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公开(公告)号：CN111585546B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202010274643.0
申请日：2020-04-09
Applicant: 北京大学
IPC: H03K3/0233 , H03K19/0185
Abstract: 本发明实施例提供基于阻变存储器的非挥发性锁存器电路及操作方法，电路包括：第一传输门TG1、第二传输门TG2、第一双稳态电路、第二双稳态电路、第一选通管T1、第二选通管T2和RRAM；TG1输入端连接数据信号，TG1输出端分别连接第一双稳态电路的输入端和TG2的输入端；TG2输出端分别连接T1的源极、RRAM的顶电极端、第二双稳态电路的输入端和第二输出端；第二双稳态电路的第一输出端分别连接T2的源极和RRAM的底电极端；T1和T2的栅极分别连接CLK，T1的漏极连接第一双稳态电路的第二输出端，T2的漏极连接第一双稳态电路的第一输出端。可解决当外接偏置电压关闭时锁存器内部电平信号会丢失的问题。
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公开(公告)号：CN111564169B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202010369772.8
申请日：2020-04-30
Applicant: 北京大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种三维垂直阻变存储器阵列及其操作方法、装置、设备及介质。该操作方法包括：选中三维垂直阻变存储器阵列中的特定阻变存储器作为选中单元进行编程操作。上述编程操作包括：在选中单元所在的字线、位线和选择线分别对应施加电压Vdd、0和Von1；在与选中单元对应不同选择线的第一非选中单元所在的选择线施加零电压；以及在与选中单元对应同一选择线的第二非选中单元对应的字线和位线中，除去选中单元所在字线和位线之外，其余字线施加电压V1，其余位线施加电压V2；其中，电压V1、V2满足：使得所有第二非选中单元的电压降均小于Vdd/2。在编程操作时克服了由于阻变存储器自身压降及对应的编程电压的涨落而导致的误编程操作。
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公开(公告)号：CN114171086A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111471751.8
申请日：2019-08-02
Applicant: 北京大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明公开了一种阻变式存储器的操作电路及操作方法，操作电路包括至少一电容，串联于一阻变式存储器，使该阻变式存储器通过该电容接地。操作方法是串联至少一电容于一阻变式存储器，使该阻变式存储器通过该电容接地；施加成形或设定脉冲电压于该阻变式存储器，实现对该阻变式存储器的成形或设定操作。本发明通过在每个RRAM的底电极端串联一个电容，使该RRAM通过该电容接地，进而能够实现快速、低功耗的RRAM阵列的批量成形或设定过程，加速RRAM阵列成形或设定过程，减小成形或设定过程中的能耗，并提升成形或设定后的RRAM器件性能。
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公开(公告)号：CN113644193A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110727631.3
申请日：2021-06-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种阻变存储器件的制备方法、装置、电子设备和存储介质，其中方法包括：在经过热氧化处理后的硅片上采用射频磁控溅射方式，制备得到阻变存储器件的衬底；在衬底上采用直流溅射方式，制备得到阻变存储器件的底电极；在底电极上采用PECVD工艺淀积预设厚度的二氧化硅，得到阻变存储器件的阻变介质层，并通过调节PECVD工艺的射频功率调控阻变介质层中缺陷的含量；在阻变介质层上采用直流溅射方式，制备得到阻变存储器件的活性电极；在活性电极上采用直流溅射方式，制备得到阻变存储器件的顶电极。本发明能够通过调节PECVD工艺的射频功率调控阻变介质层中缺陷的含量，制备出满足特定驱动电流或特定功耗的阻变存储器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111564169A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010369772.8
申请日：2020-04-30
Applicant: 北京大学
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种三维垂直阻变存储器阵列及其操作方法、装置、设备及介质。该操作方法包括：选中三维垂直阻变存储器阵列中的特定阻变存储器作为选中单元进行编程操作。上述编程操作包括：在选中单元所在的字线、位线和选择线分别对应施加电压Vdd、0和Von1；在与选中单元对应不同选择线的第一非选中单元所在的选择线施加零电压；以及在与选中单元对应同一选择线的第二非选中单元对应的字线和位线中，除去选中单元所在字线和位线之外，其余字线施加电压V1，其余位线施加电压V2；其中，电压V1、V2满足：使得所有第二非选中单元的电压降均小于Vdd/2。在编程操作时克服了由于阻变存储器自身压降及对应的编程电压的涨落而导致的误编程操作。
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公开(公告)号：CN111293220B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202010145159.8
申请日：2020-03-04
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种阻变存储器及其制作方法，其中阻变存储器包括：衬底；依次位于所述衬底之上的：第一电极、阻变介质层、阻挡层兼隧穿层以及第二电极；其中，所述阻挡层兼隧穿层包括多层二维材料，所述二维材料为如下材料的一种：HBN、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2或WTe2。将上述多层二维材料插入第二电极和阻变介质层之间，置位过程中，可有效阻挡和限制氧离子扩散进入第二电极并与其发生氧化反应，减少氧离子的消耗，同时利用二维材料隧穿作用提高低阻态电阻。在复位过程中，不需要第二电极作为储氧层来提供氧离子，在不施加大电压产生大电流的情况下，会有足够多的氧离子参与氧空位的复合，可以实现完全复位。整体提升了器件的循环特性并且降低了编程能耗。
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公开(公告)号：CN113971981A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111279337.7
申请日：2021-10-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本公开提供了一种存储器单元及存储器阵列的操作方法、装置。其中，所述存储器单元包括忆阻器单元，存储器单元的操作方法包括：读取忆阻器单元的当前电导；根据当前电导和设定目标电导之间的对应关系，基于设定目标电导判断符合电导电压关系的存储器单元的操作电压；以及对存储器单元施加操作电压，完成对忆阻器单元的单脉冲编程操作。因此，通过目标电导确定符合电导电压关系的操作电压，使得向存储器单元施加该操作电压进行编程操作的情况下，对应忆阻器单元可以实现电导的精确调节，且编程后不需要读操作，显著提升忆阻器器件的编程效率，同时兼顾了编程速度和编程精度。
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公开(公告)号：CN111323654B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202010130078.0
申请日：2020-02-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明实施例提供一种阻变器件的突触模拟方法及系统，该方法包括：在第一时刻对目标阻变器件的顶电极施加第一正弦波信号；在第二时刻对所述目标阻变器件的底电极施加第二正弦波信号；调整所述第一时刻和所述第二时刻之间的时间间隔，并调整所述第一正弦波信号的频率和所述第二正弦波信号的频率，获取所述目标阻变器件的突触模拟曲线；根据所述目标阻变器件的突触模拟曲线，对所述目标阻变器件进行突触模拟。本发明实施例提供的一种阻变器件的突触模拟方法及系统，可以对阻变器件的突触可塑性进行测试，得到阻变器件的突触与时间、频率两方面之间的变化关系，从而在使用该阻变器件时，阻变器件能更好的对突触进行模拟。
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公开(公告)号：CN111293220A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010145159.8
申请日：2020-03-04
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种阻变存储器及其制作方法，其中阻变存储器包括：衬底；依次位于所述衬底之上的：第一电极、阻变介质层、阻挡层兼隧穿层以及第二电极；其中，所述阻挡层兼隧穿层包括多层二维材料，所述二维材料为如下材料的一种：HBN、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2或WTe2。将上述多层二维材料插入第二电极和阻变介质层之间，置位过程中，可有效阻挡和限制氧离子扩散进入第二电极并与其发生氧化反应，减少氧离子的消耗，同时利用二维材料隧穿作用提高低阻态电阻。在复位过程中，不需要第二电极作为储氧层来提供氧离子，在不施加大电压产生大电流的情况下，会有足够多的氧离子参与氧空位的复合，可以实现完全复位。整体提升了器件的循环特性并且降低了编程能耗。
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