯片尺寸，显著增加传感器的抗过载能力，提高了工艺的可靠性与器件的成品率。
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公开(公告)号：CN102583224B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210060342.3
申请日：2012-03-08
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种MEMS和IC单片集成方法，先在基片上完成除金属互连以外的所有IC工艺，然后依次淀积氧化硅层和氮化硅层作为IC区域的保护层；再采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；刻蚀去除IC区域的氮化硅保护层之后，刻蚀氧化硅保护层形成引线孔，淀积并图形化金属形成金属互连；最后去除MEMS区域的牺牲层，释放MEMS可动结构。该方法不需要专用的低应力氮化硅生产设备，采用IC-MEMS交叉工艺，通过选择性去除氮化硅保护层来控制集成化片内应力，从而降低集成化工艺对IC电路性能的影响，工艺简单可靠。
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公开(公告)号：CN102967510B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201210397912.8
申请日：2012-10-18
Applicant: 北京大学
IPC: G01N3/26
Abstract: 本发明涉及一种施加垂直于悬臂梁的作用力的方法和装置，通过探针台探针向具有曲面探针头的片上力学微探针施加负载力；片上力学微探针通过曲面探针头向悬臂梁施加作用力，同时该片上力学微探针进行转动以使该悬臂梁在弯曲过程中受到的作用力始终垂直于该悬臂梁。本发明在对被测悬臂梁施加作用力的过程中不会产生沿悬臂梁方向上的弹力，也不会产生摩擦力；并且由于力学微探针的缓冲作用使得负载力的施加更稳定，测量结果更准确。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN104003349B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410191944.1
申请日：2014-05-08
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种利用SOI片制备MEMS器件的表面牺牲层工艺方法，其步骤包括：1)在SOI基片上光刻定义MEMS器件结构区，并刻蚀器件层单晶硅和埋氧层氧化硅至衬底表面，埋氧层作为第一层牺牲层；2)淀积氧化硅作为第二层牺牲层；3)根据MEMS器件结构光刻定义氧化硅区域，并对氧化硅进行刻蚀；4)进行光刻，以氧化硅和光刻胶作双层掩膜刻蚀隔离槽；5)去除光刻胶，以氧化硅为掩膜刻蚀制作凸点槽和锚点槽；6)淀积第二层结构层，进行刻蚀以形成MEMS器件结构；7)制作通孔和引线；8)冷阱释放。本发明采用单晶硅作为主体结构层，加入预应力和凸点防止结构层黏附，工艺难度低，成品率高，可广泛应用于MEMS器件的制作。
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公开(公告)号：CN102980694B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210500461.6
申请日：2012-11-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种无应变膜结构的MEMS压阻式压力传感器，包括制作于基片上并构成惠斯通电桥的四组压敏电阻，其中两组相对的压敏电阻沿 晶向排列，另外两组相对的压敏电阻沿 晶向排列。其制作步骤为：在基片正面采用压敏电阻所需剂量的掺杂浓度进行P型离子注入轻掺杂并高温热退火；在基片正面通过光刻定义P型重掺杂的引线接触区，通过离子注入进行重掺杂并高温热退火；制作引线孔和金属引线；通过光刻定义压敏电阻和接触区的形状，通过刻蚀的方式制作压敏电阻条；划片。本发明的压力传感器没有应变膜结构，能够降低传感器的芯片尺寸，增加抗过载能力；其制作方法与标准体硅压阻式压力传感器的工艺兼容，成本低且成品率高。
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公开(公告)号：CN104003349A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410191944.1
申请日：2014-05-08
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种利用SOI片制备MEMS器件的表面牺牲层工艺方法，其步骤包括：1)在SOI基片上光刻定义MEMS器件结构区，并刻蚀器件层单晶硅和埋氧层氧化硅至衬底表面，埋氧层作为第一层牺牲层；2)淀积氧化硅作为第二层牺牲层；3)根据MEMS器件结构光刻定义氧化硅区域，并对氧化硅进行刻蚀；4)进行光刻，以氧化硅和光刻胶作双层掩膜刻蚀隔离槽；5)去除光刻胶，以氧化硅为掩膜刻蚀制作凸点槽和锚点槽；6)淀积第二层结构层，进行刻蚀以形成MEMS器件结构；7)制作通孔和引线；8)冷阱释放。本发明采用单晶硅作为主体结构层，加入预应力和凸点防止结构层黏附，工艺难度低，成品率高，可广泛应用于MEMS器件的制作。
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公开(公告)号：CN103884605A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410119092.5
申请日：2014-03-27
Applicant: 北京大学
IPC: G01N3/20
Abstract: 本发明涉及一种利用表面断裂强度检测刻蚀表面质量的方法及装置。该方法采用包含刻蚀表面的等强度梁，利用探针台探针对所述等强度梁的刻蚀表面施加位移负载，直至所述等强度梁断裂；然后测量所述等强度梁断裂时刻蚀表面受到的应力，得到表面断裂强度，利用该断裂强度判定刻蚀表面的质量。该装置包括等强度梁和片上多功能针头；所述片上多功能针头包括针尖，支撑针尖的弹性结构，以及测量所述针尖的位移的测力标尺。本发明从断裂强度角度去检测和评价表面质量，能够反映刻蚀表面的粗糙、微裂纹水平，对器件性能、可靠性具有更高的参考价值，操作简单，通用性强。
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