公开(公告)号：CN101685768A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200810222720.7

申请日：2008-09-23

Applicant: 北京大学

Inventor： 张国义 ,  杨志坚 ,  方浩 ,  李丁 ,  桑立雯 ,  陶岳彬 ,  康香宁 ,  孙永健 ,  陆羽 ,  赵璐冰

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明公开了一种制备自支撑单晶氮化镓衬底的方法，首先在GaN的异质外延衬底上生长一层掩膜，然后在掩膜上开出一系列生长窗口，再依次生长GaN成核层、GaN模板层和GaN厚膜，最后激光剥离异质外延衬底。该方法是一种两步应力释放法：第一步采用侧向外延技术，使样品只有部分区域与异质外延衬底相连接，可以天然的释放部分应力；第二步采用激光剥离技术使样品从异质外延衬底上剥落，再释放部分应力。采用本发明方法得到的自支撑单晶氮化镓衬底具有应力释放均匀、成品率高、适于大规模工业生产的特点。

公开(公告)号：CN101582473A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200810106414.7

申请日：2008-05-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 张国义 ,  杨志坚 ,  方浩 ,  陶岳彬 ,  桑立雯 ,  李丁

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种调节LED发光波长的方法，是在缓冲层上先生长第一n型欧姆接触层，再沉积一层SiO2薄膜作为掩膜，在掩膜上开出具有一定几何形状和尺寸的生长窗口，然后在生长窗口处继续生长第二n型欧姆接触层、有源层和p型欧姆接触层。不同形状和尺寸的生长窗口对二次外延器件内部应力的调节可以使同一种生长工艺条件下制备的器件发出不同波段的辐射光。采用这一特殊方法可制备白光LED，即在掩膜的不同区域根据预先设计开设不同形状、尺寸和数量的生长窗口，可从一个器件发出不同波段的辐射光，它们混合后得到白光。该LED器件只需单一芯片即可发出白色光，而且制备简便，电路简单，无需荧光粉，受命长，具有较高光的电转化效率。

公开(公告)号：CN101556983A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200810103520.X

申请日：2008-04-08

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨志坚 ,  方浩 ,  陶岳彬 ,  桑立雯 ,  李丁 ,  张国义

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种单芯片白光LED及其制备方法，该LED包括依次叠加的光致荧光层、n型欧姆接触层、有源层和p型欧姆接触层，其中：有源层为可发射370－420nm的近紫外光波段的量子阱，光致荧光层是在近紫外光激发下发出黄绿荧光的非掺杂GaN层。所述光致荧光层是利用GaN材料中Ga空位和氧掺杂替氮位配对可以被近紫外光激发而发出黄绿光的特点而形成的，通过在生长GaN层时提高氨气源的流量将V/III比提高至4000－9000，或者降低生长温度至900－1050℃来大量引入上述缺陷。该LED器件只需单一芯片即可发出白色光，而且器件的制备工艺简单，无需荧光粉，寿命长，具有较高的光电转化效率。

公开(公告)号：CN101257081A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810103336.5

申请日：2008-04-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 陶岳彬 ,  杨志坚 ,  方浩 ,  桑立雯 ,  李丁 ,  张国义

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种双波长单芯片发光二极管，属于半导体照明领域和金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术领域。该器件包括若干个n型接触层、两个有源层和若干个p型接触层，上述n型接触层、有源层和p型接触层为相互叠加结构，所述两个有源层为不同光波段的量子阱，且上述两个有源层之间共用一p型接触层或一n型接触层。本发明LED器件可以通过控制各个电极所加的电流、电压的大小，控制两种不同光波段的量子阱的发光强度，且具有器件电路简单，寿命长，光电转化效率高的特点。本发明对制备无需荧光粉，较高光电转化效率的单芯片白光LED具有重要意义，并且将在白光照明，全色显示和光调节领域发挥重要作用。